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三安光電與意法半導體擬合資建立8英寸SiC器件廠

qq876811522 ? 來源:汽車半導體情報局 ? 2023-06-13 16:41 ? 次閱讀


①按照計劃,合資廠將于2025年第四季度投產,預計在2028年全面建成。該合資廠全部建設總額預計約達32億美元(約合227.8億人民幣);②三安光電還將單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠,用以滿足合資器件廠的襯底需求。

《科創板日報》6月7日訊(記者 郭輝)今日,全球知名半導體公司意法半導體和國內化合物半導體龍頭企業三安光電共同宣布,雙方已簽署協議,將在重慶建立一個新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。

按照計劃,合資廠將于2025年第四季度投產,預計在2028年全面建成。該合資廠全部建設總額預計約達32億美元(約合227.8億人民幣)。

項目未來5年的資本支出約為24億美元,關于資金來源,包括來自意法半導體和三安光電的資金投入、來自重慶政府的支持以及由合資企業向外貸款。

與此同時,三安光電首席執行官Simon Lin表示,將利用自研SiC襯底工藝,單獨新建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠,以滿足上述合資廠的襯底需求。

2021年6月,總投資160億元的湖南三安半導體產業園項目一期正式點亮投產;2022年7月,項目二期開建,總投資為80億元,將于今年貫通,達產后配套年產能將達到36萬片。《科創板日報》記者了解到,目前項目二期會在8英寸工藝方面進行研發投入,并在上述第二座工廠規模使用。

在碳化硅產業發展初期,意法半導體與三安光電將通過合作,加強垂直整合來提升器件產品在車用等特殊場景的可靠性問題。

意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示,三安光電未來的8英寸襯底制造廠與前端的合資公司以及意法半導體在中國深圳的現有后端工廠相結合,將使意法半導體能夠為中國客戶提供一個完全垂直整合的SiC價值鏈。

三安光電是中國第一家、全球第三家實現全產業鏈垂直整合的企業,產業鏈布局包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝,碳化硅產能已達1.2萬片/月。“碳化硅產業發展初期實現垂直整合,能夠很好應對不同場景的可靠性問題。”一名產業人士如是稱。

三安光電碳化硅器件在國內上車進展加速。三安光電碳化硅MOSFET工業務已與龍頭新能源汽車及配套企業展開合作,與某知名車企簽署芯片戰略采購意向協議總金額達38億元,另一重要客戶訂單金額19億元。該公司2022年年報顯示,已簽署的碳化硅MOSFET長期采購協議總金額超70億元,另有幾家新能源汽車客戶的合作意向在跟進。產品方面,三安光電車規級1200V 16mΩ MOSFET芯片已在戰略客戶處進行模塊驗證,預計于2024年正式上車量產。

意法半導體方面,汽車業務被視為意法半導體在2027年實現200億美元收入目標的關鍵支撐。意法半導體CEO在去年年底的訪華行程中,拜訪了多位國內汽車和工業戰略客戶,包括長安汽車、賽力斯汽車、寧德時代、固德威、威邁斯新能源、埃泰克汽車電子等。另外,與意法半導體形成合作的中國廠商包括:比亞迪、吉利、長城、現代、小鵬等OEM,以及臺達、華為、匯川、廣達、欣銳科技、陽光電源、威邁斯新能源等。

意法半導體表示,工業和汽車是業務組合中增長勢頭最為強勁的兩個市場,著力推進并重點關注這兩個高增長市場是公司近幾年的戰略方向。

“國內碳化硅仍有較大降本空間。”產業人士告訴《科創板日報》記者,碳化硅襯底目前占碳化硅芯片成本的約60%,因此降低襯底成本是重點。目前碳化硅襯底生產工藝仍面臨三大瓶頸:一是晶體質量,二是長晶效率,三是切磨拋的損耗。價格下降除了生產技術良率要提升,此外整個設備原材料的國產化和技術創新也會帶來成本降低。“隨著產業化推進和產學研合作,未來有很大降本空間。”

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原文標題:200億元碳化硅項目將落地重慶!三安光電與意法半導體擬合資建立8英寸SiC器件廠

文章出處:【微信號:汽車半導體情報局,微信公眾號:汽車半導體情報局】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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