（文/程文智）近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體異常火熱，國內外很多半導體企業都涌入其中。據Yole Développement統計，2021全球GaN功率器件市場規模為1.26億美元，預計2021~2027年期間復合年增長率為59%，2027年全球市場規模高達20億美元，這主要得益于四大潛力市場的助力。

圖：2021~2017年GaN功率器件市場規模（來源：Yole）

四大潛力應用助力GaN市場騰飛

哪些應用的增長，讓GaN市場規模能夠以如此快的速度成長呢？在Cambridge GaN Devices（簡稱：CGD）公司亞太區銷售副總裁Carryll Chen看來主要有四大應用，分別是消費類應用、數據中心與通信電源、光伏等工業類應用，以及汽車類應用。

首先是消費類應用，這是GaN器件最開始大規模出貨的市場，現在搭載GaN器件的PD充電器，尤其是第三方的充電器已經非常流行。接下來，GaN還會繼續滲透到其他消費類應用中，比如顯示器、游戲主機電源、低噪聲D類音頻放大器等。據Carryll Chen介紹，以前的顯示器電源大概是50W，但如今的大尺寸顯示器電源已經來到了200W，因此采用GaN愿望越來越強烈，目前已經有廠商在評估了；而低噪聲D類音頻放大器則主要用于高端音響中，因為GaN器件可以實現更理想的性能，而且抑制性能會更好。

二是數據中心與通信電源類應用。隨著信息傳輸的數量和速度越來越高，數據中心消耗的能源也越來越大。現在各國的法規都致力于在同樣的體積下不斷提升功率密度，而GaN在提升功率密度方面非常有優勢，因此，這些年來，越來越多的服務器和數據中心廠商開始導入采用GaN器件的高效率、高功率密度電源。

圖：Cambridge GaN Devices公司亞太區銷售副總裁Carryll Chen

三是可再生能源與光伏等工業類應用。據Carryll Chen透露，目前已經有不少微型逆變器產品開始導入GaN器件了。當然，除了個人用或家庭用的光伏逆變器，還有儲能系統也是一個增長不錯的潛力市場。另外，工業類的應用，也包括馬達驅動以及軌道電源等工業類電源產品。她談到，雖然工業類的應用起步比較慢，但今年的導入速度非常快，未來的滲透率值得期待。

四是汽車類應用。這是未來最有發展潛力的一個市場，GaN可以用在電動汽車的牽引逆變器、電機控制與驅動、車載充電機（OBC）、DC/DC轉換器、激光雷達上的電源模塊、汽車座艙內的無線充電等場景中，不過由于汽車類應用大都與人身安全有很大的關系，所以大規模應用到汽車上還需要等待一段時間。畢竟安全驗證是需要時間的。但這的確是一個趨勢，值得關注。

易用和可靠性是GaN市場騰飛的關鍵

前面談到了四大類應用將會是未來GaN市場規模快速增長的最大驅動力來源，但其實，不同類型的應用對GaN器件的需求是不一樣的，從效率、容易使用、可靠性、尺寸，甚至是成本方面來考量的話，消費類應用由于設計周期非常短，用量很大，因此，對使用者來說，他們最希望拿到一個非常簡單，易于使用的器件，而且尺寸要小，成本要有競爭力。

而對數據中心類應用來說，他們對效率和可靠性的要求更加嚴苛。畢竟消費類的充電器萬一壞了，影響的可能是個人無法充電而已，但數據中心，如果一個器件發生了故障，影響的可能是整個服務器的運作，或者數據的損毀。

到汽車類應用的話，可靠性的要求就更高了，畢竟它直接關系到人身安全了。

綜合來看，易用性和可靠性是GaN器件能否大規模被市場采用的關鍵。那么，如何才能做到易用和可靠呢？畢竟GaN的gate耐壓不高，很容易誤導通和開關，甚至容易發生“炸機”事件。加上GaN材料的特性，其切換速度非常快，所以dv/dt帶來的噪聲也比MOSFET高很多。要想做到跟MOSFET一樣方便易用，其實是很困難的。

CGD通過先進設計，大幅提升GaN可靠性與易用性

CGD是一家Fabless半導體公司，致力于開發一系列節能的GaN功率器件，目標是實現更加環保的電子產品，其兩位創始人均來自英國劍橋大學，其中首席執行官Giorgia Longobardi博士此前在劍橋大學工程系領導 GaN 功率器件團隊，在GaN領域有12年的研發經驗，首席技術官（CTO）Florin Udrea則是劍橋大學功率半導體教授，擁有超過150項專利。在他們兩位指導下研發出來的ICeGaN?系列產品則兼具可靠性和易用性兩大特點。

