氮化鋁陶瓷基板高導(dǎo)熱率的意義
隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展。陶瓷基板，特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導(dǎo)熱材料得到了很大的應(yīng)用。目前市場(chǎng)以170w/m.k的材料為主，價(jià)格很貴，堪稱(chēng)陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價(jià)格就要實(shí)惠很多。那他們的散熱表現(xiàn)差別有多少？先說(shuō)結(jié)論：差別很小，考慮裝配應(yīng)用等因素外，基本可以忽略。
以下是對(duì)不同導(dǎo)熱率的氮化鋁基板應(yīng)用在TO-247上的論證：
審核編輯黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
陶瓷基板
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
213瀏覽量
11430
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
華清電子擬在重慶建設(shè)半導(dǎo)體封裝材料和集成電路先進(jìn)陶瓷生產(chǎn)基地
臨港組團(tuán)投資建設(shè)半導(dǎo)體封裝材料和集成電路先進(jìn)陶瓷生產(chǎn)基地，擬定總投資20億元，全面達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值突破25億元。項(xiàng)目分三期建設(shè)，產(chǎn)品以氮化鋁高純粉體、氮化鋁/氧
氧化鋁隔斷粉在氧化鋁陶瓷基板的應(yīng)用
高純度：氧化鋁隔斷粉通常具有非常高的純度，雜質(zhì)含量極低，這有助于確保陶瓷基板的性能穩(wěn)定性和可靠性。
細(xì)小粒度：氧化鋁隔斷粉的粒
東超新材：球形氧化鋁粉在新能源電池導(dǎo)熱材料中的應(yīng)用
的填充密度和導(dǎo)熱效率。此外，球形氧化鋁粉的純度高、雜質(zhì)含量低，有助于提高電池的安全性和穩(wěn)定性。因此，球形氧化鋁粉在新能源電池導(dǎo)熱材料中的應(yīng)用
高功率器件設(shè)備散熱用陶瓷基板 | 晟鵬耐高溫高導(dǎo)熱絕緣片
能。氧化鋁基板，而日本京瓷也很早便開(kāi)始了陶瓷基板的研究，據(jù)日本京瓷創(chuàng)始人稻盛和夫自傳中介紹：1966年4月，喜訊傳來(lái)。我們得到了期望已久的IBM公司的訂單——2500萬(wàn)個(gè)
DBC陶瓷基板 | 氮化硼耐高溫高導(dǎo)熱絕緣片
隨著電子技術(shù)的發(fā)展，芯片的集成度不斷提高，電路布線也越來(lái)越細(xì)。因此，每單位面積的功耗增加，導(dǎo)致發(fā)熱增加和潛在的設(shè)備故障。直接粘合銅（DBC）陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性而成為重要的電子封裝材料
氮化鋁封裝材料：讓電子設(shè)備更穩(wěn)定、更可靠
氮化鋁，化學(xué)式為AlN，是一種具有優(yōu)異性能的陶瓷材料。近年來(lái)，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子封裝材料的需求也日益增長(zhǎng)。在眾多材料中，氮化鋁憑借其出色的物理和化學(xué)性質(zhì)，逐漸成為理想的電子封裝材料。本文將詳細(xì)探討
高導(dǎo)熱陶瓷基板，提升性能必備
高導(dǎo)熱陶瓷基板是具有高熱導(dǎo)率的陶瓷材料制成的基板，用于電子器件散熱，提高性能和可靠性。廣泛應(yīng)用于
氮化鋁AlN電阻器-厚膜AlN電阻
氮化鋁的功能來(lái)自其 熱、電和機(jī)械性能的組合。氮化鋁是一種高性能材料，具有優(yōu)異的熱傳導(dǎo)，機(jī)械強(qiáng)度和耐腐蝕性能。其電阻率也是其重要的物理性質(zhì)之一，對(duì)于在電子器件中的應(yīng)用具有重要意義。
用于射頻功率應(yīng)用的氮化鋁電阻元件
EAK推出了新的厚膜氮化鋁 （AlN） 電阻器和端接系列，以補(bǔ)充公司現(xiàn)有的產(chǎn)品。傳統(tǒng)上，射頻功率電阻元件采用氧化鈹（BeO）陶瓷材料作為陶瓷基板;然而，由于國(guó)際上要求從產(chǎn)品中去除BeO
氮化鋁與氧化鈹用于大功率電阻器產(chǎn)品
炎癥。由于全球新興的健康和安全法規(guī)，各行各業(yè)都在限制使用BeO作為陶瓷基板材料。因此，電子行業(yè)正在尋找環(huán)保的基板材料來(lái)替代BeO。氮化鋁 （AlN） 的早期開(kāi)發(fā)發(fā)生在 1960 年代，
氮化鋁上的厚膜高功率片式電阻器
EAK厚膜高功率片式電阻器和氮化鋁片式端接非常適合大多數(shù)需要在小尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱性的應(yīng)用。AlN 是 BeO 的理想替代品，具有高功耗且
日本旭化成氮化鋁基板技術(shù)突破:邁向更大面積與實(shí)用化
在全球半導(dǎo)體科技日新月異的大背景下，日本旭化成株式會(huì)社在功率半導(dǎo)體等應(yīng)用領(lǐng)域取得了令人矚目的技術(shù)突破。該公司近日宣布，其氮化鋁基板技術(shù)已實(shí)現(xiàn)了可使用面積的顯著擴(kuò)大，這一進(jìn)步為功率半導(dǎo)體的發(fā)展注入
導(dǎo)熱氧化鋁陶瓷基板：推動(dòng)5G技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵材料
電子陶瓷材料。在5G技術(shù)的推廣和應(yīng)用中，氧化鋁陶瓷基板扮演著至關(guān)重要的角色。它所具備的高介電常數(shù)、高熱導(dǎo)率、
功率半導(dǎo)體器件陶瓷基板用氮化鋁粉體專(zhuān)利解析及DOH新工藝材料介紹
摘要：功率半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于多個(gè)戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，而散熱問(wèn)題是影響其性能、可靠性和壽命的關(guān)鍵因素之一。氮化鋁粉體具有高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛認(rèn)為是用于制備半導(dǎo)體功率器件用陶瓷基板的優(yōu)良材料。本文檢索
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論