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PSRAM避坑指南-關(guān)鍵知識點講解 (qq.com)

一. 前言

前面的文章https://mp.weixin.qq.com/s/wC79XEXMAK-3SGX8JkrFKw，完整的介紹了PSRAM的相關(guān)內(nèi)容，比如接口時序等，但是該文章內(nèi)容較多，需要花費一些時間慢慢閱讀。對于一些開發(fā)人員可能只是想大概了解一下PSRAM的關(guān)鍵信息點，或者說遇到問題了不知如何查起，想直接看看有沒有一些常見的坑，來對照排查自己的問題，本文就是針對此而寫。本文重點介紹PSRAM時序中幾個關(guān)鍵的點，也是沒有調(diào)試過PSRAM的開發(fā)人員可能會理解錯誤的點，以及時序的training算法等。每一個知識點都是從工程實踐出發(fā)，都是真金白銀的干貨，基本上這一些信息就包括了可能遇到的大部分問題了，先看這篇文章，基本就能避免各種坑了。

注意以下以APS256XXN為例,其他芯片不排除略有差異，但是關(guān)鍵時序不會有差異都是一樣的。

二．PSRAM關(guān)鍵知識點

2.1 總線寬度

默認(rèn)是x8模式,可以通過寄存器修改為x16模式。

但是命令字和地址的發(fā)送始終是8位模式的，不過抓包可以看到此時高8位內(nèi)容會和低8位的內(nèi)容完全一樣。

2.2 地址空間

對于x16模式，因為其單位是x16bits即2B,所以頁內(nèi)偏移地址即列地址，只需要CA[9:0]10位就足夠，可以表示2048字節(jié)，而x8模式需要CA[10:0]11位表示2048字節(jié)，行地址則不管是x8還是x16都是RA[13:0]。

又由于是DDR模式,即雙邊沿都傳輸數(shù)據(jù)，所以數(shù)據(jù)的最小傳輸單位是一個CLK，一個CLK就對應(yīng)兩個總線寬度，對于x8模式是2B，對于x16模式就是4B，所以x8和x16模式最小的數(shù)據(jù)傳輸大小就是2B和4B,即列地址的bit0 CA[0]必須始終是0。

寄存器操作沒有以上限制可以從任意寄存器開始，但是也要注意由于是DDR所以一個CLK，PSRAM會發(fā)出連續(xù)兩個寄存器的值，CLK不停則連續(xù)的兩個寄存器重復(fù)發(fā)出。

即對應(yīng)下表

比如讀MA0則依次返回MR0和MR1，CLK不停則MR0和MR1重復(fù)返回.

2.3 命令地址的鎖存

在CE#變?yōu)長OW之后，指令字節(jié)在CE#拉低后**第一****個** **CLK上升沿被鎖存** **，** 注意這里是第一個上升邊沿，如果CE#拉低后首先出現(xiàn)的是CLK的下降沿則這個下降沿會略過，也是沒問題的。

按照時序要求，指令字節(jié)需要一直保持到第一個CLK上升沿之后的下降沿，然后保持一個保持時間tHD，但是實際測試可能只需要保持到第一個CLK上升沿并且保持保持時間tHD就就夠了。實際應(yīng)用還是建議完全按照手冊要求來，一直保持到下降沿之后的保持時間，這樣確保安全。這里還要注意CE#拉低到CLK拉高有一個最小的tCSP時間(2nS)要求，還有CLK上升沿之前數(shù)據(jù)的最小建立時間tSP。

如下所示

地址在第三、第四、第五和第六CLK邊沿（第二CLK上升沿、第二CLK下降沿、第三CLK上升邊沿、第三CL下降沿）被鎖存，以上邊沿計數(shù)是從CE#拉低之后的CLK上升沿開始作為第一個CLK邊沿計數(shù)。

