集成隔離電源isoPower ?的iCoupler?數(shù)字隔離器采用隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器，可在125 MHz至200 MHz的頻率范圍內(nèi)切換相對較大的電流。在這些高頻下工作會引起對輻射發(fā)射和傳導(dǎo)噪聲的擔(dān)憂。通過電路優(yōu)化（降低負載電流和電源電壓）和使用與平面間PCB電容實現(xiàn)的交叉勢壘旁路電容，可以實際降低大于25 dB的峰值輻射。

但是，如果您在設(shè)計中有多個isoPower器件并且布局非常密集，會發(fā)生什么？您還能實現(xiàn)有意義的輻射排放減少嗎？本說明旨在提供一些一般準則來幫助您處理這種情況。

由于可以構(gòu)建低電感結(jié)構(gòu)，平面間拼接電容被證明提供了最大的優(yōu)勢。在整體PCB面積有限的情況下， 多層是您的朋友.盡可能多地使用層，并盡可能多地重疊電源層和接地層（參考層）。圖 1 顯示了一個示例堆疊。

圖1.示例 PCB 層堆疊。

埋地層（初級側(cè)的 3 和 4，次級側(cè)的 2 到 5）承載功率和接地電流。屏障上的重疊（例如，初級側(cè)的第4層GND和次級側(cè)的第3層V Iso之間）會產(chǎn)生所需的旁路電容。多層PCB堆疊可以產(chǎn)生多個重疊，從而增加總電容。減小參考平面之間PCB介電材料的厚度以最大化電容也很重要。

另一個布局技巧是重疊相鄰 iso電源通道的平面。圖2顯示了具有四個相鄰?fù)ǖ赖氖纠?/p>

圖2.四個相鄰?fù)ǖ溃哂兄丿B的旁路電容。

在本例中，每個輸出域都與其他輸出域隔離，但我們?nèi)匀豢梢岳靡恍┲丿B電容。圖3顯示了堆疊，說明了每個isoPower器件看到的電容增加以及連接相鄰隔離區(qū)域的情況。

圖3.四個相鄰?fù)ǖ溃哂兄丿B的旁路電容。

您必須確保根據(jù)最終應(yīng)用滿足外部和內(nèi)部間隙要求。使用鐵氧體磁珠對任何電纜連接進行濾波也很有用，以減少可能輻射的天線效應(yīng)。

總結(jié)：

將每個通道的功率要求降至最低

在多個 PCB 層上創(chuàng)建拼接

盡可能多地使用PCB層

在參考平面之間盡可能使用最薄的電介質(zhì)

相鄰域之間的耦合

確保仍滿足內(nèi)部和外部爬電距離要求

對任何電纜連接提供過濾

審核編輯：郭婷