在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
电子发烧友
开通电子发烧友VIP会员 尊享10大特权
海量资料免费下载
精品直播免费看
优质内容免费畅学
课程9折专享价
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

擺脫高dV/dt電源的優勢

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-02-13 10:49 ? 次閱讀

有時,電源上的高dV/dt上升時間會導致下游組件出現問題。在具有高電流輸出驅動器的24V供電工業系統中尤其如此。本應用筆記介紹了如何控制上升時間,同時限制通過控制FET的功率損耗。

概述

電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間,同時限制通過控制FET的功率損耗。

限制上升時間

對于許多系統而言,一個簡單的pFET電路和相關元件就足以限制電源的上升時間。但是,當電流達到8A及以上時,R德森的pFET會導致系統中的熱量上升。具有較低 R 的 nFET德森是一個不錯的選擇。

MAX16127為3mm × 3mm nFET控制器,設計用于過壓保護。它還可用于控制電源電壓的斜坡。該保護電路上的電源良好/FLAG輸出使其能夠在受控電壓為輸入電壓的90%時使能下游器件,而與輸入電壓無關。與設置固定導通電壓或延遲時間相比,此功能是一個很好的改進,特別是在輸入電壓可以在很寬范圍內變化的工業和汽車系統中。

圖1中的電路顯示了用于斜坡V的基本配置在.MAX16127的GATE引腳為電流輸出電路,來自內部電荷泵。它將 nFET 晶體管柵極驅動至比 nFET 源極高約 10V 的電壓。GATE上的附加電容可用于控制nFET柵極電壓的上升時間,并且電容的值可以根據所需的壓擺率進行調整。在本例C1中,顯示的是220nF電容。電阻R2 (1kΩ)與C1串聯。R2隔離C1,因此當MAX16127在過壓或故障情況下關斷時,關斷時間很快。

當柵極斜坡時,nFET將處于其線性區域。因此,如果所有下游電路在斜坡上升時開始工作,則可以看到大量的功耗。MAX16127的/FLAG引腳用作下游驅動器和電源的使能引腳。圖2和圖3顯示了/FLAG使能信號如何及時移出V。在更改,始終啟用當 V供應處于 V 的 90%在.使用/FLAG作為使能時,您只需擔心在一切正常時調整最后10%的nFET大小。

MAX16127的GATE引腳標稱電流為180μA,使用公式計算柵極驅動上升時間:I = C dV/dT。使用所示的220nF電容可獲得約0.82V/ms的dV/dT。圖 2 顯示 V供應在大約30ms內斜坡上升至40V,這接近我們的預期,因為柵極驅動呈線性斜坡上升。

該電路還使用電阻R5和R6提供標準過壓保護,并使用電阻R3和R7提供欠壓鎖定。

poYBAGPppW2AR0e2AAB2QzWuRmc853.png

圖1.上升時間控制電路原理圖

poYBAGPppSGAY3EzAABQw3rzeno156.png?imgver=1

圖2.30V V 的波形和/FLAG行為在.

poYBAGPppSKAEQ3KAABNBVKqpys070.png?imgver=1

圖3.18V V 的波形和/FLAG行為在.

確定場效應管的尺寸

在本例中,我們使用 90% /FLAG 來實現 10A 的下游負載。假設VIN上的最大電壓為30V,我們需要調整FET的大小,使其能夠在大約4ms內處理VSUPPLY從27V斜坡上升到30V時的平均功率。平均功率為 I × 1/2 (VIN - VOUT) 或 1.5V × 10A = 15W,但持續時間很短。大多數功率FET數據手冊都有一個安全工作區(SOA)圖,該圖顯示VDS與電流的關系以及時間疊加。檢查 SOA 以調整 FET 的大小。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電源
    +關注

    關注

    185

    文章

    18150

    瀏覽量

    254136
  • 驅動器
    +關注

    關注

    54

    文章

    8469

    瀏覽量

    148441
  • 控制器
    +關注

    關注

    113

    文章

    16813

    瀏覽量

    182082
收藏 0人收藏

    評論

    相關推薦

    限制穩壓器啟動時dV/dt和電容的電路

    穩壓器調整端增加簡單電路控制輸出電壓的 dV/dt ,限制啟動電流 ,有時,設計約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
    發表于 04-12 19:30 ?3454次閱讀
    限制穩壓器啟動時<b class='flag-5'>dV</b>/<b class='flag-5'>dt</b>和電容的電路

    電壓和dv/dt中的電壓傳感器抗噪性

    傳感器時要面臨一些挑戰,這些挑戰與絕緣的嚴格要求以及與 10 kV SiC MOSFET 相關的更高 dv/dt (50-100 V/ns) 相關。有不同的方法可以測量中壓電源的電壓,其中一些是霍爾效應傳感器、電容分壓器、電阻
    發表于 07-26 08:03 ?1282次閱讀
    <b class='flag-5'>高</b>電壓和<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>dv</b>/<b class='flag-5'>dt</b>中的電壓傳感器抗噪性

    限制穩壓器啟動時dV/dt和電容的電路,不看肯定后悔

    關于限制穩壓器啟動時dV/dt和電容的電路的詳細介紹
    發表于 04-12 06:21

    SLA3304DT6的優勢是什么?