如下是一個實際的應(yīng)用中抓取到的波形，CE#拉低之后首先出現(xiàn)的是CLK的下降沿，這也是沒問題的

2.4 寫數(shù)據(jù)-DM

注意DM和DQS是復(fù)用的，都是發(fā)送方驅(qū)動，但是DQS和DM的含義完全是不一樣的。

DQS是讀數(shù)據(jù)時PSRAM驅(qū)動，用于表示數(shù)據(jù)就緒，控制器這邊根據(jù)DQS的邊沿延遲一定時間進行數(shù)據(jù)采樣。

而控制器發(fā)送數(shù)據(jù)，PSRAM并不是通過DM來采樣的，DM表示的是數(shù)據(jù)是否MASK掉，PSRAM是通過CLK的邊沿來采樣的，CLK的邊沿采樣再來結(jié)合此時DM電平表示對應(yīng)的字節(jié)是否要寫入，如果DM為高則MASK掉指定字節(jié)不寫入。

所以結(jié)合DM可以實現(xiàn)單字節(jié)的寫入。

由于寫數(shù)據(jù)時是CLK邊沿采樣，且DM和數(shù)據(jù)是同時變化的，要相對CLK的邊沿有數(shù)據(jù)建立時間和保持時間分別是tDS，tDH。

如圖所示

2.5 讀數(shù)據(jù)-DQS

注意讀數(shù)據(jù)不一樣不再通過CLK的邊沿鎖存數(shù)據(jù),而是通過DQS來鎖存數(shù)據(jù)了。

讀數(shù)據(jù)時PSRAM同時更新DQS和總線信號,但是兩者信號類型不一樣，一個是時鐘信號一個是總線數(shù)據(jù)信號，所以其物理上經(jīng)過的路徑就是不一樣的，到達引腳時存在時間差，這個時間差就是tDQSQ，比如對于166MHz這個值就是最大不超過0.5nS,所以接收方需要在DQS的邊沿延時該時間之后再采樣才能保證采樣到正確的數(shù)據(jù)。大部分讀不到數(shù)據(jù)基本都是接收方這個時間設(shè)置不對，正常來說接收方會有一個PHY可以通過寄存器配置該時間，接收training也就是不斷調(diào)整該時間然后確定一個合適的中間的值。

2.6 x8和x16的存儲映射

不管是x8還是x16模式頁的大小都是2K，但是x8模式和x16模式數(shù)據(jù)在頁內(nèi)的放置是不一樣的。

X8模式按照字節(jié)序列寫入頁內(nèi)的0~2047字節(jié)

X16模式則1字節(jié)寫入頁內(nèi)的01022處，另外字節(jié)寫入頁內(nèi)的10232047處。

所以要注意如果動態(tài)切換模式，則讀出的數(shù)據(jù)內(nèi)容就不一樣了。

2.7 讀寫數(shù)據(jù)的長度

普通模式讀寫數(shù)據(jù)最長由Burst Type決定，不能超過一個PAGE的大小；

寫最小長度是一個CLK對應(yīng)的長度，x8模式就是一個CLK兩個邊沿2字節(jié)，X16模式就是一個CLK兩個邊沿2x2=4字節(jié)；讀沒有最小長度限制。寫數(shù)據(jù)可以結(jié)合DM來MASK寫入單字節(jié)，而讀數(shù)據(jù)沒有MASK。讀寫數(shù)據(jù)的開始地址和長度要是2(x8)或者4(x16)字節(jié)對齊。

讀寫數(shù)據(jù)如果是使能了RXB且使用Linear Burst 讀寫模式則理論上讀寫最長字節(jié)數(shù)沒有限制，但是要受限于tCEM即CE拉低的時間限制

對于標(biāo)準(zhǔn)溫度最長CE可以拉低4uS,如果算200MHz時鐘，4uS有 800個CLK，不考慮命令地址，延遲等時間，800個CLK最多可以傳輸800x2x2個字節(jié)。

