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Q2展望不佳,傳蘋果再次下修12萬(wàn)片晶圓投片量;小米汽車全新諜照曝光,車頭極長(zhǎng)

DzOH_ele ? 來源:未知 ? 2023-02-20 20:25 ? 次閱讀

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熱點(diǎn)新聞

1、Q2展望不佳,傳蘋果再次下修12萬(wàn)片晶圓投片量

外媒日前引述半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者“手機(jī)晶片達(dá)人”爆料,稱蘋果公司日前再度下修向臺(tái)積電的晶圓投片數(shù)量,此次下修總數(shù)達(dá)12萬(wàn)片,影響包含N7、N5、N4和部分N3產(chǎn)線。

爆料還指稱,根據(jù)蘋果Macbook主要代工廠廣達(dá)內(nèi)部信息,今年Q2的預(yù)測(cè)數(shù)量比Q1還差,因此“當(dāng)然就會(huì)砍M2處理器的量,導(dǎo)致今年準(zhǔn)備用3nm的M3往后遞延,2023 forecast 也往下修。”根據(jù)此前公開報(bào)道, 蘋果今年計(jì)劃的iPhone 15 Pro/Pro Max系列將搭載采用臺(tái)積電N3工藝的A17芯片,M2 Ultra/M3同樣擬基于臺(tái)積電3納米工藝。

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產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)

2、存儲(chǔ)價(jià)格暴跌重現(xiàn)2008年危機(jī),三星、SK海力士苦苦掙扎

根據(jù)TrendForce的最新數(shù)據(jù),動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的價(jià)格在Q4暴跌34.4%,加劇了前一季度31.4%的跌幅。閃存 (NAND) 的表現(xiàn)略好一些,但也在去年的Q3、Q4創(chuàng)下了2006年以來情況最惡劣的跌價(jià)記錄。

存儲(chǔ)市場(chǎng)的低迷與寒氣仍在持續(xù)蔓延,繼美光近期被曝光在新加坡和中國(guó)臺(tái)灣裁員后,全球第四大NAND閃存廠商西部數(shù)據(jù)(WD)也早已于去年底實(shí)施了分批裁員計(jì)劃。全球主要的存儲(chǔ)廠商均宣布了削減產(chǎn)能和資本支出、裁員計(jì)劃,美光科技、SK海力士和鎧俠都宣布通過控制供過于求來穩(wěn)定市場(chǎng)的措施。迄今為止,全球最大的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商三星電子沒有加入以上的陣營(yíng),堅(jiān)持一貫的、激進(jìn)的資本支出計(jì)劃,三星電子計(jì)劃將在今年花費(fèi)超過300億美元用于進(jìn)一步建設(shè)產(chǎn)能。

3、車用芯片荒緩解:消息稱臺(tái)積電歐洲建廠延后兩年,最快 2025 年才會(huì)開工

據(jù)報(bào)道,業(yè)界傳出,臺(tái)積電因考慮車用半導(dǎo)體供需不再嚴(yán)重吃緊,加上多數(shù)車用芯片客戶可轉(zhuǎn)至日本、美國(guó)等地新廠生產(chǎn),歐洲新廠因而延后建設(shè),最快 2025 年才會(huì)開工,比原預(yù)期延后約兩年。

臺(tái)積電今年 1 月舉行法說會(huì)時(shí)透露,正在與客戶及伙伴接洽,將根據(jù)客戶需求和各國(guó)政府的支持狀況,評(píng)估在歐洲建立專注于車用技術(shù)的特殊制程晶圓廠的可能性。對(duì)于傳出歐洲新廠腳步延后,臺(tái)積電表示,維持先前法說會(huì)上的看法,目前沒有更新的回應(yīng)。

4、小米汽車全新諜照曝光,車頭極長(zhǎng)

博主 @42 號(hào)車庫(kù) 曝光了小米汽車的全新諜照,該車現(xiàn)階段仍然處于重偽裝的工程測(cè)試車階段。從諜照中來看,該車的激光雷達(dá)大概率是采用瞭望塔式的布局。此外該博主認(rèn)為,小米汽車的車頭比大部分純電平臺(tái)車型要更長(zhǎng),猜測(cè)小米可能會(huì)選擇「混動(dòng) / 增程」以及「純電」的雙重動(dòng)力形式布局。

2 月 14 日,有媒體報(bào)道稱,小米汽車接近獲得新能源汽車生產(chǎn)資質(zhì)。對(duì)此,小米方面回應(yīng)稱,對(duì)此不予置評(píng)。據(jù)報(bào)道,非常熟悉小米的知情人士表示,“沒有拿到造車資質(zhì),也不可能馬上拿到。”該知情人士還稱,“目前看來都是不太可能的事,造車也不是一天兩天,一年兩年就能成的,距離拿到資質(zhì)還差很遠(yuǎn)。”

5、威馬汽車產(chǎn)能利用率僅12% 溫州工廠全線停擺

據(jù)報(bào)道,威馬溫州及黃岡兩座工廠總產(chǎn)能約25萬(wàn)輛,以威馬2022年汽車銷量不到3萬(wàn)輛估算,產(chǎn)能利用率僅12%,且溫州工廠目前明顯停擺。

