多數氣體分子在近紅外波段（0.8~2.5 μm）和中紅外波段（2.5~20 μm）具有指紋吸收譜線，基于紅外光譜法的氣體檢測技術具有選擇性好、響應速度快等顯著優點，在醫療衛生、環境監測等領域應用廣泛。在過去的20年里，基于紅外吸收光譜的片上氣體傳感器被廣泛研究，實現了由理論到實驗、由分立到集成的轉變。

片上氣體傳感器通過消逝場進行傳感，體積小、便攜、成本低。在單個芯片上集成激光器和探測器后，環境振動的影響可以被忽略，無需調節光路耦合。此外，光波導氣體傳感器是免標記的，而且其他的物理效應易與波導傳感器結合。

據麥姆斯咨詢報道，近期，吉林大學、吉林省紅外氣體傳感技術工程研究中心與中國科學院長春光學精密機械與物理研究所的聯合科研團隊在《光子學報》期刊上發表了以“片上紅外氣體傳感技術的研究進展（特邀）”為主題的文章。該文章第一作者為皮明權，通訊作者為鄭傳濤教授，主要從事紅外激光光譜氣體傳感系統與應用方面的研究工作。

本文關注基于紅外吸收光譜的片上氣體傳感器。首先，介紹了基于紅外吸收光譜的片上氣體傳感器的傳感方法；然后介紹了不同的波導材料和波導結構；然后介紹了片上氣體傳感器的發展現狀；最后對基于紅外吸收光譜的片上氣體傳感器的應用和發展方向做出了分析和總結。

片上氣體傳感方法

在傳感時，氣體分析物成為了波導的包層。部分光沒有被限制在芯層中，被稱為消逝場，并且分析物包層中的光與分析物相互作用。以矩形波導為例，矩形波導的上包層為氣體，即氣體既是包層材料，又是分析物，矩形波導的下包層為固體材料，上包層和下包層共同對芯層的光產生限制作用，準TE ?模式波導的光場分布如圖1（a）所示，在xy平面和yz平面的波導消逝場分布如圖1（b）和（c）所示。不同濃度分析物的折射率和消光系數影響了波導模式的有效折射率（Neff）和輸出強度。

圖1 波導的光場分布和消逝場分布

已報道的基于紅外吸收光譜的片上氣體傳感器的傳感方法有直接吸收光譜（DAS）、波長調制光譜（WMS）和微腔增強吸收光譜（MCEAS）。其他常用的片上傳感方法是折射率傳感，根據諧振峰或干涉峰隨不同濃度分析物的紅移或藍移測定分析物，通過游標效應可以有效提高折射率傳感器的靈敏度，但是折射率傳感不具有選擇性，傳感器會對具有不同折射率的待測物產生響應。

DAS是最常用的片上氣體傳感方法，其檢測原理為朗伯-比爾定律。DAS技術通過檢測有無待測物時波導輸出光強的變化來檢測待測物的濃度，圖2（a）中，使用DAS技術檢測待測物時，根據光強的變化直接獲得吸光度。除了具有光程小的缺點，與基于分立單元的氣體傳感器相比，傳感波導具有損耗，影響了輸出光強的幅值，降低了信噪比。此外，分立式氣體傳感器利用自由空間光進行傳感，所以分立傳感系統的ECF為1，而片上氣體傳感器利用波導的消逝場進行傳感，ECF一般小于1，這限制了吸收。

除了圖2（a）中展示的矩形波導結構，具有慢光效應和表面增強紅外吸收效應的波導也可以用于DAS傳感。慢光效應通過增加ng來提高光與氣體的相互作用效果，用于慢光傳感的結構有亞波長光柵和光子晶體波導。通過在光子晶體波導中引入缺陷可以讓光在某一路徑中傳輸，與光子晶體波導相比，亞波長光柵的光柵周期可以隨著波長的增加而增加，亞波長光柵的損耗低并且更容易制備。表面增強紅外吸收效應利用波導表面粗糙的金屬結構產生共振來增強吸收，但是金屬結構會增加波導損耗。

圖2 不同片上傳感技術的光譜響應

與DAS技術相比，WMS技術可以抑制噪聲（例如1/f噪聲），提高片上氣體傳感器的性能。WMS技術在激光器驅動信號中疊加高頻正弦波，通過鎖相放大器對吸收信號進行解調，提取二次諧波，圖2（b）中表示使用WMS技術檢測待測物時，可以根據二次諧波幅度的大小得到氣體濃度。與DAS技術類似，與基于分立傳感系統的WMS技術相比，傳感波導的損耗會降低光功率，從而降低二次諧波的幅度，影響信噪比。

