今天為大家介紹晶體管由兩個PN結構成，分為NPN型和PNP型兩類，根據使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。

晶體管結構與分類

晶體管由兩個PN結構成，分成三層，按照P型和N型排列的順序不同，可分為NPN型和PNP型兩類，結構示意圖和電路符號如下圖。

根據所使用的材料不同，晶體管又分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。

可知，兩類晶體管都分成基區、發射區、集電區，分別引出的電極稱為基極（B）、發射極（E）、集電極（C）。

基區和發射區之間的結稱為發射結；基區和集電區之間的結稱為集電結。NPN型和PNP型符號的區別是發射極的箭頭方向不同。

晶體管內部結構特點：發射區雜質濃度最高，即多子濃度最高，體積較大；基區很薄且雜質濃度極低；集電區體積最大，雜質濃度較發射區低。這是晶體管具有電流放大作用的內部條件。