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輸入電容對低頻特性的影響

CHANBAEK ? 來源:頭條號小川Engineer ? 作者:頭條號小川Engine ? 2023-02-25 10:26 ? 次閱讀

小川今天給大家介紹的是輸入電容對低頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。

仿真之前我們先看看影響放大器低頻特性的主要電容是:

1、輸入耦合電容Ci和輸入阻抗Ri: fT=1/2πRiCi

poYBAGP5cYaAC9XmAAAJ5alqMuM222.png

2、輸出耦合電容Co和負載阻抗RL: ft=1/2πRLCo

pYYBAGP5cY6AWr-YAAAK3q4d5vg823.png

poYBAGP5cZyAA9BKAAGMsba1nkk391.png

仿真前

poYBAGP5caeAUVQ_AAGNW2adnRs426.png

仿真中

poYBAGP5cbiAR8QiAAEXrpmtdUo385.png

波特圖

影響放大電路低頻特性的因素很多,比如受耦合電容 、及射極旁路電容的影響。本例測量輸入電容的影響。保持其他元件參數不變,僅輸入電容由10μF減為1μF。波特圖儀可以測量放大電路的頻率響應分幅頻特性和相頻特性。雙擊波特圖儀圖標,按下述要求調節:Mode區,選擇Magnitude;Horizontal區,選擇Log,F值為100MHz,I值為1Hz;Vertical區,選擇Log,F值為40dB,I值為-20dB。打開電源開關,就觀察到完整的幅頻特性曲線。拖動讀數指針在曲線中間部位,測量出中頻時的增益,再分別求出高、低端的-3db頻率點,測得 f(L)=48Hz。

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