該報(bào)道稱,威馬溫州基地目前幾乎沒有人,工廠前臺(tái)考勤表顯示,自2022年11月以來,工廠已處于半停工狀態(tài),特別是12月上半月,只有5天有員工打卡,每次一人,停留時(shí)間約半小時(shí)左右。該基地南門停車場(chǎng),幾百個(gè)車位只零星停放幾十輛還沒掛牌的威馬轎車及SUV,一些車輛明顯是庫(kù)存車。此前,威馬汽車先后耗費(fèi)巨資建成溫州、黃岡兩座生產(chǎn)基地。威馬聯(lián)合創(chuàng)始人杜立剛曾對(duì)外表示,過早對(duì)黃岡第二工廠投入的后果就是產(chǎn)能長(zhǎng)期閑置和資金空轉(zhuǎn),這給威馬帶來很大的資金負(fù)擔(dān)。

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新品技術(shù)

6、美新半導(dǎo)體發(fā)布新款A(yù)MR地磁傳感器MMC5616WA,全新升級(jí),滿足豐富的應(yīng)用場(chǎng)景

全球領(lǐng)先的慣性MEMS傳感器供應(yīng)商美新半導(dǎo)體發(fā)布新款A(yù)MR地磁傳感器MMC5616WA, 全新升級(jí)了美新大規(guī)模量產(chǎn)的超小尺寸AMR地磁傳感器MMC56x3系列,滿足包括智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、無人機(jī),AR/VR等在內(nèi)的豐富應(yīng)用場(chǎng)景。

隨著智能手機(jī)等便攜式設(shè)備的導(dǎo)航功能使用越來越頻繁,用戶對(duì)于設(shè)備的功耗要求也越來越高。為了滿足日益嚴(yán)苛的性能及功耗需求,美新MMC5616WA在秉承了AMR傳感器特有的高精度、低噪音、低溫漂等優(yōu)異性能的同時(shí),增加了16組的FIFO數(shù)據(jù)緩存,有利于在眾多應(yīng)用場(chǎng)景下大幅降低MCU喚醒頻次,相比目前市場(chǎng)主流產(chǎn)品,系統(tǒng)功耗可降低15-30倍。

7、聚焦5G基站等工控小型設(shè)備,佰維推出工業(yè)級(jí)寬溫內(nèi)存條

聚焦5G基站、邊緣計(jì)算、AI設(shè)備、車載應(yīng)用、工控安防等領(lǐng)域,越來越多的工業(yè)類應(yīng)用及設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)解決方案提出了更高要求:長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)高速運(yùn)算及嚴(yán)苛的運(yùn)作環(huán)境下,存儲(chǔ)產(chǎn)品必須擁有高穩(wěn)定性、高可靠性,也必須經(jīng)過適應(yīng)極端溫度變化、防塵、抗震動(dòng)、抗沖擊、抗硫化等種種考驗(yàn),從而保持高耐久度和長(zhǎng)使用壽命。近期,佰維推出工業(yè)級(jí)寬溫SODIMM內(nèi)存條,賦能嚴(yán)苛環(huán)境挑戰(zhàn)下的各種工業(yè)應(yīng)用。

佰維工業(yè)級(jí)寬溫DDR4 SODIMM (Small Outline DIMM)內(nèi)存模組符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì),使用高品質(zhì)原廠DRAM晶圓顆粒,經(jīng)嚴(yán)苛性能與可靠性測(cè)試,可在-40℃~85℃的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,速度可達(dá)3200Mbps,適用于各類小型工業(yè)電腦、監(jiān)控設(shè)備、自動(dòng)化與嵌入式系統(tǒng)等。

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投融資

8、前晨汽車獲超億元B+輪投資,聚焦新一代智能網(wǎng)聯(lián)新能源商用車

近日,前晨汽車宣布獲得蔚來資本超億元B+輪投資。本輪融資資金將主要用于輕卡及Van等車型的研發(fā)、量產(chǎn)和市場(chǎng)推廣,以及三電系統(tǒng)、智能網(wǎng)聯(lián)等核心技術(shù)的研發(fā)迭代,并加速整合供應(yīng)鏈,以及進(jìn)一步加速國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)拓展。

前晨汽車成立于2020年,致力于利用最前沿的智能網(wǎng)聯(lián)新能源商用車技術(shù)和全生命周期管理體系,提高客戶的整體盈利效率,驅(qū)動(dòng)城配場(chǎng)景下的物流產(chǎn)業(yè)變革,其核心管理團(tuán)隊(duì)成員來自NIO蔚來、上汽集團(tuán)、奇瑞汽車、沃爾沃卡車等車企。

9、美浦森半導(dǎo)體完成A+輪融資,系功率半導(dǎo)體廠商

近日,美浦森半導(dǎo)體完成A+輪融資,由卓源資本領(lǐng)投,本輪融資資金將進(jìn)一步用于產(chǎn)品迭代升級(jí)。

美浦森半導(dǎo)體成立于2014年,是一家硅高功率半導(dǎo)體MOSFET/IGBT廠商,核心主創(chuàng)團(tuán)隊(duì)來自于中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、美國(guó)AOS、韓國(guó)Power Devices等業(yè)內(nèi)知名廠家,擁有15年以上的功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)。

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