N型硅片存同心圓痛點(diǎn)，低氧型單晶爐助力降本增效

新款單晶爐為何在2023年推出？

隨著N型電池片，尤其是TOPCon快速放量，N型硅片需求大幅提升。TOPCon 2022年 實(shí)際擴(kuò)產(chǎn)約110GW，2023年1-4月擴(kuò)產(chǎn)約400GW，帶動(dòng)N型硅片需求快速提升，而N型硅片 對(duì)晶體品質(zhì)和氧碳含量要求很高，要求更高的少子壽命和更低的氧含量。

N型硅片容易產(chǎn)生由原生氧造成同心圓、黑芯片問題。主要系高溫的硅溶液在坩堝里進(jìn) 行相對(duì)高速的對(duì)流，因?yàn)橥饷鏌嶂虚g冷，底部熱上面冷，硅溶液在坩堝內(nèi)會(huì)形成類似“開 鍋”現(xiàn)象，造成硅溶液內(nèi)部出現(xiàn)流動(dòng)，不停沖刷石英坩堝，而石英就是二氧化硅，其中氧 會(huì)在沖刷過程中融入硅溶液，造成晶體里含有較多的氧。

TOPCon更容易發(fā)生同心圓問題。TOPCon在后續(xù)的高溫工藝（如B擴(kuò)散）下，氧容易 沉淀形成氧環(huán)即同心圓，影響效率和良率，所以TOPCon對(duì)硅片氧含量更敏感；而HJT為低 溫工藝，出現(xiàn)同心圓概率不高，可以選擇高氧含量硅片。

P型和N型的區(qū)別，為何PERC對(duì)雜質(zhì)要求不高？

N型電池對(duì)硅料要求比P型高。 （1）轉(zhuǎn)換效率上，N型電池（TOPCon、xBC、HJT）均高于P型電池（BSF、PERC）。 （2）電特性及純度上，N型表金屬、體金屬、受主雜質(zhì)和施主雜質(zhì)含量比P型少50%，少子壽 命也提高了。 （3）含氧量上，現(xiàn)有的單晶爐技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)12.5ppma左右的含氧量，再往下，良率就很低，如 果降低到10ppma，良率可能不到10%。

當(dāng)下TOPCon一體化企業(yè)的痛點(diǎn)：同心圓和黑芯片問題

TOPCon高溫過程比較多（SE需要兩次擴(kuò)硼，溫度在1050攝氏度以上，擴(kuò)磷850攝氏度， LPCVD也是高溫過程），高溫過程會(huì)激發(fā)硅片內(nèi)的氧原子形成同心圓，使效率下降。 缺陷分為空位缺陷和點(diǎn)缺陷，空位缺陷是原子來不及排列，所以中間出現(xiàn)了孔洞。高拉速 情況下孔洞會(huì)多，摻雜磷之后孔洞缺陷會(huì)更多，過了7ppm之后，缺陷會(huì)急速上升。Topcon 里的高溫制程就會(huì)導(dǎo)致氧聚集形成缺陷，400度以上氧可以在硅片里活動(dòng)，800~900度以上 氧可以游動(dòng)，一旦冷了凝固就不動(dòng)了。氧喜歡CUP區(qū)域，氧原子堆積在一起，漏電大，一 定就是不會(huì)發(fā)電的，如果氧和過渡金屬?gòu)?fù)合之后，會(huì)引起局部的位錯(cuò)。從邏輯上，氧和雜 質(zhì)是N型硅片的敵人，雜質(zhì)會(huì)復(fù)合掉少子，氧會(huì)聚集形成缺陷。

TOPCon黑芯片問題放大了HJT硅棒利用率優(yōu)勢(shì)：目前TOPCon存在黑芯片的問題，硅片氧 含量高且在高溫下氧占位了硅，造成了電池片或組件在EL檢測(cè)時(shí)中心發(fā)黑的現(xiàn)象。目前 TOPcon黑芯片占比4-5%，在企業(yè)的可接受范圍內(nèi)，但隨著未來TOPCon對(duì)良率的要求變高， 黑芯片會(huì)使得TOPCon比HJT硅棒利用率低3%。

單晶爐發(fā)展趨勢(shì)：平均3-4年換一代，從尺寸變大到質(zhì)量升級(jí)

之前單晶爐的發(fā)展思路是：在所有變動(dòng)成本一致的情況下，硅片尺寸越大，成本越低。當(dāng) 下的G10硅片，從尺寸角度看，已經(jīng)是瓶頸，210是最符合集裝箱尺寸的大小，自210推出 后，硅片環(huán)節(jié)再無新的技術(shù)迭代。