MCEAS技術利用環形諧振器（圖2（c））對氣體進行檢測，耦合進入微腔中的光通過諧振使光程增加，通過檢測諧振峰光強或者品質因數來獲取氣體濃度。當檢測光強變化時，原理與DAS一樣；當檢測品質因數時，隨著分析物濃度的增大，品質因數會降低。與CEAS技術相比，MCEAS技術中的波導微腔對應了CEAS技術中的具有高反射率透鏡的諧振腔，環形波導與直波導耦合處的振幅傳輸系數和振幅透射系數分別對應了CEAS技術中的透鏡反射率和透射率，波導的損耗也會限制MCEAS技術的性能。

片上氣體傳感器

通常，αint、ECF和L這三個參數共同影響片上傳感器的性能。研究片上傳感器的主要目標是降低檢測下限，這決定了它的應用前景。提高片上氣體傳感器性能的五個關鍵問題是：1）選擇合適的芯層和包層材料，降低器件在工作波長的吸收損耗；2）選擇和優化波導結構，提高ECF；3）考慮制備工藝的可行性和成本；4）根據αint選擇合適的L，提高信噪比；5）選擇合適的光譜傳感技術。

波導材料

當選擇波導材料時，需要滿足以下條件：1）波導材料應該在傳感波長范圍透明來減少材料的吸收損耗；2）芯層和包層的折射率差應該盡可能大，減小包層材料的折射率可以減少分布在包層和襯底的光，當芯層和包層的折射率差較大時，減小芯層的尺寸可以使更多的光分布在分析物包層中來獲得大的ECF并滿足導模條件；3）芯層材料的制備工藝需要與包層材料的性質兼容，例如，除了二氧化硅（SiO?）外，難以制備晶體硅（Si）或將其鍵合在其他材料上。

常用的波導材料及其紅外光學特性見表1。中紅外波段的αgas比近紅外波段大，在相同光程下，中紅外氣體傳感器性能更好。絕緣體上的硅（SOI）波導不適合用于中紅外傳感，因為SiO?在中紅外波段的吸收損耗更大。氮化物上的硅（SON）波導和藍寶石上的硅（SOS）波導吸收損耗很小。除了Si以外，鍺（Ge）和硫系玻璃（ChG）在中紅外波段具有較大的折射率，適合作為波導芯層。ChG主要包括硫族元素硫（S）、硒（Se）和碲（Te），還包括砷（As）、鎵（Ga）、銻（Sb）和Ge等元素。

由于ChG的轉化溫度低（150~500℃），因此除了刻蝕方法，ChG波導也可以使用剝離法制備，不會破壞光刻膠掩模的結構。通過改變ChG成分可以獲得不同的光學特性，其中碲化物玻璃的透明波長可以達到20μm。根據波導導模的條件，表1中折射率比ChG低的材料都可以作為ChG波導的下包層材料。ChG上的ChG（COC）波導和CaF?上的ChG（COF）波導都被提出用于中紅外傳感。雖然SiO?不適合應用在中紅外波段，但是其折射率低，適合作為近紅外波導的下包層材料，SiO?上的ChG（COO）波導，SOI波導和SiO?上的Si?N?（NOO）波導都被用于近紅外氣體傳感。

表1 常用的波導材料及其紅外光學特性

波導結構

波導結構影響ECF，所以選擇并優化波導結構很重要。在常規波導結構中，常用的消逝場傳感波導結構如圖3所示。最常用的結構為矩形和脊型結構，分別如圖3（a）和（b）所示。自下向上，波導的各介質層依次為襯底、下包層、芯層，其余部分為氣體包層。由于大部分光被限制在矩形波導和脊型波導的芯層中，導致ECF較小。狹縫波導限制光在狹縫中傳輸，可以獲得更大的ECF，豎直狹縫的結構如圖3（c）所示。但是豎直狹縫波導的狹縫區域需要通過干法刻蝕獲得，使狹縫區域的側壁粗糙，狹縫對光的限制使散射損耗高于矩形波導和脊型波導。