為了克服GaN的使用挑戰，讓GaN更容易驅動，業內GaN廠商想了很多辦法，比如有使用Cascode架構驅動GaN器件，以避免柵極耐壓太低的問題；也有將柵極驅動器集成到GaN內部，通過外部的控制信號，讓內部的GaN驅動器直接去驅動GaN；“但這些方式都各有利弊。” Carryll Chen對電子發燒友網表示，第一種解決方案需要負驅動電壓，以限制高dv/dt瞬態期間HEMT的虛假關斷事件；而柵極驅動器完全集成的解決方案，雖然減少了寄生效應帶來的影響，但卻失去了使用低成本、高性能硅基驅動器的靈活性。此外，由于片上熱耦合會導致功率器件自發熱，柵極驅動器會有額外的損耗。

而CGD則另辟蹊徑，不是將柵極驅動器完全集成，而是利用內置的邏輯電路去控制電壓，達到簡化驅動電路的目的。因為在 Carryll 看來，如果想要讓一個GaN器件變得比較好設計，或者比較好使用的話，最好的辦法就是想辦法讓GaN驅動起來就像一個MOSFET，畢竟MOSFET已經使用非常久了，大部分的工程師都熟悉。

CGD的ICeGaN的驅動方式就與MOSFET類似，不同于其他的增強型GaN解決方案，ICeGaN與任何硅基驅動器都能兼容。再加上ICeGaN器件具有較高的閾值電壓，Vth≈3V，可抑制與dV/dt相關的虛假導通事件，從而使操作更加安全。此外，ICeGaN 器件可以使用高達20V的柵極電壓驅動（遠遠超過 p-GaN HEMT的標準電壓7V），而不會影響器件的跨導或動態性能。

圖：ICeGaN H2系列器件內部框圖（來源：CGD）

根據ICeGaN器件的內部框圖，內置的鉗位電路能夠對輸入柵極信號控制在5.5V左右，來使內部GaN HEMT完全導通。除此之外，它其實還有溫度補償的功能在里面，在柵極與源極之間加入的米勒鉗位電路，可以用最短的路徑避免dv/dt造成的影響，實現0V關斷。與常用的外部放電電路相比，CGD可以在內部晶圓上實現最短路徑，會有更好的表現。

像CGD這樣只集成部分電路，而不是將整個驅動器都集成到芯片內部帶來的好處是，由于驅動電流還是來自外部的驅動器，CGD可以直接使用Ron或Roff去控制充放電電流，調整器件的dv/dt斜率。外部驅動線路會非常接近MOSFET。唯一的差異就是CGD目前還是需要外接VDD用來設定一些參考電壓，做一些 enable、disable和 detection的監測功能。因此，ICeGaN器件還是需要給VDD供電，未來，CGD會努力實現GaN和MOSFET的無痛轉換。

目前的研究顯示，GaN器件的柵極耐壓其實跟溫度和頻率有很大的關系，尤其是GaN HEMT的柵極耐壓最大值只有7V時，在低溫下，如果耐壓降低了，驅動時的雜散信號很可能會把GaN的柵源極擊穿，或是造成生命周期的減少。為了讓ICeGaN器件更加穩健，讓它能夠在不同溫度環境下，都能保持良好運作，CGD在鉗位電路里面，額外增加了溫度補償。因此，ICeGaN器件內部的鉗位電路會隨著溫度的不同而改變，比如在25℃時，內部鉗制在5.5V，而在0℃時，鉗制電壓值會跟著降低，以保證GaN的柵極不會被擊穿。當GaN器件啟動后，溫度慢慢提升之后，內部的鉗位電路的電壓會往上提高，不會因為此功能而影響到效率表現。

具體產品方面，CGD在PCIM Europe期間推出的第二代ICeGaN 650V氮化鎵HEMT系列產品，采用了CGD的智能柵極接口，幾乎消除了典型e-mode GaN的各種弱點，大幅加強了柵極電壓耐用性，可提供更高的噪聲抗擾閾值，以及提升dv/dt抑制和ESD保護效果。新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管與前代器件相同，驅動電壓范圍與硅基MOSFET相同，驅動電路也非常接近，無需復雜低效的電路，并可兼容市場上普遍使用的硅基MOSFET柵極驅動器。另外，與硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 Q_G 低10倍，Q_OSS低5倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT在高開關頻率下能大幅降低開關損耗，并縮小尺寸，減輕重量。這使得其效率和效能在同類產品中更具優勢，在SMPS應用中，比業界出色的硅基MOSFET的性能要高出2%。

由此可見，CGD的GaN器件不僅解決了目前GaN技術的發展的瓶頸，也克服了減緩采用GaN新型技術的挑戰，同時，還能沿用傳統MOSFET的驅動設計，幫助終端廠商從MOSFET無痛轉換到GaN，快速搶占寬禁帶半導體市場商機。

結語
GaN可以說是當今功率電子領域最引人注目的材料，有助于開發出功率密度更大、導通電阻更低、頻率響應更高的高壓器件。隨著市場對高效率和高功率密度需求的提升，以及未來四大潛力應用的驅動，加上更多簡單易用，可靠性更高的GaN器件的推出，相信GaN市場在未來幾年會迎來高速騰飛。


更多詳情，請訪問CGD官方網站
https://camgandevices.com/zh/?utm_source=elecfans-website&utm_medium=paidad