晶盛機(jī)電持續(xù)推出單晶爐新品，由注重尺寸到注重質(zhì)量。2007年晶盛機(jī)電推出第一代全自 動(dòng)單晶爐；2011年首推水冷套裝置，實(shí)現(xiàn)高拉速第二代單晶爐；2015年首推復(fù)投器+大熱 場(chǎng)，開創(chuàng)第三代RCZ高產(chǎn)單晶爐；2020年首推基于工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的第四代智能化單晶爐。 2023年晶盛推出第五代新型單晶爐，最大的亮點(diǎn)在于改變了傳統(tǒng)的封閉控制系統(tǒng)模式，配 置了基于開放架構(gòu)的用戶可編程的軟件定義工藝平臺(tái)。

增加磁場(chǎng)為有效解決方案之一，具備一定經(jīng)濟(jì)性

硅料降價(jià)+硅片10%~12%合理利潤(rùn)率，單晶爐回本周期不到2年

硅料降價(jià)+硅片10%~12%合理利潤(rùn)率下，行業(yè)整體利潤(rùn)仍然較高，單晶爐回本周期不到2年， 其中N型設(shè)備回本周期比P型更短。 （1）單晶爐價(jià)格約140萬/臺(tái)，理論產(chǎn)值14MV/臺(tái)，N型硅片利潤(rùn)率12%，P型硅片利潤(rùn)率10%。 （2）進(jìn)口高純石英砂短缺，坩堝更換頻繁，單晶爐待機(jī)時(shí)間變長(zhǎng)，間接造成產(chǎn)能損耗，其中 N型單晶爐產(chǎn)能損耗約20%，P型單晶爐產(chǎn)能損耗約10%。 （3）N型每GW所需單晶爐約90臺(tái)，設(shè)備價(jià)值量1.3億元，P型每GW所需單晶爐80臺(tái)，設(shè)備價(jià) 值量1.1億元。以硅片價(jià)格0.6元/W測(cè)算，設(shè)備回本周期不到2年，其中N型設(shè)備回本周期更短。

硅料降價(jià)+ N型 12%利潤(rùn)率，單晶爐+超導(dǎo)磁場(chǎng)回本周期約3年

N型硅片對(duì)含氧量和純度要求比P型高，只有磁場(chǎng)才能將含氧量降低到7ppma（N型行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）， 在硅料降價(jià)+N型12%合理利潤(rùn)率下，行業(yè)整體利潤(rùn)仍然較高，單晶爐回本周期約3年。 （1）2023年晶盛超導(dǎo)磁場(chǎng)約150萬元/臺(tái)，2024年有望降到100萬元/臺(tái)（降低30%）。 （2）單晶爐+磁場(chǎng)可以有效提高硅片拉晶的良率、成晶率，提高10%單產(chǎn)。 （3）磁場(chǎng)可以減緩硅溶液對(duì)坩堝的沖刷，延長(zhǎng)坩堝使用壽命，N型單晶爐產(chǎn)能損耗降低至15%。 （4）N型每GW所需單晶爐+超導(dǎo)磁場(chǎng)76臺(tái)，設(shè)備價(jià)值量2.2億元，以硅片價(jià)格0.6元/W測(cè)算，設(shè) 備回本周期約3年，當(dāng)超導(dǎo)磁場(chǎng)降低至100萬元/臺(tái)，回本周期約2.5年。

硅片存在產(chǎn)能過剩風(fēng)險(xiǎn)，硅片質(zhì)量為后續(xù)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵要素

從供給與需求角度來看，硅片產(chǎn)能未來存在過剩風(fēng)險(xiǎn)。供給端2022年底硅片名義產(chǎn)能達(dá)600GW+，考慮到落后 產(chǎn)能淘汰、產(chǎn)能利用率等，我們測(cè)算實(shí)際有效產(chǎn)能約260GW+；需求端2022年全球新增裝機(jī)量約230GW，考慮 到容配比等，我們測(cè)算硅片需求約290GW+，硅片供需處于緊平衡狀態(tài)。未來隨著硅片技術(shù)變革減少、落后產(chǎn) 能淘汰率下降，硅料等瓶頸因素消失、產(chǎn)能利用率提升，硅片名義產(chǎn)能存在過剩風(fēng)險(xiǎn)。 硅片質(zhì)量為后續(xù)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵要素。硅片產(chǎn)能過剩將放大硅片質(zhì)量的重要性，下游對(duì)質(zhì)量?jī)?yōu)秀硅片的傾向性凸顯。