    SLA3304DT6的電性是什么?SLA3304DT6的優勢是什么?
    發表于 01-14 07:52

    Analysis of dv/dt Induced Spur

    Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
    發表于 11-26 11:17 ?10次下載

    Analysis of dv_dt Induced Spur

    Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對高頻的DC-DC轉換器,功率MOSFET是一個關鍵的器件.快速的開關可以降低開關LOSS, 但是在MOS漏級上dv/dt
    發表于 11-28 11:26 ?43次下載

    Si827x數據表:具有瞬態(dV-dt)抗擾度的4種放大器I

    Si827x數據表:具有瞬態(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
    發表于 12-25 21:33 ?0次下載

    如何有效的處理di/dt負載瞬態?

    電源設計小貼士44:如何處理di/dt負載瞬態
    的頭像 發表于 08-16 00:05 ?4560次閱讀

    電壓源型驅動dv/dt的表現

    英飛凌電流源型驅動芯片,一種非常適合電機驅動方案的產品,將同時實現高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無核變壓器技術平臺的隔離式驅動芯片,能精準地實時控制開通時的dv/dt。下面我們來仔細看看它到底有什么與眾不同之處。
    發表于 07-07 17:20 ?3611次閱讀

    混合動力系統驅動器內dV/dt噪聲的來源及解決方案

    共模噪聲是汽車系統設計人員在設計實用而可靠的動力總成驅動系統時必須克服的一個重大問題。當高壓逆變電源和其他電源進行高頻切換時,共模噪聲(又稱 dV/
    的頭像 發表于 03-15 15:16 ?4230次閱讀
    混合動力系統驅動器內<b class='flag-5'>dV</b>/<b class='flag-5'>dt</b>噪聲的來源及解決方案

    dV/dt失效是什么意思

    dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
    的頭像 發表于 03-29 17:53 ?5293次閱讀
    <b class='flag-5'>dV</b>/<b class='flag-5'>dt</b>失效是什么意思

    如何控制電源dV/dt上升時間同時限制通過控制FET的功率損耗

    電源上的 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間,同時限制通過控制FET的功率損耗。
    的頭像 發表于 01-16 11:23 ?1922次閱讀
    如何控制<b class='flag-5'>電源</b><b class='flag-5'>dV</b>/<b class='flag-5'>dt</b>上升時間同時限制通過控制FET的功率損耗

    MOSFET的失效機理:什么是dV/dt失效

    MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
    發表于 02-13 09:30 ?1554次閱讀
    MOSFET的失效機理:什么是<b class='flag-5'>dV</b>/<b class='flag-5'>dt</b>失效

    dv/dt”和“di/dt”值:這些值的水平對固態繼電器有什么影響?

    di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發生這種情況時,施加到半導體器件上的應力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中,我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性,
    的頭像 發表于 02-20 17:06 ?9515次閱讀
    “<b class='flag-5'>dv</b>/<b class='flag-5'>dt</b>”和“di/<b class='flag-5'>dt</b>”值:這些值的水平對固態繼電器有什么影響?

    dV/dt對MOSFET動態性能的影響有哪些?

    ①靜態dV/dt:會引起MOSFET柵極電壓變化,導致錯誤開通。在柵源間并聯電阻,可防止誤開通。
    發表于 07-14 14:39 ?2180次閱讀
    <b class='flag-5'>dV</b>/<b class='flag-5'>dt</b>對MOSFET動態性能的影響有哪些?

    電子發燒友

    中國電子工程師最喜歡的網站

    • 2931785位工程師會員交流學習
    • 獲取您個性化的科技前沿技術信息
    • 參加活動獲取豐厚的禮品
    主站蜘蛛池模板: 在线观看精品国产福利片100 | 欧美性极品xxxxx | 国产亚洲一区二区三区在线 | 久久sp | 你懂的手机在线视频 | 一区二区免费在线观看 | 毛片又大又粗又长又硬 | 色多多官网| 在线伊人网| 色综合久久网 | 夜夜操夜夜摸 | 天天操天 | 国产在线麻豆自在拍91精品 | 中文字幕视频一区二区 | 亚洲人在线 | 天天槽任我槽免费 | 午夜视频你懂的 | 你懂得在线网站 | 色涩网站在线观看 | 亚洲aa视频 | www在线视频在线播放 | 婷婷成人丁香五月综合激情 | 亚洲系列中文字幕一区二区 | 国产资源站 | 老熟女毛片| 国产三级日本三级美三级 | 国产一区精品视频 | 最好看最新的中文字幕1 | 开心激情婷婷 | 中文字幕一区二区三区5566 | sihu国产午夜精品一区二区三区 | 国产内地激情精品毛片在线一 | 最新版天堂中文在线官网 | 成年视频在线观看 | 黄色的视频免费看 | 99久久精品免费观看国产 | 久久永久免费视频 | 亚洲精品456人成在线 | 亚洲精品老司机综合影院 | 国产黄页| 亚洲精品美女久久久aaa |