常用電路模塊的布局布線原則
常用存儲器設計
*FLASH
*DDR
*DDR2
*DDR3
*QDR
1、SDRAM
*管腳的定義解釋
SDRAM(同步動態隨機存儲器)如下圖:
SDRAM的布局
*SDRAM的布局原則是:靠近CPU擺放
*SDRAMx1片的時候,一般采取點對點的布局方式,如下圖:
*當中間無排阻時:9000-1000密爾
*當中間有排阻時:1000-1300密爾
*SDRAMx2片時,相對于CPU嚴格對稱
方案一:空間做的時候,與CPU放在同一面,如下圖:
方案二:SDRAM頂底對貼,如下圖:
SDRAM的布線
*特性阻抗:50歐
*數據線每9根盡量走在同一層(D0D7,LDQM;D8D15,HDQM)
*信號線的間距須滿足3W原則
*數據線、地址(控制線)線、時鐘線之間的距離保持20密爾以上或者3W
*空間允許的情況下,應該在它們走線之間加一根地線進行隔離。地線寬度推薦為15~30密爾
*保證完整的參考平面
*布線拓撲結構(默認采用遠端分支)-T點(過孔)打在兩片SDRAM中間
遠端分支(星形或者T形)
菊花鏈
*SDRAM的等長布線
*CLASS的規則
將所有數據線設為SDRAM_DATA_BUS;
地址線、控制線,時鐘線設為SDRAM_ADDR_BUS
*等長規則
所有信號線參照時鐘線的長度等長
*誤差范圍
數據線誤差范圍控制在+/-50MIL
地址線誤差范圍控制在+/-100MIL
*SDRAM的等長布線
*遠端分支布線情況,如下圖:
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