中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。

新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進(jìn)技術(shù)，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導(dǎo)通損耗和低柵極電荷于一身，實(shí)現(xiàn)高效的開關(guān)性能。因此，STL120N10F8的最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ（在 VGS = 10V 時(shí)），高效運(yùn)行頻率達(dá)到600kHz。

STripFET F8技術(shù)還確保輸出電容值可以減輕漏源電壓尖峰，最大程度地減少充放電能量浪費(fèi)。此外，這款MOSFET的體漏二極管的軟度特性更高。這些改進(jìn)之處可以減少電磁輻射，簡化最終系統(tǒng)的合規(guī)性測試，確保電磁兼容性 (EMC)符合適用的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

STL120N10F8擁有卓越的能效和較低的電磁輻射，可以增強(qiáng)硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞?a target="_blank">電源轉(zhuǎn)換性能。此外，這款產(chǎn)品還是首款完全符合工業(yè)級規(guī)格的STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET，非常適合電機(jī)控制、電信和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的電源及轉(zhuǎn)換器、LED 和低壓照明，以及消費(fèi)類電器和電池供電設(shè)備。

新款MOSFET還有其他優(yōu)勢，其中包括柵極閾值電壓(VGS(th))差很小，這個(gè)優(yōu)勢在強(qiáng)電流應(yīng)用中很有用，可簡化多個(gè)功率開關(guān)管的并聯(lián)設(shè)計(jì)。新產(chǎn)品的魯棒性非常強(qiáng)，能夠承受 10μs的800A短路脈沖電流沖擊。

STL120N10F8采用 PowerFLAT5x6 封裝，現(xiàn)已全面投產(chǎn)。

審核編輯：湯梓紅