近兩年的壓電應(yīng)用越來越廣(消費(fèi)電子和健康醫(yī)療應(yīng)用),被動(dòng)器件壓電片得以優(yōu)化和提升,所以壓電驅(qū)動(dòng)IC的需求也越來越多。這篇文章主要基于DRV2667EVM(集成RAM,支持I2C、PWM/analog 輸入)來指導(dǎo)如何快速方便協(xié)助客戶開展相關(guān)評估和驗(yàn)證。
1. DRV2667EVM 測試臺搭建
將 DRV2667 連接到計(jì)算機(jī)需要 USB2ANY。即將 USB2ANY 的SDA、SCL 和 GND連接到DVR2667EVM上對應(yīng)的3個(gè)引腳上。USB2ANY 連接到 DRV2667EVM 和PC計(jì)算機(jī),用戶必須按HCC 界面 “Connect”開始,再通過 GUI 控制他們的設(shè)備。
對于GUI HCC(Haptic Control Console)軟件調(diào)試, USB2ANY默認(rèn)的code是不能連接HCC的。
1.2 EVM配置
1.2.1 BOOST電壓配置
對應(yīng)容性負(fù)載應(yīng)用(如Piezo),如果需要比較高的BOOST輸出電壓,可以把EVM的對應(yīng)BOOST電壓配置上去,避免出現(xiàn)削波和嘯叫問題。如下是對應(yīng)增益和模擬電壓輸出關(guān)系:
28.8 dB, 50 Vpp
34.8 dB, 100 Vpp
38.4 dB, 150 Vpp
40.7 dB, 200 Vpp
以200Vpp輸出為例,具體EVM操作如下:
1)長按(+) 按鍵,直到所有LEDs 閃爍
2)重復(fù)第一步
3)不斷按壓 (+) ,直到M0, M1, M2三個(gè)LEDs燈常亮,注意此處不是長按
4) 按壓 B4 (這里需要注意的是,B4將電壓提高以后會(huì)導(dǎo)致板子靜態(tài)電容noise變大,可以通過寄存器配置,讓器件在靜態(tài)下進(jìn)入standby模式即可降低噪聲)
此時(shí),EVM的處于最大BOOST輸出電壓為105V 和40 dB 增益狀態(tài),可以再通過調(diào)節(jié)增益來控制輸出的Vpp 大小。
Figure 3. 淺藍(lán)色為BOOST電壓(105V),紅色為Vpp, (約8nF電容負(fù)載)
1.3 HCC配置
DRV2667共有3個(gè)工作模式可供選擇:內(nèi)部觸發(fā)(Internal Trigger)、外部模擬(External Analog Input)和 FIFO Playback。在外部模擬模式下,波形必須輸入到設(shè)備,EVM可以通過3.5mm音頻線從外部設(shè)配提供信號輸入(如Figure 1.)。
Figure 4. DRV2667的Front-End Interface
在 FIFO playback模式下,用戶可以通過調(diào)整設(shè)置來控制設(shè)備,相對簡單。 為了操作內(nèi)部觸發(fā) RAM 模式,用戶必須使用 RAM 管理器上傳波形,這里介紹一下internal trigger的操作方式:
1) 如下Figure 5,在Console界面選擇“Internal Trigger” ;然后再在工具欄Tools 里選擇“RAM Manager”=》“Advanced” =》“WaveSynthesizer”
Figure 5. DRV2667EVM 連接圖
2) Waveform波形編輯和RAM 存儲
如Figure 6的“1”~“7”,我們可以編輯對應(yīng)所需要的波形和振動(dòng)時(shí)間(頻率、幅值、單次振動(dòng)時(shí)長、重復(fù)振動(dòng)次數(shù))。
Figure 6. RAM波形制作
審核編輯:郭婷
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