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電子元件老化——電阻器和運算放大器的老化效應(yīng)

海闊天空的專欄 ? 來源: Dr. Steve Arar ? 作者: Dr. Steve Arar Dr. S ? 2023-05-03 09:56 ? 次閱讀

使用溫度計算和阿倫尼烏斯方程了解電阻放大器的老化行為,以了解電阻漂移、電阻穩(wěn)定性和運算放大器漂移。

之前,我們討論了高溫加速老化方法,該方法使用相對較短的測試持續(xù)時間來評估電子元件的長期穩(wěn)定性。

在本文中,我們將繼續(xù)討論,并了解電阻和放大器的老化行為。

老化預(yù)測—老化引起的電阻漂移

首先,讓我們記住電阻的值會隨著時間的推移而變化。在許多電路中,只需要大致的精度,電阻老化可能不是一個嚴重的問題。然而,某些精密應(yīng)用要求電阻器在規(guī)定的使用壽命內(nèi)長期漂移低至百萬分之幾。因此,開發(fā)具有足夠精度的老化預(yù)測模型非常重要,以確保所采用的精密電阻在系統(tǒng)的整個生命周期內(nèi)保持指定的精度。一家名為Vishay公司建議使用以下公式(公式1)來計算薄膜電阻器的長期變化:

1.png

1.png

是電阻器在溫度下所需工作時間t之后的漂移值θj。

公式1顯示,將電阻的工作溫度提高30°K,其長期漂移會增加2倍。此外,漂移隨著操作時間的立方根而增加。例如,如果電阻在1000°C時的125小時漂移小于0.25%,則電阻在相同溫度下工作8000小時后漂移(θj=θ0)估算公式為:

1.png

用于電阻老化預(yù)測的阿倫尼烏斯方程

在公式1中,考慮溫度依賴性的項來自阿倫尼烏斯速率定律,該定律在下面也重復(fù)為公式2:

1.png

等式 2.

該方程指定了反應(yīng)速度如何隨開爾文 (T)溫度變化。根據(jù)Vishay的說法,薄膜和箔電阻器的老化過程都遵循阿倫尼烏斯方程。圖1顯示了相同箔電阻在不同溫度下的老化數(shù)據(jù)。

* 圖1. 圖片由 Vishay 提供*

在此圖中,電阻漂移分布標準差的自然對數(shù)(Ln(D 標清 )) 被策劃反對1000/T.

請注意,直線可以適合這些數(shù)據(jù)點。這與阿倫尼烏斯方程一致,阿倫尼烏斯方程可以表示為:

1.png

該方程表明 Ln(PR) 與1/T1是反應(yīng)服從阿倫尼烏斯方程時的直線。

由于這種關(guān)系適用于圖1中的數(shù)據(jù)點,因此我們可以得出結(jié)論,這些電阻的老化過程遵循阿倫尼烏斯定律。

估算電阻溫度—提高電阻器的長期穩(wěn)定性

根據(jù)公式1,將電阻保持在較低溫度可以減少其隨時間推移的漂移。剩下的問題是,我們?nèi)绾尾拍鼙3蛛娮杵鞯臏囟雀停?/p>

公式1中的θ項是指電阻溫度,而不是環(huán)境溫度。電阻溫度(θ 電阻器 ) 可以通過以下公式估算:

1.png

θ一個是環(huán)境溫度

R千是電阻器的熱阻

P為電阻中的功耗

該公式表明,除了環(huán)境溫度外,電阻中的散熱和熱阻值也會影響電阻溫度。為了使電阻器運行得更低,我們可以盡可能限制電阻器中的功耗。此外,改變印刷電路板的特性,如走線密度和電源/接地層的數(shù)量,可以改變系統(tǒng)的有效熱阻值。這種變化是因為印刷電路板充當焊接在電阻上的散熱器。更高效的散熱器可以改善傳熱并保持電路組件(包括精密電阻器)更冷。

圖2顯示了熱量如何流過PCB和典型IC的封裝情況。

***圖2. *圖片由安森美美提供

通過調(diào)整不同的設(shè)計參數(shù),我們可以嘗試將電阻溫度保持在 85 °C 的典型最大值以下,以提高長期穩(wěn)定性。

還值得一提的是,在高于標稱值的功率水平下工作電阻會導(dǎo)致長期漂移大于基于阿倫尼烏斯的方程預(yù)測的漂移。在額定功率以上,電阻材料中加速老化過程的部分可能會出現(xiàn)一些熱點。這可能導(dǎo)致漂移值大于電阻平均溫度預(yù)測的值。

運算放大器老化效應(yīng)和長期運算放大器漂移

放大器的輸入失調(diào)電壓也會因老化而變化。這會產(chǎn)生隨時間變化的誤差,并限制可測量的最小直流信號。雖然典型通用精密運算放大器的失調(diào)隨溫度的漂移在1–10 μV/°C范圍內(nèi),但在工作的前30天內(nèi),老化引起的運算放大器失調(diào)變化約為幾μV。

我們討論了電阻器的長期漂移隨著其工作時間的立方根而增加,晶體老化往往與時間呈對數(shù)關(guān)系。由于老化而導(dǎo)致的運算放大器失調(diào)電壓偏差也是時間的非線性函數(shù)。運算放大器失調(diào)的長期漂移與經(jīng)過時間的平方根成正比。因此,如果將老化效應(yīng)指定為1 μV/1000小時,則失調(diào)可以變化約3 μV/年,計算如下:

1.png

失調(diào)的長期變化通常以μV/月或μV/1000小時為單位。

隨機游走現(xiàn)象:電子元件老化是一個隨機過程

需要注意的是,老化效應(yīng)是一個隨機過程,設(shè)備的實際老化行為可能過于復(fù)雜,無法用簡單的公式來描述。衰老有時被認為是一種“隨機游走”現(xiàn)象。當集成不相關(guān)的隨機“步驟”時,會產(chǎn)生隨機游走過程。其離散時間表示由下式給出:

1.png

  • xk和 xK-1是隨機過程的兩個連續(xù)樣本(我們討論中的老化效應(yīng))
  • wk是白噪聲

下面的圖3顯示了白噪聲的示例以及從相同的白噪聲中獲得的隨機游走。

* 圖3. 圖片由《信號處理系統(tǒng)手冊》提供*

在隨機游走過程中,我們積分的步驟越多,我們就越有可能偏離初始值。在從電子元件收集的老化數(shù)據(jù)中也觀察到了類似的趨勢。例如,將圖3中的上述隨機游走過程與下面圖1461所示的LT30在4 °C下測得的長期漂移進行比較。

LT1461 的長期漂移圖。

* 圖4. LT1461 的長期漂移圖。圖片由凌力爾特提供*

如果使用零均值白噪聲生成隨機游走過程,則隨機游走過程的兩個任意樣本[視頻]之間的平均差將與兩個樣本之間時間差的平方根成正比。這與我們上面討論的用于模擬運算放大器失調(diào)電壓的長期漂移的簡單方程一致,其中假設(shè)漂移與經(jīng)過時間的平方根成正比。

隨機游走可能是重要的過程,并出現(xiàn)在其他各種科學和社會學科中。例如,隨機游走過程可以對MEMS陀螺儀輸出端出現(xiàn)的部分噪聲進行建模。在本系列的下一篇文章中,我們將研究基準電壓源的老化行為。

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