華林科納的半導體晶圓干燥的研究
通過測量晶片上的殘留物得知，晶片上已經分配并干燥了含有金屬鹽作為示蹤元素的溶液。假設有兩種不同的沉積機制：吸附和蒸發沉積。
第一種機制是污染物和晶圓表面之間吸引相互作用的結果，而第二種機制是由于干燥過程中的液體蒸發。
對于第二種情況，蒸發膜厚度被引入作為所研究干燥過程的品質因數。將旋轉干燥與兩種基于 Marangoni 的干燥進行了比較：在垂直移動的晶圓上和在水平旋轉的晶圓上。
結果表明，對于旋轉干燥，會發生兩個連續的階段：在旋轉的前幾秒，液體對流去除是主要機制，隨后是蒸發接管的階段。旋轉干燥過程中液體蒸發量與旋轉速度的平方根成反比。這表明晶片表面上的氣流夾帶液體是蒸發的主要機制。這一發現與描述旋轉基板夾帶的氣體流動的流體動力學模型一致。在垂直移動的晶圓上和水平旋轉的晶圓上。
審核編輯：湯梓紅
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