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如何為ATE應(yīng)用創(chuàng)建具有拉電流和灌電流功能的雙輸出電壓軌

analog_devices ? 來源:未知 ? 2023-03-17 13:20 ? 次閱讀

本文詳細(xì)介紹一種創(chuàng)建雙輸出電壓軌的方法,該方法能為設(shè)備電源(DPS)提供正負(fù)電壓軌,并且只需要一個雙向電源。傳統(tǒng)的設(shè)備電源供電方法使用兩個雙向(拉電流和灌電流能力)電源,一個為正電壓軌供電,一個為負(fù)電壓軌供電。這種配置不但笨重,且成本高昂。

DPS一般與自動測試設(shè)備(ATE)和其他測量設(shè)備搭配使用。ATE是一種電腦控制機械設(shè)備,自動驅(qū)動傳統(tǒng)的手動電子測試設(shè)備來評估功能、質(zhì)量、性能和應(yīng)力測試。這些ATE需要配套的DPS提供四象限電源運行能力。DPS是一種四象限電源,可以提供正電壓或負(fù)電壓,同時具備拉電流和灌電流能力。要使用DPS為更大電流的應(yīng)用供電,需要將多個DPS設(shè)備組合在一起,以提高解決方案的電流容量。DPS可以提供拉電流和獲取灌電流,所以DPS的電源必須具備同樣的功能。采用雙輸出電壓軌設(shè)計旨在將所需的雙向電源的數(shù)量減少至一個,同時仍然為DPS提供正負(fù)雙向電源。構(gòu)建雙向正電源非常簡單,可以使用市面上提供拉電流和灌電流的多種IC實現(xiàn)。問題在于根據(jù)受測設(shè)備(DUT)的要求,負(fù)電源也需要具有拉電流和灌電流能力。一種解決方案是使用雙向降壓IC,該IC可以配置用作反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。例如 LTC3871,這是一個雙向降壓或升壓控制器,可用于正電壓軌和負(fù)電壓軌。

1 使用降壓IC設(shè)計反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

圖1顯示了降壓轉(zhuǎn)換器的簡化原理示意圖。該轉(zhuǎn)換器獲取正電壓輸入,然后輸出幅度更低的正電壓。圖2顯示了一個反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器,它獲取正電壓輸出,然后輸出幅度更小或更大的負(fù)電壓。如圖3所示,可以按照以下步驟,將降壓拓?fù)滢D(zhuǎn)換為反相降壓-升壓拓?fù)洌?/span>

  • 將降壓轉(zhuǎn)換器的正電壓輸出轉(zhuǎn)換為系統(tǒng)地

  • 將降壓轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)地轉(zhuǎn)換為負(fù)電壓輸出節(jié)點

  • 在降壓轉(zhuǎn)換器的VIN和正電壓輸出之間施加輸入電壓

圖4顯示了將降壓IC轉(zhuǎn)換為反相降壓-升壓配置的簡化原理圖。

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圖1.降壓轉(zhuǎn)換器。

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圖2.反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。

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圖3.將降壓轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為反相降壓-升壓配置。

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圖4.反相降壓-升壓拓?fù)渲惺褂玫慕祲篒C。

2 轉(zhuǎn)換降壓IC的工作原理

拉電流

圖5顯示反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的波形,以及提供拉電流時的電流路徑。圖5a顯示控制MOSFET導(dǎo)通時轉(zhuǎn)換器中的電流流動。圖5c顯示控制MOSFET中的電流流動,其平均值為輸入電流。在這段時間內(nèi),電感開始儲存電能,使電流升高,輸出電容為負(fù)載供電。在此期間,電感電壓等于輸入電壓。

當(dāng)control MOSFET關(guān)斷后,sync MOSFET導(dǎo)通,圖5b顯示sync MOSFET中的電流流動。輸出電流是sync MOSFET的平均電流,電感電壓等于輸出電壓。當(dāng)電感開始為負(fù)載和電容器供電時,其電流開始下降。每個開關(guān)周期都如此重復(fù)。

