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AC/DC 拓?fù)洌篠peedFit 示例

冬至子 ? 來(lái)源:WOLFSPEED ? 作者:Wolfspeed ? 2023-05-22 17:03 ? 次閱讀

Wolfspeed SpeedFit 2.0 Design Simulator 是一款快速且實(shí)用的仿真工具,可快速比較不同的系統(tǒng)規(guī)格、拓?fù)洹⑵骷踔翢?a target="_blank">參數(shù),幫助用戶針對(duì)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。這款用戶友好型工具可用來(lái)估計(jì)系統(tǒng)損耗、熱性能和效率,還可以觀測(cè)重要的電壓和電流波形。關(guān)于 SpeedFit 功能的詳細(xì)論述參見(jiàn)此處。

SpeedFit 2.0 允許用戶模擬 AC/DC 應(yīng)用的六種不同的單相拓?fù)洌▓D 1)。這些拓?fù)錇橛性磫蜗嗌龎耗J诫娐罚糜?a target="_blank">功率因數(shù)校正(PFC)應(yīng)用(圖 2)。PFC 的設(shè)計(jì)滿足了對(duì)低成本和高效率的需求。針對(duì)電源的 80 PLUS? 效率要求標(biāo)準(zhǔn),以及針對(duì)電源諧波含量的 IEEE 519 等標(biāo)準(zhǔn)越來(lái)越嚴(yán)格。為了符合當(dāng)今的效率標(biāo)準(zhǔn),電源需要具有高效的 PFC 級(jí)。SpeedFit 仿真軟件能夠評(píng)估在高頻率操作下運(yùn)用 SiC 器件的設(shè)計(jì),以及在低頻率工作下的可配置 Si 或 SiC 二極管,幫助用戶設(shè)計(jì) PFC。

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▲ 圖 1:SpeedFit -“Application”(應(yīng)用)選項(xiàng)卡

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▲ 圖 2:SpeedFit -“Input”(輸入)選項(xiàng)卡

本文以 AC/DC 應(yīng)用為例,重點(diǎn)介紹怎樣利用 SpeedFit 來(lái)對(duì)不同拓?fù)溥M(jìn)行比較,從而設(shè)計(jì)出效率更高的變換器。為便于說(shuō)明,我們假設(shè)了一組系統(tǒng)規(guī)格,比較三種不同的拓樸。這些規(guī)格的選取基于 Wolfspeed 3.6 kW 圖騰柱轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。下文針對(duì)所選規(guī)格,對(duì)這些拓?fù)涞男阅苓M(jìn)行了介紹和比較。這些拓?fù)浞謩e為:傳統(tǒng)升壓轉(zhuǎn)換器、圖騰柱轉(zhuǎn)換器 - LF 二極管、圖騰柱轉(zhuǎn)換器 - LF MOSFET

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▲ 表 1:3.6 kW 圖騰柱 PFC 參考設(shè)計(jì)的規(guī)格

** #1 **

SpeedFit 參數(shù)

可以在 SpeedFit 的不同選項(xiàng)卡中輸入表 1 中的規(guī)格。可在此處查看關(guān)于 SpeedFit 不同選項(xiàng)卡的更多信息。可以使用表 2 中列出的信息指定與 3.6 kW 圖騰柱轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)一致的參數(shù)。

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▲ 表 2:SpeedFit 參數(shù)及其值

熱參數(shù)與 3.6 kW 圖騰柱參考設(shè)計(jì)一致。界面熱阻 Rth,ch = Rth + Rth,PCB + Rth,TIM = (0.015 + 0.45 + 0.52) K/W = 0.985 K/W。

參考設(shè)計(jì)中給出的散熱器到環(huán)境熱阻為 3.4 K/W。但是,這適用于半橋臂的散熱器。由于有兩個(gè)半橋臂,因此有效的散熱器熱阻可以近似為 1.7 K/W。因此,Rth,ha = (3.4 / 2) K/W = 1.7 K/W。

在“Simulation”(仿真)選項(xiàng)卡(圖 3),提供了正向壓降 (Vf) 和導(dǎo)通電阻 (Ron) 參數(shù),以便把整流二極管的損耗包括在效率計(jì)算中。用戶可以根據(jù)他們打算使用的整流二極管編輯這些值。這些二極管可以是 Si 二極管或 SiC 二極管。由于這些二極管將在低頻率波形下工作,因此它們的損耗主要是導(dǎo)通損耗。這些器件中的損耗顯示在“器件概覽”表中。

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▲ 圖 3:SpeedFit -“Simulation”(仿真)選項(xiàng)卡

“Summary”(總結(jié))選項(xiàng)卡顯示損耗和波形的系統(tǒng)概覽。具體而言,對(duì)于 AC/DC 拓?fù)洌€包括整流二極管損耗和 LF MOSFET。

** #2 **

拓?fù)鋵?duì)比

為了便于說(shuō)明,本文比較了三種不同的 PFC 拓?fù)洹1竟?jié)包含有關(guān)這些拓?fù)涞闹匾f(shuō)明和觀察結(jié)果,重點(diǎn)介紹如何利用 SpeedFit 比較這些不同的拓?fù)洹?/p>

