哪個含硅量更高:一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產品?坐在沙灘椅上,看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸,我的腦海中反復縈繞著這個問題。TI的F3 FemtoFET,聲稱其產品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm(見圖1),但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚的沙礫。
圖1:F3 FemtoFET組合尺寸
加入下表包括超低容量產品CSD15380F3在內的FemtoFET產品組合,。
部件編號 | N/P | Vds | Vgs | Id Cont. (A) | 典型的導通電阻 (mohm) | 輸入電容 (pF) | ||
4.5V | 2.5V | 1.8V | ||||||
CSD15380F3 | N | 20 | 10 | 0.5 | 1170 | 2200 | x | 8.1 |
CSD25480F3 | P | 20 | 12 | 1.7 | 132 | 203 | 420 | 119 |
CSD23280F3 | P | 12 | 6 | 1.8 | 97 | 129 | 180 | 180 |
表1 F3 FemtoFETs
體積如此之小的設備,一個關鍵的考慮點是如何使用表面裝配技術(SMT)將FemtoFET與面板連接。設備面板的焊盤距離是影響客戶SMT設備能否處理組合產品的關鍵因素。大多數的高容量個人電子產品制造商擁有可以處理最小0.35mm焊盤距離的SMT設備,但部分工業用客戶的SMT設備最小焊盤距離僅能到0.5mm。
FemtoFET的連接盤網格陣列(LGA)封裝與硅芯片級封裝(CSP)相似,唯一的不同是LGA沒有附加錫球。F3 FemtoFET上的鍍金leads保留著與TI前代產品F4 FemtoFET一樣的0.35mm焊盤距離。這就給使用體積更小產品的F4客戶更強的信心,即他們的SMT設備可處理F3 FemtoFET。
為了使FemtoFET能應用到工業用設備,TI同時推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產品,并將電壓范圍擴充至60V。
TI推薦使用無鉛(SnAgCu)SAC焊錫膏如SAC305用于mtoFET面板安裝。你可以選用第三類焊膏,但體積更小的第四類焊錫膏則是更優選擇。焊膏應免清洗,且可溶于水。不過,在面板安裝之后用焊劑進行清洗仍不失為是個絕妙主意。
使用面板模子在面板上標出將施加焊錫膏的點位。模子的厚度以及開口的長寬是重要的參數。模子最厚應不超過100μm。
低漏電型FemtoFET可用于各類可穿戴設備和個人通訊設備。由于柵極漏電和漏極漏電的單位數僅為納米安培級,FemtoFET可協助保證您的個人電子設備的充電電池可支撐使用一整天。
審核編輯:郭婷
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