雖然SiC在電子應用中的使用可以追溯到1900年代初,但它作為半導體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關注。正是在這一點上,它首次用于肖特基二極管、場效應管和MOSFET。雖然SiC具有使其在處理高頻、高功率和高溫負載方面具有獨特的優勢,但其采用速度很慢,主要是因為生產中的問題。
在自然界中,SiC是一種極其罕見的物質,主要存在于隕石的殘余物中。雖然它可以合成創建,但早期的努力產生了不一致的結果。邊緣錯位、三角形缺陷和其他問題減緩了SiC作為半導體的商業化,盡管它有許多潛在的應用,但其使用仍然相對罕見。
但是,是什么讓SiC成為如此有效的半導體呢?作為一種寬帶隙半導體材料,它比其他半導體材料(如傳統硅)具有更廣泛的能量差,這使其具有更高的熱和電子性能。這使得該材料成為高功率、高溫和高頻應用中的明星。事實上,與硅半導體相比,SiC的介電擊穿強度提高了10×,能量帶隙提高了3×導熱率提高了3×。
這些性能優勢可提高整體系統效率,同時提高功率密度并降低系統損耗。
如前所述,雖然SiC作為半導體材料的實力已經為人所知多年,但生產問題使得采用緩慢。然而,如今,Wolfspeed、英飛凌、安森美等制造商已經改進了制造工藝,因此早期對SiC質量的擔憂在很大程度上已成為過去。因此,它的使用量正在快速增長。
目前,具有碳化硅專業知識的半導體制造商發現自己處于誘人的位置。制造工藝得到了顯著改進,提高了合成SiC的產量和可靠性。同時,需要SiC等材料的性能要求的應用也在迅速增加。其結果是一個基于SiC的設備以驚人的速度增長的市場。
讓我們探索一下SiC正在站穩腳跟的一些行業。
電動汽車使用情況
碳化硅半導體最大的增長市場之一是電動汽車(EV)和電動汽車充電系統。在車輛方面,SiC是電機驅動的絕佳選擇——不僅在我們道路上的電動汽車中,而且在電動火車中。
SiC的性能和可靠性使其成為電機驅動電源系統的絕佳選擇,并且由于其高性能尺寸比以及基于SiC的系統通常需要使用較少的整體組件這一事實,使用SiC可以減小系統尺寸并減輕重量——這是電動汽車效率的關鍵考慮因素。
SiC在電動汽車電池充電系統中的應用也越來越多。采用電動汽車的最大障礙之一是補充電池所需的時間,制造商正在尋找減少充電時間的方法——對許多人來說,答案是碳化硅。通過在板外充電解決方案中使用SiC功率組件,電動汽車充電站制造商可以利用SiC的快速開關速度和高功率傳輸能力來提供更好的充電性能。結果是充電時間縮短了2×。
隨著越來越多的組織進行數字化轉型,數據中心在各種規模和垂直行業的企業中的作用只會越來越大。這些數據中心充當各種關鍵任務數據的中樞神經系統,對于持續和成功的業務運營至關重要,但這是有代價的。
事實上,國際能源署估計,數據中心消耗了全球所有電力的1%,這還不包括用于加密貨幣挖礦的能源。這種能源消耗的最大驅動因素之一是用于保持這些數據中心涼爽的電力,空調和風扇系統需要一年24天、每天365小時運行。
隨著消費者和市政層面對電動汽車的需求不斷增長,以及對數據中心日益增長的需求,以支持物聯網、軟件和其他數據密集型操作產生的大量數據,SiC無疑是未來的半導體。
隨著越來越多的制造商擴大其SiC產品,生產流程不斷改進并降低成本。隨著應用的增長,SiC在未來幾年仍將是半導體設計的關鍵部分。
無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。
公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。
公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A -80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。
特別在低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm 光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms 隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。
公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。
“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。
審核編輯:湯梓紅
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原文標題:碳化硅半導體與行業的未來!
文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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