前言
作為Si功率元器件評估篇的第2波,將開始一系列有關(guān)Si功率元器件通過PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。
近年來,對于服務(wù)器和車載充電器等的電源,要求其能夠處理更大功率的需求增加。這類大功率電源中大多采用全橋電路,尤其是相移全橋(Phase Shift Full Bridge,以下稱“PSFB”)電路,因其能夠在超結(jié)MOSFET(以下稱“SJ MOSFET”)和IGBT等開關(guān)元件導(dǎo)通時(shí)實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)(Zero Voltage Switching,以下稱“ZVS”)工作,可以減少開關(guān)損耗,故可以處理更大的功率。
伴隨電源的大功率發(fā)展趨勢,提高效率成為很大的課題。通常,即使效率相同,較大功率電源其損耗本身也會較大,因此需要盡可能高的效率。
本系列文章將通過在PSFB電路中使用SJ MOSFET時(shí)的電路工作,來說明快速恢復(fù)型SJ MOSFET的必要性。此外,還會對具有不同反向恢復(fù)特性的SJ MOSFET的效率進(jìn)行比較,并了解在PSFB電路中反向恢復(fù)特性的重要性。
PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)
首先來看PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)。如果能對這種基本結(jié)構(gòu)有整體印象,將會更容易理解后續(xù)的電路工作相關(guān)的內(nèi)容。
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