東京電子9日宣布，成功開發出了可以用于制造400段以上堆砌而成的3d nand閃存的“存儲器洞蝕刻技術”。研究組開發的新技術首次使電蝕在低溫下也能應用，發明了具有很高蝕覺速度的系統。

這一創新技術可在短短33分鐘內完成10微米深度的刻蝕，比以往的技術大大縮短了時間。東京電子方面表示：“如果應用該技術，不僅有助于制造高容量3d nand，還可以減少84%的地球變暖危險。”

東京電子表示，開發該技術的小組將于6月11日至16日在日本京都舉行的“2023年招待所集成電路技術及工程研討會”上發表最新成果和報告書。