傳統(tǒng)升壓 PFC

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▲ 圖 4:傳統(tǒng)升壓 PFC 拓?fù)?/strong>

傳統(tǒng)升壓拓?fù)溆捎扇ㄕ髌骱蜕龎鹤儞Q器組成。整流二極管中只流過(guò)工頻電流;因此,Si 整流二極管可以用于該整流級(jí)。因此,通過(guò)整流級(jí)的電流只會(huì)增加轉(zhuǎn)換器中的傳導(dǎo)損耗。因此,Vf 和 Ron 參數(shù)足以確定這些二極管中的損耗。從圖 6 中可以看出,整流二極管是損耗最大的器件,影響該拓?fù)涞恼w效率。因此,在評(píng)估拓?fù)湫蕰r(shí),觀察系統(tǒng)所有組件中的損耗至關(guān)重要。由于傳統(tǒng)升壓 PFC 效率較低,因此適用于低功耗應(yīng)用。該拓?fù)溥m用于符合 80 Plus Silver 或 Gold 標(biāo)準(zhǔn)。

在 SpeedFit 中,用戶可以對(duì)整流二極管的正向壓降 Vf 和 導(dǎo)通電阻 Ron 進(jìn)行配置。圖 6 顯示的“器件概覽”表顯示了不同器件中損耗的分布,即 MOSFET、二極管(升壓級(jí))和整流二極管(整流級(jí))。

圖騰柱轉(zhuǎn)換器 – LF 二極管

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▲ 圖 5:圖騰柱轉(zhuǎn)換器 – LF 二極管拓?fù)?/strong>

具有低頻率(LF)二極管的圖騰柱轉(zhuǎn)換器由兩個(gè)以開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行的 MOSFET 和兩個(gè)工作在工頻的二極管組成。用戶可以從“Device”(器件)選項(xiàng)卡中選擇 Wolfspeed MOSFET,還可以根據(jù)客戶所用的 Si 或 SiC 二極管的規(guī)格書(shū)配置仿真用的二極管的正向電壓 (Vf) 和 Ron(導(dǎo)通電阻)。這是一種開(kāi)關(guān)器件用量最少的低成本拓?fù)洹S捎跍p少了工頻整流橋,所以它相對(duì)于傳統(tǒng)升壓 PFC 拓?fù)湫实玫搅颂嵘捎诠ゎl整流器支路中的傳導(dǎo)損耗較高,其效率略低于具有 LF MOSFET 的圖騰柱轉(zhuǎn)換器。

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▲ 圖 6:仿真概覽 - 傳統(tǒng)升壓轉(zhuǎn)換器

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▲ 圖 7:仿真概覽 - 圖騰柱轉(zhuǎn)換器 - LF 二極管

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▲ 圖 8:仿真概覽 - 圖騰柱轉(zhuǎn)換器 - LF MOSFET

圖騰柱轉(zhuǎn)換器 – LF MOSFET

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▲ 圖 9:圖騰柱轉(zhuǎn)換器 – LF MOSFET 拓?fù)?/strong>

具有低頻率(LF)MOSFET 的圖騰柱轉(zhuǎn)換器采用兩個(gè)高頻率 MOSFET 和兩個(gè)低頻率(LF)MOSFET。該拓?fù)湮词褂萌魏握鞫O管。與整流二極管相比,LF MOSFET 中產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗要低得多。因此,這是最高效的拓?fù)洹5牵@里需要更多的柵極驅(qū)動(dòng)器,會(huì)增加轉(zhuǎn)換器的尺寸和成本。

** #3 **

總結(jié)

表 3 總結(jié)了考慮的三種拓?fù)涞脑敿?xì)信息。表格中列出了所使用的器件,并對(duì)效率進(jìn)行了對(duì)比。

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▲ 表 3:三種拓?fù)渲g進(jìn)行對(duì)比:傳統(tǒng)升壓轉(zhuǎn)換器、

圖騰柱轉(zhuǎn)換器 - LF 二極管、圖騰柱轉(zhuǎn)換器 - LF MOSFET

請(qǐng)注意:圖騰柱轉(zhuǎn)換器 – LF MOSFET 的參考設(shè)計(jì)中所注的峰值效率(>99%)包括輔助電源和轉(zhuǎn)換器其他組件中的損耗,而上述效率僅包括功率半導(dǎo)體器件中的損耗。

SpeedFit 仿真軟件 2.0 允許用戶進(jìn)行其應(yīng)用的不同拓?fù)浜驮O(shè)計(jì)的對(duì)比。用戶可以靈活選擇最優(yōu)的 SiC MOSFET 和 SiC 肖特基二極管,還可以配置低頻率 Si 二極管的規(guī)格,以幫助估計(jì)轉(zhuǎn)換器效率的實(shí)際值。“Simulation”(仿真)選項(xiàng)卡上的“系統(tǒng)”和“器件概覽”表(如圖 6 - 8 所示)總結(jié)了 HF MOSFET、LF MOSFET 和 SiC/Si 整流二極管等不同組件中的損耗,便于分別分析每個(gè)器件中的損耗并優(yōu)化設(shè)計(jì)。

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