基站中使用的功率放大器需要偏置才能獲得適當的RF性能。本文解釋了RF行業中普遍存在的兩類偏置，分析了它們的特性，并展示了現有IC的實現方式。

目前基站放大器的首選功率器件是橫向DMOS（LDMOS）MOSFET。本文用它來說明偏置技術。

射頻等級和偏置

RF電路中使用的LDMOS放大器表現出不同的 非線性度，取決于直流偏置電平 輸入射頻波形在其上行駛。也就是說，雖然 保持恒定的射頻門控信號，輸出 電流的（I外） 諧波含量隨直流偏置而變化 LDMOS器件的柵極（圖1）發生變化。這 LDMOS放大器電流的諧波含量為 很重要，因為在RF負載中，它會產生功率干擾 使用本地帶寬（帶內干擾）或 具有相鄰帶寬（帶外干擾）。

圖1.LDMOS器件選通顯示為不受控制的直流偏置。

當輸出電流走路時出現最佳線性度 輸入電壓-360°導通角。操作 MOSFET以這種方式（即A類操作）產生 與以任何其他方式偏置時相比，失真更少。 然而，從功耗的角度來看，A類 操作最不理想，因為它消耗最多 直流電流。

在高射頻功率下，給定標稱電源電壓 28V時，放大器中的直流功耗為 禁止。因此，射頻工程師使用 AB 類 在放大器鏈的最后階段偏置，而 在前面的階段中支持A類操作，其中 功耗小幾個數量級。在 AB 級，輸出電流不跟蹤 完全輸入電壓，從而影響放大器的導通 角度低于 360°。

AB 類射頻信號的失真更為顯著 比A類。這種失真的頻譜更廣 并且比A級人口更稠密。然而 AB 類功耗較低，因為平均值 進入放大器的電流較低。簡而言之，基礎 選擇給定類別的商用RF放大器是一個 線性度和效率之間的權衡。

偏置要求和LDMOS行為

偏置需要管理LDMOS中的直流分電含量 溫度和電源變化范圍內的電流。這 最終目標是確保放大器的RF增益， 以及其失真水平，在限制范圍內變化一致 有要求。在這方面，適當的偏置可以 輔助線性化技術以最大程度地減少失真。 控制LDMOS增益的方程為IOut= K （VGS- V千)2，其中 K 是電子引起的常數反射增益 移動性和V千是 FET 的閾值。K和V千與溫度相關。圖2中，LDMOS特性 在整個溫度范圍內顯示。在AB類， 設計人員傾向于將偏置操作在 增益為正溫度的交越區域 系數。在 A 類中，操作發生在 交叉區域。

圖2.LDMOS特性在整個溫度范圍內顯示。

控制 A 類和 AB 類偏置 DS1847

圖3所示為雙通道、溫控DS1847 控制LDMOS柵極的可變電阻 放大器。DS1847的內部溫度傳感器 為其查找表提供溫度讀數。這些 查找表可調整 IC 的兩個 256 位變量 電阻，使放大器的柵極接收適當的偏置 電壓。用戶對查找表進行編程以生成 恒定的LDMOS放大器輸出電流。指 圖 2（或制造商特定的數據曲線）為 低密度計特征。通過使用兩個電阻器 衰減基準電壓，對溫度不敏感 電壓保持不變。

圖3.DS1847為雙通道、溫控可變電阻，用于控制LDMOS放大器的柵極。

審核編輯：郭婷