隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案?jìng)涫苁袌?chǎng)青睞。為了滿足市場(chǎng)新需求，晶豐明源通過不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦通訊快充BP87618+BP818+BP62610組合方案。

其中，BP87618采用了晶豐成熟的磁耦通訊技術(shù)，待機(jī)功耗極低，動(dòng)態(tài)反應(yīng)快。BP62610內(nèi)置多組ADC和寄存器，通過I2C接口，手機(jī)可隨時(shí)讀取寄存器內(nèi)部信息，獲取充電設(shè)備的工作狀態(tài)；同時(shí)也可對(duì)輸出電壓和電流進(jìn)行高精度調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的恒壓、恒流和恒功率控制，非常適合高端PD/PPS應(yīng)用。

集成GaN高頻QR磁耦通訊反激驅(qū)動(dòng)器

01目標(biāo)應(yīng)用

45~68W USBPD/QC PPS充電器

可編程AC/DC充電器

筆記本電腦適配器

02性能特點(diǎn)

內(nèi)置650V GaN

集成高壓啟動(dòng)

集成X電容放電，節(jié)省放電電阻

150V輔助供電耐壓，適合寬輸出電壓應(yīng)用

ACOT控制，快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)

磁耦通訊實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗＜30mW

ESOP-10封裝，散熱能力強(qiáng)，更易操作

03封裝形式

04應(yīng)用結(jié)構(gòu)

-BP62610- 集成SR、副邊控制芯片

01性能特點(diǎn)

通過I2C接口與協(xié)議芯片通信

集成度高，協(xié)議芯片更簡單

通過磁耦BP818，實(shí)現(xiàn)ACOT副邊控制

快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)

集成同步整流控制和驅(qū)動(dòng)

集成Vbus開關(guān)控制及放電功能

高精度恒壓、恒流和恒功率控制

02可編程控制

通過I2C接口可實(shí)現(xiàn)輸出參數(shù)精細(xì)控制

電壓：10 mV/ Step 電流：12.5mA / Step 恒功率：240mW/ Step 線壓降補(bǔ)償：40 mV/ Step 輸出過/欠壓保護(hù)：80 mV/ Step

03應(yīng)用結(jié)構(gòu)

04高精度的電壓電流調(diào)節(jié)

高精度輸出電壓調(diào)整步進(jìn)

10mV/Step

高精度輸出恒流控制 調(diào)整步進(jìn)12.5 mA/ Step

-BP87618+BP818+BP62610- 65W USB PD快充組合方案

01應(yīng)用方案：65W PD快充

輸入電壓：90Vac-264 Vac

輸出規(guī)格 ：3.3-11 V/5 A， 9V/3 A，12V/3 A，15V/3 A ， 20V/3.25 A

02典型應(yīng)用圖

03方案實(shí)物圖

-方案特點(diǎn)-

01高效節(jié)能

輕松滿足全球能效標(biāo)準(zhǔn)

全電壓范圍空載功耗＜30mW

輕松滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)

65W（20V_3.25A）效率測(cè)試

02高可靠的系統(tǒng)性能

優(yōu)異的EMI性能

系統(tǒng)ESD性能

目前晶豐明源這套高性價(jià)比、集成GaN的65W快充套片已經(jīng)在市場(chǎng)上大批量出貨并深受客戶青睞，市場(chǎng)反饋良好。同系列33W及20W磁耦通訊快充整體解決方案也已進(jìn)入市場(chǎng)。

通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，晶豐明源會(huì)繼續(xù)為業(yè)界帶來更多具有技術(shù)亮點(diǎn)、高可靠性、高性價(jià)比的快充產(chǎn)品。

*本文提及的測(cè)試結(jié)果為實(shí)驗(yàn)室條件下真實(shí)測(cè)試下得出，實(shí)際產(chǎn)品視應(yīng)用環(huán)境和批次差異，可能會(huì)存在不同，晶豐明源保留最終解釋權(quán)

審核編輯：湯梓紅