此外，狹縫區域的寬度一般在100 nm左右，對光刻和刻蝕工藝有較高的要求。在考慮散射損耗后，TM模式的SOI矩形波導的性能比SOI豎直狹縫波導的性能高3倍。水平狹縫波導可以通過濕法刻蝕制備，結構如圖3（d）所示，狹縫區域的側壁相對于豎直狹縫波導更光滑，所以具有更小的散射損耗。以上波導均為非懸浮結構的波導，有一部分光被限制在下包層中，限制了ECF。基座波導為半懸浮結構的波導，可以通過刻蝕芯層底部進行制備，結構如圖3（e）所示。基座波導通過基座結構支撐芯層，去除基座區域就可以充分利用下包層進行傳感，這是懸浮波導的優勢，其結構如圖3（f）所示，最常見的懸浮波導的芯層結構是脊形結構，通過芯層兩側未刻蝕的下包層進行支撐。

圖3 消逝場傳感波導結構

一般情況下，傳感波導的長度可大于1 cm。如果波導的結構是直波導，器件的尺寸會變得更大。為了減小直波導在光傳播方向的尺寸，可采用彎曲波導和螺旋波導，結構分別如圖4（a）和（b）所示。這時，需要考慮彎曲損耗的影響，對于SOI波導，考慮彎曲損耗時，彎曲半徑可以<50 μm，而且1 m長的波導可以制備到1 cm2的區域。TOMBEZ L等提出了SOI彎曲波導氣體傳感器，傳感波導長度為10 cm，器件的尺寸為16 mm2。HAN Z等和LIU Qiankun等提出的COO螺旋波導傳感器和SiGe螺旋波導傳感器的最小半徑分別為100 μm和600 μm。當半徑大于70 μm時，COC波導的彎曲損耗可以忽略。綜上所述，不同材料體系的波導傳感器的彎曲半徑應至少大于50 μm。

圖4 彎曲波導和螺旋波導結構

除了常規結構的波導外，具有慢光效應的波導結構也可以應用于氣體檢測，慢光效應通過增加ng并減小群速度來提高ECF，增強光與分析物的作用。用于慢光傳感的亞波長光柵和光子晶體波導的結構分別如圖5（a）和（b）所示，亞波長光柵為一維光子晶體結構，光子晶體波導為二維光子晶體結構。通過在光子晶體波導中引入缺陷可以讓光在某一路徑中傳輸。與傳統的狹縫波導類似，狹縫光子晶體波導將光限制在狹縫中，結構如圖5（c）所示。狹縫亞波長光柵將狹縫結構引入亞波長光柵來提高傳感性能，狹縫亞波長光柵的結構如圖5（d）所示。與常規波導一樣，懸浮結構也可以用于具有慢光效應的波導，懸浮亞波長光柵和懸浮狹縫光子晶體波導的結構分別如圖5（e）和（f）所示。與光子晶體波導相比，亞波長光柵的損耗較低并且更容易制備，因為亞波長光柵的光柵周期可以隨著波長的增加而增加。

圖5 具有慢光效應的波導結構

片上氣體傳感器的理論設計

在制備片上氣體傳感器前，需要通過理論設計來優化結構，并提高傳感器的性能。

與脊形波導相比，矩形波導的制備工藝更簡單，而且兩種結構性能相近，所以矩形波導的理論研究工作和實驗工作更多。矩形波導的結構較其他波導的結構最為簡單，所以國內外的研究工作偏向于對不同材料體系和不同工作波長的矩形波導進行設計分析，工作波長多為中紅外，難以在波導結構上進行改進。DAS技術通過光強的變化分析待測物的濃度，原理較其他技術簡單，所以被廣泛用于片上氣體傳感器的理論設計和實驗中。使用多孔材料可以有效提高矩形波導的傳感性能，孔中分布的氣體也可以和光相互作用。

與矩形波導氣體傳感器的研究進展類似，早期人們對狹縫波導氣體傳感器的研究工作主要是針對不同材料和不同工作波長進行的。除了材料體系和工作波長的改變，其他新穎的具有更好性能的狹縫波導結構被提出，傳感波導的結構不再局限于傳統的狹縫波導。

基于紅外吸收光譜的微環諧振器氣體傳感器的理論研究工作較少。

光子晶體波導傳感器的結構較矩形波導傳感器和狹縫波導傳感器的結構更為復雜，更容易在結構上進行改進以獲得更好的性能，但是其制備難度更大，SOI器件的制備工藝較其他材料體系的器件更為成熟，所以在設計優化光子晶體波導傳感器時，一般使用SOI平臺。光子晶體波導中nm量級尺寸的微結構對制備工藝要求極高，所以人們開始對相對容易制備的亞波長光柵氣體傳感器進行理論研究。盡管亞波長光柵被提出用于折射率傳感，但是并沒有使用慢光效應。