超導(dǎo)磁場(chǎng)增效降本，0.3%效率提升+非硅降本貢獻(xiàn)2000-3000萬/GW

增效角度：以182尺寸72片組件、轉(zhuǎn)換效率24.3%為例，單晶爐+超導(dǎo)磁場(chǎng)可以有效的提高電 池轉(zhuǎn)換效率0.1~0.5%，進(jìn)而提高組件功率。按照電池效率提升0.3%、組件1.6元/W估算， 550W的組件溢價(jià)10.8元，每GW多盈利約1900萬元。 降本角度：?jiǎn)尉t+超導(dǎo)磁場(chǎng)可多利用5%的頭尾料，頭尾料重新投料，相當(dāng)于節(jié)省5%的電費(fèi)。 目前非硅成本是0.1元/W，其中電費(fèi)約0.08元/W，則可節(jié)省電費(fèi)0.004元/W，每GW節(jié)省電費(fèi) 成本約400萬元。

光伏磁場(chǎng)借鑒半導(dǎo)體領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)，有效抑制對(duì)流以降低氧等雜質(zhì)

磁控直拉單晶技術(shù)可抑制熔體熱對(duì)流，降低晶體的雜質(zhì)含量

超導(dǎo)材料是指在低于其臨界溫度時(shí)，具有直流電阻為零和完全抗磁性（外磁場(chǎng)的磁力線無法穿透到內(nèi)部）的材 料，而超導(dǎo)磁體則是利用超導(dǎo)材料的特殊性質(zhì)來產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)的裝置：一般由超導(dǎo)材料制成的超導(dǎo)線圈和冷卻系 統(tǒng)（液態(tài)氦）組成。超導(dǎo)線圈在超低溫環(huán)境溫度下達(dá)到超導(dǎo)狀態(tài)，能夠承載比常規(guī)線圈更高的電流，從而產(chǎn)生 更高的磁場(chǎng)，具有低功耗、高場(chǎng)強(qiáng)、重量輕、體積小等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)。

基于所產(chǎn)生的強(qiáng)磁場(chǎng)，超導(dǎo)磁體能夠應(yīng)用于人體核磁共振成像儀（MRI）、磁控直拉單晶硅（MCZ）、超導(dǎo)磁 體儲(chǔ)能等領(lǐng)域。其中，磁控直拉單晶技術(shù)即在直拉法（CZ法）單晶生長(zhǎng)的基礎(chǔ)上對(duì)坩堝內(nèi)熔體施加超導(dǎo)磁場(chǎng)， 從而抑制熔體的熱對(duì)流：熔體硅具有導(dǎo)電性，在磁場(chǎng)作用下，熔體流動(dòng)必然引起感生電流從而產(chǎn)生洛倫茲力。 在洛倫茲力的作用下，熔體內(nèi)熱對(duì)流得到抑制，熔體液面處的氧、點(diǎn)缺陷及其他雜質(zhì)得到抑制。適當(dāng)分布的磁 場(chǎng)能改善單晶的均勻性，減少氧、硼、鋁等雜質(zhì)從石英坩堝進(jìn)入熔體，從而提升單晶硅品質(zhì)。

磁控直拉法中的超導(dǎo)磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)一般分為橫向磁場(chǎng)、縱向磁場(chǎng)、勾形磁場(chǎng)。其中縱向磁場(chǎng)由于抑制熔體熱 對(duì)流表現(xiàn)不好，已被橫向磁場(chǎng)和勾形磁場(chǎng)所替代。而橫向和勾形兩種磁場(chǎng)位型各有利弊，最優(yōu)技術(shù)路線仍在摸 索中：慧翔電液專利中橫向磁場(chǎng)和勾形磁場(chǎng)均采用過，中國(guó)科學(xué)院電工研究所專利中采用了橫向磁場(chǎng)。

超導(dǎo)磁場(chǎng)優(yōu)勢(shì)明顯，助力單晶硅品質(zhì)進(jìn)一步提升

磁場(chǎng)拉制晶體最早可以追溯到1966年，該方法最早由Utech和Fleming及Chedzey Hurle分別獨(dú)立提出，并第一 次把磁場(chǎng)引入水平生長(zhǎng)InSb晶體，減小了熱對(duì)流和界面溫度波動(dòng)，起到了抑制生長(zhǎng)條紋的作用；控制硅中氧在 70年代末至80年代初成為單晶生長(zhǎng)技術(shù)中的重要課題，學(xué)者開始大規(guī)模研究磁場(chǎng)對(duì)晶體生長(zhǎng)行為的影響。

