碳化硅二極管KN3D0210F

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

碳化硅二極管和碳化硅MOSFET都屬于碳化硅功率器件，屬于碳化硅電力電子器件，也就是我們現(xiàn)在說的第三代半導(dǎo)體，當(dāng)然第三代半導(dǎo)體還包括氮化鎵功率器件。現(xiàn)在我們這里只談碳化硅功率器件中的碳化硅二極管和碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈說明。

碳化硅二極管和碳化硅MOSFET 碳化硅半導(dǎo)體 碳化硅功率器件

為什么現(xiàn)在碳化硅二極管和碳化硅MOSFET越來越得到重視和應(yīng)用。不得不先講一下第三代半導(dǎo)體碳化硅原材料具備比第二代硅基半導(dǎo)體更多特性優(yōu)勢。第一代半導(dǎo)體以單元素硅Si、鍺Ge為主，具備儲(chǔ)量高、易于提純、絕緣性能好等特點(diǎn)，在集成電路領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵GaAs、磷化銦InP等化合物半導(dǎo)體為主，可用于制造高頻、高功率及光電子器件，廣泛應(yīng)用于通訊領(lǐng)域；第三代半導(dǎo)體以碳化硅SiC、氮化鎵GaN等寬禁帶化合物半導(dǎo)體主，具備耐高溫、耐高壓、抗輻射等特點(diǎn)，適合應(yīng)用于電力電子、微波射頻與光電等領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件具備熱導(dǎo)率(W/cm-K)耐高溫；臨界擊穿場強(qiáng)(MV/cm)耐高壓；介電常數(shù)(C^2/(N*M^2))高功率密度；禁帶寬度(eV)更高效；電子飽和漂移速率(10^7 cm/s)高頻。

了解了以上，現(xiàn)在我們就能非常清晰介紹一下SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET是怎么制造出來的，也就能詮釋SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹。

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠進(jìn)過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。

以上就是SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

審核編輯黃宇