近年來，隨著電動汽車的加速以及物聯網在工業設備、消費電子設備領域的普及，應用產品中搭載的半導體數量也與日俱增。GaN作為比肩SiC的第三代半導體，雖然在耐壓（650V）及大電流方面并無驚艷之處，但其在開關頻率特性上，有著絕對量級上（200kHz以上）的優勢。因此，在數據電源、基站電源、小型充電器等一般領域；OBC、48V系統、激光雷達等車載領域中，可以充分發揮其低功耗、高工作頻率的優勢。

研討會摘要

1. GaN的介紹

2.使用羅姆GaN的產品解決方案

3.羅姆GaN產品開發路線

研討會主題及時間

主題：羅姆EcoGaN& LSI 技術

時間：2023年6月28日 上午10:00

?EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

研討會講師

周勁（副總經理）

2005年加入ROHM，現為羅姆半導體（上海）有限公司技術中心High Power Solution部門負責人。在模擬IC和功率半導體器件、功率器件解決方案等方面有豐富的專業知識和經驗。

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【產品新聞】

ROHM確立柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT的量產體制

【產品系列詳情】

GaN HEMT系列

【產品相關資料】

1.150V耐壓GaN HEMT GNE1040TB Datasheet

2.ROHM確立柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT的量產體制介紹資料

3.實現高分辨率 LiDAR運用的 GaN HEMT激光驅動 參考設計

宣傳禮

●將研討會宣傳文章或活動海報轉發到朋友圈，并截圖私信給羅姆微信公眾號，我們將隨機挑選15名用戶各送出小米藍牙耳機1個。

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好學禮

●研討會過后還設有Q&A環節，我們將從提出課堂相關問題的羅姆粉絲中隨機抽取10名幸運觀眾，各送出30元京東卡一份。

※ 注意事項

1. 請注意，想獲得以上好禮都需要關注“羅姆微信公眾號”（微信號：rohmsemi）。

2. 每位用戶僅可領取一種獎品。

3. 活動最終解釋權歸羅姆半導體集團所有。

END

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