如圖19所示，當上管關斷后，在上管的驅動Vg1上出現一個電壓尖峰，當死區時間減少，下管ZVS開通不完全時，這個電壓尖峰會更大，從圖20可以看出這個尖峰出現的時刻和Vds1下降的時間是吻合的。

圖19 上管關斷時Vg1的電壓尖峰

圖20 上管關斷時Vg1和Vds1波形

我們將模塊上下管用其結構示意圖來表示，功率管的D，S極都存在引線電感，而且還有PCB板引入的到S腳的引線電感，我們測試時，測試到的是G1和S1間的電壓差Vgs1。

當上管關斷時，HO為低電平（驅動電路見圖1），Cgs1通過Q305組成的電路放電（等效電阻ZG1S），放到門限電壓時，MOSFET關斷，此時上下管開始換流，電流 i1減少，i2增加，電感的電流方向如圖所示，電容Cds1開始充電，Vds1上升；Cgd1，Cgs1，以及G1到S的驅動阻抗ZG1S，L2，L3組成的電路也開始對Cgd1，充電，所以Cgs1電壓開始上升， 測試到的電壓

（引線電感的電壓上正下負為正方向），

如果由于死區時間的減少，造成下管不能完全的ZVS開通，在下管開通的瞬間，就會有一個較大的沖擊電流流過Q1和Q2的極間電容和引線電感，在Cgs1行成一個更高的密勒平臺，同時在引線電感L2，L3上造成一個上正下負的電壓降，這個電壓降疊加在密勒平臺上，使驅動VG1S1的電壓尖峰更高。

同時：也可以看到，

，如果驅動阻抗越大，VG1S就越大，測試到的電壓尖峰也就越大，引線電感L3越大，測試到的電壓尖峰也會越大。而功率管是否會導通取決于Cgs1

的電壓和持續的時間：

從上面的公式可以看出，如果能讓上管關斷時

盡可能的減少，就可以降低功率管導通的風險，同時盡量減少功率管G，D之間的耦合電容也可以減少Cgs1上的電壓。

圖21 半橋電路上下管結構示意圖