轉(zhuǎn)換器反饋控制脈寬調(diào)制(PWM),將輸出電壓調(diào)節(jié)至分壓電阻設(shè)置的所需電平。公式1顯示了輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系。

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其中

  • VOUT=輸出電壓

  • VIN=輸入電壓

  • D =占空比

  • η = 系統(tǒng)效率

占空比大于50%時,輸出電壓大于輸入電壓,占空比小于50%時,輸出電壓小于輸入電壓。

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圖5.(a)導(dǎo)通期間的電流流動,(b)關(guān)斷期間的電流流動,(c)流經(jīng)頂部/控制MOSFET的電流,(d)流經(jīng)底部/sync MOSFET的電流,(e)電感電壓。

灌電流

轉(zhuǎn)換器開始獲取灌電流時,電流從輸出流向輸入,如圖6a和6b所示。圖6c和6d分別顯示了電流流經(jīng)控制MOSFET和sync MOSFET的過程。由于轉(zhuǎn)換器正在獲取灌電流,所以負(fù)電流會流經(jīng)MOSFET。測試結(jié)果部分顯示了獲取灌電流期間的負(fù)電感電流。

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圖6.(a)導(dǎo)通期間的電流流動,(b)關(guān)斷期間的電流流動,(c)流經(jīng)頂部/控制MOSFET的電流,(d)流經(jīng)底部/sync MOSFET的電流。

3 測試結(jié)果

圖7顯示用于測試設(shè)計的拉灌電流和灌拉電流能力的實際設(shè)置。圖8顯示了該設(shè)置的框圖。雙向直流電源用作VPOS的電源,處于CV模式。另一個直流電源連接至VNEG的輸出。此直流電源控制流入系統(tǒng)的電流量。阻塞二極管與該直流電源串聯(lián),確保轉(zhuǎn)換器提供拉電流時不會有電流流入轉(zhuǎn)換器。電子負(fù)載用作初始負(fù)載,以表明系統(tǒng)能夠從提供拉電流轉(zhuǎn)換為獲取灌電流,反之亦然。

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圖7.用于進行拉灌電流測試的電路板設(shè)置。

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圖8.該測試板電路設(shè)置的框圖。

捕捉到的波形如圖9所示。直流電源開啟后,VNEG電壓軌開始獲取灌電流。從電感電流波形可以看出,它從正電流轉(zhuǎn)為負(fù)電流。在VNEG獲取灌電流時,系統(tǒng)在此條件下保持開環(huán),拉灌電流由外部直流電源的CC模式控制。圖10所示的VPOS也是如此。連接至其輸出的直流電電源開啟后,VPOS電壓軌開始獲取灌電流。

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圖9.VNEG拉電流向灌電流轉(zhuǎn)變(+1 A至–20 A)。

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圖10.VPOS拉電流向灌電流轉(zhuǎn)變(+1 A至–20 A)。

捕捉到的波形如圖11所示,展示了系統(tǒng)從拉電流向灌電流轉(zhuǎn)變的行為。從電感電流可以看出,它從負(fù)電流轉(zhuǎn)為正電流。這表明停止向VNEG施加DC電壓之后,電流重新轉(zhuǎn)變?yōu)槔娏鳌D12所示的VPOS電源軌也是如此。

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圖11.VNEG灌電流向拉電流轉(zhuǎn)變(-20 A至+1 A)。

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圖12.VPOS灌電流向拉電流轉(zhuǎn)變(-20 A至+1 A)

4 結(jié)論

雙輸出電壓軌能夠進行VPOS和VNEG雙向供電,所以減少了所需的設(shè)備數(shù)量。因為灌入一個電源軌的電流可用于為另一個電源軌供電,使得主電源拉取的電流減少,所以其效率更高。該設(shè)計還有另一個優(yōu)勢,即在設(shè)計雙向反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器時,可供選擇的IC會更多。

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原文標(biāo)題:如何為ATE應(yīng)用創(chuàng)建具有拉電流和灌電流功能的雙輸出電壓軌

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