Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡(jiǎn)稱“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET，用于鋰離子(Li-ion)電池組（例如移動(dòng)設(shè)備電池組）的電池保護(hù)電路中。今天開始發(fā)貨。

鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)健的保護(hù)電路來(lái)減少充電和放電時(shí)產(chǎn)生的熱量并提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，需要能夠提供低導(dǎo)通電阻的小巧輕薄型MOSFET。

SSM14N956L采用Toshiba的微工藝，已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也是如此。這就確保了低功率損耗（由于行業(yè)領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻特性）和低待機(jī)功率（通過行業(yè)領(lǐng)先的[1]低柵源漏電流特性實(shí)現(xiàn)）。這些品質(zhì)有助于延長(zhǎng)電池的工作時(shí)間。新產(chǎn)品還采用了全新的小型薄型封裝TCSPED-302701（2.74mm x 3.0mm，t = 0.085mm (typ.)）。

Toshiba將繼續(xù)開發(fā)MOSFET產(chǎn)品，用于鋰離子電池組供電設(shè)備中的保護(hù)電路。

應(yīng)用

·使用鋰離子電池組的消費(fèi)類電子產(chǎn)品和辦公及個(gè)人設(shè)備，包括智能手機(jī)、平板電腦、移動(dòng)電源、可穿戴設(shè)備、游戲機(jī)、電動(dòng)牙刷、小型數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼單反相機(jī)等。

特性

·行業(yè)領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻：RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V

·行業(yè)領(lǐng)先的[1]低柵源漏電流：IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V

·小巧輕薄型TCSPED-302701封裝：2.74mm x 3.0mm，t=0.085mm (typ.)

·共漏極結(jié)構(gòu)，可輕松用于電池保護(hù)電路中

注意：
[1]：在具有相同評(píng)級(jí)的產(chǎn)品中。截至2023年5月的數(shù)據(jù)，基于Toshiba的調(diào)查結(jié)果。

主要規(guī)格

注意：
[2]已發(fā)布產(chǎn)品。

*公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的信息（包括產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系信息）在發(fā)布之日是最新的。但如有更改，恕不另行通知。

審核編輯：湯梓紅