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信號完整性之反射(六)

CHANBAEK ? 來源:從狒狒進化到硬件工程師 ? 作者:李曉晶(Semli) ? 2023-04-23 11:50 ? 次閱讀

12 容性終端負載對信號反射的影響

之前的文章講述的都是阻性終端負載的反射。其實在負載(芯片管腳)上也有輸入電容存在,通常都是幾個pf。如下Table 174是某顆LPDDR4的各個輸入ball的輸入電容值。特別是當出現(xiàn)一個源端同時驅動多個負載時,負載端的輸入電容并聯(lián)總值會更大,例如SOC驅動多個DDR芯片。

pYYBAGREqnKAUUP1AADx0PLOIGY331.png

如下是電容的阻抗公式:

poYBAGREqnyAKT9ZAAAPdG7GnBs000.png

因為這些容性終端負載的存在,之前文章提到的反射系數(shù)計算公式中的阻抗就不是一個單純的電阻了,而是一個復合的阻抗。其中容性終端負載會使反射系數(shù)中的瞬態(tài)阻抗隨著時間而變化。當信號的上升時間小于電容的充電時間,可以分三個階段來看電容阻抗的變化:

①在信號剛到達負載端時,電容兩端的電壓快速上升,此時阻抗很小。

②隨著電容充電的進行,電容兩端的充電電流慢慢減小,即dV/dt緩慢下降,電容阻抗開始變大。

③如果信號上升時間足夠長,可以使電容充滿電,此時電容相當于開路。

因此,隨著容性終端負載的變化,反射系數(shù)也隨著時間變化。在帶容性負載的傳輸線末端看來,電壓的變化就像是RC在充電。C是終端負載電容,R是傳輸線阻抗。

此處需要先理解RC電路的時間常數(shù)τ。它是指電容從0開始充電,充電到最大電壓值的1/e時,所需要的時間。因為自然常數(shù)e=2.718,所以1/e≈0.37。因此

poYBAGREqpCADD50AABrnTvkbus099.png

假如一條傳輸線的阻抗是50R,容性負載是2pf。由此傳輸線和容性負載帶來的10~90%充電時間是:

2.2 x 50R x2pf=0.22ns。

如果源端輸出信號的上升時間比0.22ns短,則在最終的信號上升時間波形上,傳輸線末端的容性負載占主導地位。如果源端輸出信號的上升時間比0.22ns長,則在最終信號上升時間中源端輸出信號的上升時間占據(jù)主導地位。其實當源端信號的上升時間和0.22ns相當時,由傳輸線和容性負載帶來的10~90%充電時間已經對信號時序有影響了。例如一個信號源的上升時間是1ns,0.22ns的Z0-C延遲加在信號上,影響不明顯。另一個信號源的上升時間是0.1ns,0.22ns的Z0-C延遲,對信號的影響就和明顯了。

如下是在終端有一電容負載,電容取值分別是0pf~4pf時的仿真電路。

pYYBAGREqpeADFopAABZiMiZJak041.png

依據(jù)上述計算公式,得到不同負載電容值時,信號從10%上升到90%時的時間Tr如下表:

不同負載電容時,信號從10%上升到90%的時間Tr1
系數(shù)
C1(pf) TL1(Ω) Tr(ns)
2.2 1 50.1 0.11022
2.2 2 50.1 0.22044
2.2 3 50.1 0.33066
2.2 4 50.1 0.44088

之前文章講過本仿真電路的源端波形,從10%上升到90%的時間Tr2=0.195ns。因此從C1=2pf開始,在最終的信號波形上,容性負載就占據(jù)主導地位了。如下圖仿真波形(黃色為C1=2pf,紫色為C1=3pf,橙色為C1=4pf時的波形),信號邊沿變緩慢的趨勢越來越明顯。

poYBAGREqqWADf0aAABo94oyC4E687.png


另外,對于同樣的容性終端負載,特性阻抗越小,時延累加越小。因為上述公式中C已經固定,能控制的就是R。因此在允許的范圍內,可以使R的在50R偏下一點。

13 傳輸線上引入的容性因素對反射的影響

在源端和負載端之間的傳輸線上,有些因素也會帶來寄生電容。例如傳輸線上的測試點(焊盤)、via等。這些寄生電容,在信號上升過程中,就像在信號路徑和返回路徑上并聯(lián)了一個容抗Zcap。這個跨接在傳輸線上的并聯(lián)阻抗會引起反射。

信號從源端出發(fā),到達傳輸線中間的Zcap時,會有上升沿的延時,但是并沒有波形的振蕩(如上一節(jié)所述)。波形繼續(xù)向前,到達負載終端時,發(fā)生反射。當此反射波形在返回源端的過程中,到達Zcap時,波形中的負電壓部分會在Zcap處再次反射,這些反射回負載端的波形也是負電壓,并且最終在負載端的波形上形成下沖。電容量越大,電容的阻抗Zcap越小,負反射電壓越大,從而接收端的信號下沖越大。信號的上升時間越短,電容的阻抗Zcap越小,負反射電壓越大,接收端的信號下沖也越大。

如下圖是一個仿真電路,用C1來模擬傳輸線中途的寄生電容。C1的取值分別是0.3pf、0.6pf、0.9pf、1.2pf。之所以選擇0.3pf,是因為通常PCB設計中,一個via的寄生電容大約就在這個數(shù)量級。

pYYBAGREqq6AeuknAACbfWFOo4k647.png

仿真結果如下:和上一節(jié)的仿真結果比較,可以看到終端電容負載只帶來信號上升時間的延遲(變緩),并不會帶來信號的失真(振蕩)。而在傳輸線中途出現(xiàn)的寄生電容則會帶來信號失真。

poYBAGREqrmAXmr7AAB13do4kVE509.png

下圖是將波形局部放大的結果。可以看到隨著電容的增大,信號的下沖越明顯。信號只有下沖失真。隨著整體都有振蕩,但是在上沖方面并沒有多大的幅度振蕩。這也是為什么很多芯片的應用手冊中要求高速信號在進行PCB走線時,最多換一次走線層,這樣頂多出現(xiàn)2個via。

poYBAGREqsOAOrV7AABJqwTagwI299.png

隨著信號上升時間越來越快,傳輸線上可以接受的寄生電容越來越小。為了降低Zcap對信號反射的影響,希望Zcap大一些好,因為Zcap大一點,接收端的信號下沖就會小一些。但是如果Zcap太大了,又會減緩信號的上升時間。通常希望Zcap>5 x Z0.

電容阻抗的計算公式如下:

pYYBAGREqsuAAgzdAAAoUaNjyT8688.png

針對高速信號的上升沿波形,dV/dt就是V/Tr,因此

poYBAGREqtOAPzjkAAAYvqUo_90099.png

Tr是高速信號的上升時間(從V x10%上升到V x90%)。V是高速信號的高電平值。

Zcap的單位是歐姆。C的單位是nF,Tr的單位是ns。

因為希望Zcap>5 x Z0,所以

pYYBAGREqtuAaaC-AAAlOVlM-MA656.png

對于常見的50R阻抗控制傳輸線,

pYYBAGREquKAErZGAAAYqm-fMIA666.png

Cmax的單位是pf,Tr的單位是ns

例如針對Tr是1ns的信號,Zcap可以接受的最大電容是4pf。這個經驗公式可以在接插件選型時用來做為衡量參數(shù)之一。

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