片上氣體傳感器的實驗進展

早期，人們主要研究了非集成的矩形波導氣體傳感器，并使用DAS技術進行氣體傳感實驗。2017年，TOMBEZ L等使用了一個長為10 cm的SOI彎曲矩形波導用于1651 nm波長處的CH?傳感，如圖6（a）所示。之后，矩形波導開始逐漸與光源、探測器集成，并用于氣體傳感。2019年，ZHANG E J等制備了用于1651 nm波長處CH?傳感的光子集成芯片，如圖7（a）所示，光子集成芯片包含了外腔激光器、SOI傳感波導、用于實時校準的密封了CH?的氣室和探測器，波導傳感外殼由透氣膜包裹，這避免了灰塵污染，20 cm長的波導在積分時間小于1 s時的LoD<100 ppm，光子集成芯片傳感器可用于配置無線傳感器網絡。另外，具有吸附氣體的功能材料也可以用于光波導氣體檢測。除了DAS技術外，WMS技術和表面增強紅外吸收（SEIRA）光譜技術也開始應用于片上氣體傳感。

圖6 非集成的光波導氣體傳感器

圖7 全集成的片上氣體傳感平臺

懸浮波導的氣體傳感實驗進展比矩形波導晚，因為其制備工藝難度更大。2020年，OTTONELLO-BRIANO F等制備了SOI懸浮矩形波導用于4.24 μm的CO?傳感2021年，VLK M等制備了芯層為Ta?O?的懸浮脊形波導用于2.566 μm的C?H?傳感，如圖6（b）所示。

微環諧振器氣體傳感器的研究工作主要針對化學蒸汽或氣溶膠，因為其吸收峰足夠寬，不需要考慮氣體吸收峰和微腔諧振峰的對齊問題，降低了對器件的要求。

2011年，LAI Weicheng等使用SOI孔狀光子晶體狹縫波導傳感器在~1.66 μm波長處檢測了CH?氣體，如圖6（d）所示。之后光子晶體波導傳感器的實驗工作也開始結合懸浮結構來增強光與氣體的作用效果，并用于化學蒸汽傳感。

總結與展望

基于紅外吸收光譜的集成光子氣體傳感器在痕量氣體傳感中具有重要意義。在本文中，總結了基于紅外吸收光譜的片上氣體傳感器的最新進展。闡述了片上氣體傳感方法、用于傳感的波導材料體系、波導結構對性能的影響、片上氣體傳感的理論進展和實驗進展。在傳感理論和實驗進展中，介紹了矩形波導、懸浮波導、微環諧振器和光子晶體波導在片上氣體傳感領域的發展現狀。

目前，全集成的片上傳感器已經被報道，所以片上氣體傳感器在實際應用中具有可行性，但是片上氣體傳感器仍然存在著許多科學問題，直接影響了傳感器的性能，仍有很大的發展空間。

1）片上氣體傳感最大的優勢是小型化，但是光源、傳感波導和探測器的單片集成技術仍有待發展，這限制了片上氣體傳感器的應用，此外，還需要傳感波導的材料體系和制備工藝與光源和探測器兼容。

2）可以使用新型紅外透明材料制備光波導，降低材料的吸收損耗。

3）片上氣體傳感器的長度也限制了靈敏度，可以通過其他的物理效應增強傳感器的靈敏度，例如表面增強紅外吸收效應、光熱效應和吸附效應，但是這也會引入新的問題：表面增強紅外吸收效應會提高波導的損耗，光熱效應會增加器件的復雜度，吸附效應會增加傳感器的響應時間。所以，需要同時考慮物理效應帶來的負面影響在實際應用中是否可以接受。

4）光波導的結構直接影響了外限制因子的大小，需要在滿足單片集成和具有較大外限制因子的前提下盡可能的降低工藝難度，以實現大批量生產。

5）先進的傳感技術（例如，波長調制光譜技術和光熱干涉光譜技術）可以降低傳感器的噪聲水平并提高靈敏度，但是這也引入了更多的電學模塊，所以同時需要考慮信號處理單元等電學模塊的芯片化，以實現傳感系統的小型化。

審核編輯：劉清