如果是擴展溫度1uS，算200MHz時鐘，4uS有200個CLK，不考慮命令地址，延遲等時間，200個CLK最多可以傳輸200x2x2個字節(jié)。

所以也不多，一般都是一次傳輸讀寫256個字節(jié)。

2.8 training

所謂的training就是針對讀和寫兩個關(guān)鍵的時序參數(shù)來進行

讀即DQS延遲tDQSQ時間之后再進行采樣

寫即數(shù)據(jù)在CLK邊沿tDS之前建立，都是數(shù)據(jù)建立時間的概念。

根本原因是因為時鐘信號和數(shù)據(jù)總線信號走的路徑不一樣，所以出現(xiàn)在引腳上的時刻也不一樣(內(nèi)部邏輯電路是時序邏輯電路都是在時鐘的邊沿進行數(shù)據(jù)更新的，理論上數(shù)據(jù)源是同步的)。

對于發(fā)送時，控制器的邏輯電路修改數(shù)據(jù)是在CLK邊沿進行的，但是傳播到引腳上時數(shù)據(jù)較CLK延后了，哪怕不延后數(shù)據(jù)也最多只能和時鐘保持同步，不能滿足數(shù)據(jù)建立時間要求，所以就要人為的在CLK的輸出路徑上加上延遲，以滿足建立時間的要求。

對于接收，同樣的道理，數(shù)據(jù)在出現(xiàn)在引腳上時已經(jīng)滯后DQS了，這個時間就是tDQSQ，所以不能DQS邊沿采樣了，需要延遲一段時間采樣，所以需要在DQS的輸入路徑上人為的添加延遲。

這兩個延遲是由PHY去控制的，會提供寄存器接口給軟件控制，軟件就是控制這兩個延遲時間來進行training。

所謂的training就是，不斷嘗試讀寫，通過判斷讀是否正確，來判斷參數(shù)是否合適，得到一個范圍的參數(shù)，取中間值。修改這兩個時序如果能正確讀寫就認(rèn)為這個參數(shù)可行，然后在所有可行的參數(shù)中取中間值，以獲得較高的冗余度。讀寫是否正確一般通過讀某個有固定值的寄存器來確定。

具體算法如下:

由于有兩個參數(shù)，一個決定發(fā)送，一個決定接收，由于一次傳輸比如讀寄存器，需要先發(fā)送命令地址，然后讀，涉及到兩個過程，任意一個過程錯誤都不能讀到正確的數(shù)據(jù)。

所以兩個參數(shù)都需要遍歷嘗試，實際就是兩層嵌套遍歷。

一般可以讀內(nèi)容是固定的寄存器，比如廠商ID對應(yīng)的寄存器，假設(shè)CLK延遲參數(shù)可以配置為099，DQS延遲參數(shù)可配置為099

那么組合就有100*100次嘗試，也可以增加遞增間隔以減少嘗試次數(shù)。

先固定CLK延遲，遍歷DQS延遲，記錄能讀到正確數(shù)據(jù)的DQS延遲范圍

再遞增CLK延遲，遍歷DQS延遲，記錄能讀到正確數(shù)據(jù)的DQS延遲范圍

在所有能讀到正確數(shù)據(jù)的DQS延遲范圍中選擇范圍最寬的，取其范圍的中間的DQS延遲值作為最終的DQS延遲值。

在所有能讀到正確數(shù)據(jù)的CLK延遲中取中間的CLK延遲值作為最終的CLK延遲值。

三. 實測波形

如下地址有使用邏輯分析抓包的實際PSRAM讀寫寄存器和數(shù)據(jù)的波形記錄，可以參考。

注意這些記錄波形是實際測試過程中抓取的，不是最終的最好狀態(tài)，不能作為標(biāo)準(zhǔn)波形參考，標(biāo)準(zhǔn)波形需要參考手冊。

鏈接：https://pan.baidu.com/s/1HHGEvwz_NHT_tra4ONe-RQ?pwd=45b9

提取碼：45b9

四. 總結(jié)

以上分享了PSRAM接口一些關(guān)鍵的知識點，大部分是容易理解錯誤，且導(dǎo)致問題的點，基本上理解這些點就能解決大部分問題了，作為入門參考也可以先看這篇，先有個大概了解。作為遇到問題不知如何解決時也可以參考這篇文章，基本上能解決大部分問題。
審核編輯：湯梓紅