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如何利用Ampilifer中的一個模板快速設計低噪聲放大器?

冬至子 ? 來源:加油射頻工程師 ? 作者:加油射頻工程師 ? 2023-05-18 11:19 ? 次閱讀

仿真軟件的出現(xiàn),讓我們不再需要推導復雜的公式,幫助我們快速且優(yōu)質(zhì)地完成射頻設計。

ADS的DesignGuide里面有各式各樣的 模板 ,可以協(xié)助我們進行設計。今天我想探討的是,如何利用DesignGuide的Ampilifer中的一個模板快速設計低噪聲放大器

圖片

我設計低噪放時,比較喜歡用紅色方框中的這個模板,如上圖。打開這個模板時,就自動彈出兩個窗口,一個是原理圖窗口,一個是數(shù)據(jù)結(jié)果窗口。用實際器件參數(shù)替代模板中的器件參數(shù),再結(jié)合.dds上的計算結(jié)果,即可快速地完成設計。

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原諒我不想去下載個新的器件參數(shù)了。

所以就直接用模板中所提供的器件參數(shù)進行仿真(AT310113C.s2p)了。

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模板中的s2p文件,除了S參數(shù)以外,還包括噪聲參數(shù),如上圖綠色方框里所示。

在文獻[1]中,指出,二端口放大器的噪聲系數(shù)能表示為:

圖片

其中,Ys表示呈現(xiàn)在晶體管處的源導納;

Yopt表示得出最小噪聲系數(shù)的最佳源導納;

Fmin表示當Ys=Yopt時獲得的晶體管的最小噪聲系數(shù);

RN表示晶體管的等效噪聲電阻

Gs表示源導納的實部。

所以,當Ys=Yopt時,噪聲系數(shù)最小。

再看.dds文件中的計算參數(shù)。

圖片

藍色方框里的值,是我們能達到的最小噪聲系數(shù),即是s2p文件噪聲參數(shù)的第二列的值(對應1.8GHz);黃色方框里,是s2p文件噪聲參數(shù)的第三列和第四列的值(對應1.8GHz);粉色框中的穩(wěn)定系數(shù)為0.554,小于1;紫色方框內(nèi)的Zopt即是上面公式中所講的Yopt對應的倒數(shù)。且可以下列公式得到。大家感興趣的話,可以自己算一下,Γopt即是上圖黃色框里的反射系數(shù)。

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我個人的設計步驟是,先把偏置網(wǎng)絡加上,然后采取一定提高穩(wěn)定性的措施(這邊是在發(fā)射極接小電感到地)。如下圖。圖中的偏置網(wǎng)絡的值,還需要在實際電路中調(diào)試獲得。查了一下這個器件的datasheet,沒有確切的HFE和VBE值。我計算的時候,是假設HFE=100,VBE=0.6V,而Vcc=3V。

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加上偏置電路以及發(fā)射機小電感到地后,1.8GHz處的穩(wěn)定系數(shù)提高到1.069,噪聲系數(shù)惡化0.041dB,如下圖所示。

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接下來,遵循前面《Smith圓圖簡介》介紹的“往前看,向后退”原則,按照上圖心型框內(nèi)標注的阻抗進行匹配。請注意方框內(nèi)各個阻抗標注的方向哈。

最后,電路架構(gòu)如下圖所示。其中黃色和紅色圓圈上分別為輸入和輸出匹配電路,值分別為6.8nH/1.2pF和10nH。選擇如此結(jié)構(gòu)的輸入匹配電路,是考慮不讓匹配電路影響基級的偏置,所以選擇先串聯(lián)電感,然后再并聯(lián)電容。在輸入端可再串聯(lián)82pF的電容,防止對前級電路的直流點產(chǎn)生影響。紫色方框中是為了提高低端的穩(wěn)定度(值分別為27nH,9.8pF,120ohm),而綠色方框是為了提高整體的穩(wěn)定度(1kohm并聯(lián)到地)。

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上述電路架構(gòu)的仿真結(jié)果如下圖所示。

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S21=9.22dB,S11=-10.1dB,S22=-16.2dB;NF=1.341dB。全頻段穩(wěn)定。

至此,一個低噪聲放大器的雛形完成。進一步的話,需要進行版圖仿真,在2GHz左右的話,版圖仿真還是很準的。

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