P溝道MOSFET（pFET）雖然比pnp晶體管貴，但不存在與pnp電路中基極驅動相關的耗散損耗。pFET 在輕負載時也具有較低的飽和電壓（圖 1）。事實上，低R的DS（ON）、邏輯電平、p溝道功率MOSFET目前可以從5.5V電池調節1V！

圖1.一個 p 溝道 MOSFET （Q1） 允許該線性穩壓器在 V 電壓下工作在到 V外差分低于100mV。

此功能允許圖2電路從四個電池單元獲得5V±10%，即使它們放電低至4.6V。低壓差使電路在電池電壓下降時“下降”，最終在大約4.6V時脫離穩壓。當時的低輸入至輸出差分（0.1V）可實現接近100%的效率。請注意，IC1的輸出精度（在整個溫度范圍內為±0.6%）使其適合用作2.5V系統基準。

圖2.在低輸出電流下，這些p溝道MOSFET表現出低源極至漏極電壓（即圖1電路中的壓差）。

IC2的引腳可編程偏置電流使低功耗模式成為可能，在該模式下，整個電路的電流消耗小于50μA。 此模式下可用于備份 RAM 和實時時鐘等電路的 5 毫安電流。在高功率模式下，穩壓器可提供 1A 電流。

選擇100μF輸出電容（C1）以適應1A的最大負載電流;對于較輕的負載，您可以將電容器縮放到較小的值。但要注意，電路的環路穩定性取決于滯后補償，其中1/2πRESRC1>14kHz，其中RESR是C1的等效串聯電阻。（圖1推薦了C1可接受的電容類型。

該電路配置為5V輸出（R1 = 100kΩ），可從5節電池提供500mA電流，產生7.5V，或從4節電池提供1A電流，產生6V電壓。該器件配置為 3V （R1 = 20kΩ），可從四節產生 6V 的電池提供 500mA 電流，或從三節產生 4.5V 的電池提供 1A 電流。輸入電壓范圍為 3V 至 15V，但有限制;由于 Q1 上沒有散熱器，MOSFET 的封裝耗散額定值對輸入電壓和輸出電流的限制如下：IOUT × （VIN - VOUT） < 1.25W。

審核編輯：郭婷