所有功率級設計者期望在開關節點看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開關損耗，而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應力。

采用TI的GaN技術設計，圖1a所示的功率級開關節點波形真的引人矚目。其在120V / ns轉換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過沖。

圖1：TI 600V半橋功率級——開關波形（a）；設備封裝（b）；半橋板圖（c）。

GaN FET具有低端子電容，因而可快速切換。然而，當GaN半橋在高di / dt條件下切換時，功率環電感在高壓總線和開關節點處引入振鈴/過沖。這限制了GaN FET的快速切換功能。

由于引線長且封裝為大尺寸，傳統的功率封裝通常具有來自引線和接合線的高電感。在含鉛封裝中已觀察到高達幾百伏的過沖。減少過沖的關鍵是最小化功率環電感。

為了降低引線電感，TI以表面貼裝四方扁平無引線（QFN）封裝提供單通道GaN功率級產品。如圖1b所示，TI設計功率回路和柵極回路，使得QFN內部具有低電感。如圖1c所示，TI的GaN半橋評估模塊（EVM）將高側和低側設備和總線電容器緊靠一起，并立即在設備正下方的板層返回電源回路。這使得功率回路的尺寸最小化，從而保持低回路電感。

TI的先進封裝和電路板設計將功率環電感降至幾納亨。這種低電感設計與優化的驅動器集成，使得LMG3410能夠在轉換速率> 100V / ns及過沖小于10％的條件下進行切換。您可使用LMG3410設計電源轉換器，進行快速切換，以提高效率，具有低壓過沖，并可減少電磁干擾（EMI）。

TI的LMG3410 GaN功率級使得電源設計人員能夠開發更高密度和更高效率的電源。與具有過流和過溫保護的集成驅動器相結合，此設備在高轉換速率下能夠執行可靠切換，可簡化您開發業界領先的電源解決方案的工作。

審核編輯：郭婷