日本索尼公司于1980年聯(lián)合發(fā)表了“優(yōu)質(zhì)硅單晶的新制法”，開始將磁場(chǎng)應(yīng)用到CZ硅單晶生長(zhǎng)中，獲得了適于 VLSI和高反壓大功率器件用的高質(zhì)量硅單晶，引起了半導(dǎo)體行業(yè)的重視。1982年初，索尼公司宣布有償轉(zhuǎn)讓該 技術(shù)，標(biāo)志著MCZ進(jìn)入實(shí)用階段。

傳統(tǒng)的MCZ方法采用永磁體或銅線圈導(dǎo)流產(chǎn)生背景磁場(chǎng)，但永磁體穩(wěn)定性較差，而銅線圈磁體具有磁場(chǎng)強(qiáng)度 低、能耗大的缺點(diǎn)，無法滿足晶棒尺寸持續(xù)增加的需求。隨著超導(dǎo)磁體技術(shù)的發(fā)展，超導(dǎo)磁場(chǎng)提供了更有吸引 力的解決方案：可使材料凝固液面更穩(wěn)定，材料純度更高；同常規(guī)磁體相比，超導(dǎo)磁體能夠降低 300mm 單晶 硅制造能耗 20%、提高成品率 30%。

客戶基礎(chǔ)+慧翔電液技術(shù)儲(chǔ)備+盈利模式演化：開拓晶盛機(jī)電發(fā)展空間

堅(jiān)實(shí)客戶基礎(chǔ)助推研發(fā)正反饋循環(huán)：晶盛機(jī)電作為光伏單晶爐龍頭企業(yè)，客戶量大且覆蓋面廣，因此有充足的 客戶資源供公司進(jìn)行技術(shù)驗(yàn)證，形成客戶端-設(shè)備端正反饋循環(huán)，助力研發(fā)過程推進(jìn)和關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)化。

全資子公司慧翔電液經(jīng)歷多年技術(shù)積累，先發(fā)優(yōu)勢(shì)鑄就行業(yè)領(lǐng)先地位：晶盛機(jī)電初期超導(dǎo)磁場(chǎng)主要為外采，其 2017年開發(fā)的半導(dǎo)體級(jí)超導(dǎo)磁場(chǎng)單晶硅生長(zhǎng)爐的超導(dǎo)磁場(chǎng)由日本住友提供，但由于價(jià)格較為昂貴，晶盛在此之 后逐漸由外采轉(zhuǎn)向自研，晶盛全資子公司慧翔電液主要支持超導(dǎo)磁場(chǎng)的國(guó)產(chǎn)化。

布局：根據(jù)專利申請(qǐng)時(shí)間，慧翔電液對(duì)超導(dǎo)磁場(chǎng)的布局可以追溯到2018年：先后研發(fā)了能夠主動(dòng)屏蔽漏磁 的磁體結(jié)構(gòu)，以及能夠增加磁場(chǎng)強(qiáng)度的優(yōu)化線圈結(jié)構(gòu)；到2019年，慧翔電液的開發(fā)范圍由局部擴(kuò)展到整體， 申請(qǐng)了磁控直拉單晶設(shè)備的專利保護(hù)，不斷完善晶盛機(jī)電在半導(dǎo)體級(jí)超導(dǎo)磁場(chǎng)單晶爐的布局。

低氧型單晶爐迎新一輪技術(shù)迭代，市場(chǎng)空間廣闊

我們預(yù)計(jì)到2025年低氧單晶爐市場(chǎng)空間超200億元

模型基本假設(shè)： （1）2023-2025年新增產(chǎn)能中低氧單晶爐滲透率分別為5%/15%/30%; （2）超導(dǎo)磁場(chǎng)的增加能夠提升單晶爐單產(chǎn)，2023-2025年單產(chǎn)分別為14/15/15MW； （3）2023-2025年超導(dǎo)磁場(chǎng)價(jià)格分別為150/120/100萬元； （4）2023-2025年存量產(chǎn)能更新為低氧單晶爐的比例分別為4%/10%/15%。

重點(diǎn)公司分析

晶盛機(jī)電：推出第五代單晶爐，加入超導(dǎo)磁場(chǎng)

2023年5月22日晶盛機(jī)電發(fā)布第五代單晶爐，通過引入超導(dǎo)磁場(chǎng)解決TOPCon的同心圓問題。 晶盛機(jī)電為單晶爐龍頭，市占率為除隆基外的90%，持續(xù)推進(jìn)單晶爐優(yōu)化升級(jí)，目前晶盛已推 出第五代單晶爐，亮點(diǎn)之一便為附加超導(dǎo)磁場(chǎng)來解決TOPCon硅片的同心圓問題，其子公司慧 翔電液具備磁場(chǎng)供應(yīng)能力，是國(guó)內(nèi)超導(dǎo)磁場(chǎng)市占率最高的玩家，截至目前已經(jīng)出貨超200個(gè)。 我們認(rèn)為晶盛機(jī)電作為傳統(tǒng)單晶爐龍頭，在新型低氧單晶爐前瞻性布局，具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，隨 著N型硅片持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)&低氧單晶爐滲透率提升，晶盛機(jī)電訂單有望維持高增。

西部超導(dǎo)：超導(dǎo)產(chǎn)品領(lǐng)軍者，已向下游相關(guān)客戶銷售MCZ磁體

西部超導(dǎo)主業(yè)為司、高端鈦合金、超導(dǎo)產(chǎn)品（超導(dǎo)線材、超導(dǎo)磁場(chǎng)）、高性能高溫合金，公 司持續(xù)開發(fā)超導(dǎo)材料和磁體技術(shù)在半導(dǎo)體、光伏、醫(yī)療及電力領(lǐng)域的應(yīng)用，并與相關(guān)單位形 成了實(shí)質(zhì)性合作。目前公司自主研發(fā)了國(guó)內(nèi)第一臺(tái)專門用于磁控直拉單晶硅的高磁場(chǎng)強(qiáng)度超導(dǎo) 磁體，傳導(dǎo)冷卻類型MCZ，已實(shí)現(xiàn)批量出口；滿足面向工程的電磁場(chǎng)設(shè)計(jì)需要，開發(fā)了大型 超導(dǎo)磁體繞制、固化及低溫杜瓦設(shè)計(jì)和制造、制冷機(jī)直接冷卻快速降溫等全套超導(dǎo)磁體設(shè)計(jì)制 造核心技術(shù)；公司還研發(fā)出特種磁體制備新技術(shù)并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，批量應(yīng)用于國(guó)內(nèi)外高能加速器 制造領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)中國(guó)首次向美國(guó)能源部稀有同位素加速器項(xiàng)目批量出口超導(dǎo)磁體；公司還具備 鞍型和制冷機(jī)直冷低溫超導(dǎo)磁體、大型高溫超導(dǎo)磁體關(guān)鍵制備技術(shù)，為蘭州重離子加速器、上 海光源、廣東電網(wǎng)超導(dǎo)限流器提供了核心的超導(dǎo)磁體，保障了國(guó)家重點(diǎn)工程建設(shè)。

連城數(shù)控：推出新品單晶爐，MCCz+外加磁場(chǎng)降氧

推出KX420PV新品單晶爐，采用MCCz技術(shù)，通過外加磁場(chǎng)的引入可有效抑制硅熔體熱對(duì)流， 降低氧的形成和傳輸，同時(shí)結(jié)合全新設(shè)計(jì)的氬氣吹掃方案、大尺寸排氣管道及低流阻設(shè)計(jì)， 匹配大抽速真空干泵和可升降式加熱器，最大程度帶走氧雜質(zhì)。目前連城數(shù)控已深度掌握 磁場(chǎng)模塊（永磁場(chǎng)、勾型磁場(chǎng)及水平磁場(chǎng)、超導(dǎo)磁場(chǎng)）用于光伏單晶生長(zhǎng)的一系列方案。

奧特維：子公司松瓷機(jī)電推出高性價(jià)比的低氧型單晶爐

松瓷研發(fā)團(tuán)隊(duì)掌握了同心圓缺陷出現(xiàn)的機(jī)率與單晶氧含量存在的相關(guān)關(guān)系，結(jié)合低氧拉晶技 術(shù)，優(yōu)化單晶爐軟硬件設(shè)計(jì)，顯著降低同心圓缺陷比例：（1）通過熱場(chǎng)工藝模擬，結(jié)合流 體流通路線，設(shè)計(jì)最佳匹配爐內(nèi)管路開口位置及流體管路走向，最大化程度帶走氧雜質(zhì)；（2） 軟控算法增加控氧功能模塊，在不影響拉晶的前提下，不定時(shí)開啟除氧功能，后續(xù)延續(xù)此思 路增加其他除雜模塊；（3）調(diào)整工藝包以提升工藝與硬件之間的匹配度。在同等條件下同心 圓可降低50%，相較于主流硅片氧含量水平，同等條件下低氧型單晶爐可實(shí)現(xiàn)氧含量降低24% 以上，試驗(yàn)線驗(yàn)證數(shù)據(jù)電池片效率提升0.1%。松瓷低氧型單晶爐設(shè)備在保證效率提升的同時(shí)， 可幫助客戶提高效益，有利于客戶快速收回成本。目前有多家客戶在松瓷實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行驗(yàn)證。

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