前 言

1824年，一種全新的材料被瑞典科學家，貝采里烏斯合成出來，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無奇的樣子，仿佛是隨處可見的灰燼，也許誰也沒能想到，就是這一小撮雜質般的黑色顆粒，將會在近200年后，在其之上長出絢爛的花朵，幫助人類突破半導體的瓶頸。

在人類半導體產業的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術發展速度卓越，無論是成本還是性能都達到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒有過多的注意。直到20世紀90年代，Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸，再次激發了相關機構對SiC材料的研究興趣。

相比于傳統的Si材料，SiC優勢主要有以下六點：

1 更高的額定電壓，無論是單極性還是雙極型器件，SiC基器件的額定電壓遠高于Si基同類型器件；

2 更低的導通電阻，在1kV電壓等級下，SiC基單極性器件的導通電阻是Si基器件的1/60；

3 更高開關頻率，設定最大結溫在175°C、10kV條件下，SiC基器件仍能達到33kHZ的最大開關頻率；

4 更低熱阻，SiC基熱導率是Si的3倍，期間內部更易散熱，減小器件過溫失效風險，提高可靠性；

5 理論上，SiC基器件極限工作結溫能達到600°C，遠高于Si基器件，但是受限于封裝材料；

6 具備極強抗輻射性，過量輻射不會導致SiC器件出現性能衰退，在航空領域應用較廣。

SiC的優勢

SiC在新能源汽車領域需求巨大

近年來，新能源汽車的增長速度堪稱恐怖，2021年，全球新能源汽車銷售約675萬輛，同比增長1.08倍，市場滲透率大幅提升到8%左右。而在我國，2021年新能源汽車銷量約為352萬輛，占全球銷量的近一半，而到了2022年上半年，中國新能源汽車銷量達260萬輛，同比增長1.2倍，同時新能源汽車保有量突破1000萬輛。而在可以遇見的未來，新能源汽車的增長也是勢不可擋的。根據市場的預期：全球新能源汽車市場將在未來5年至10年繼續保持較高15-35%規模的增速。預計到2025年中國市場規模將突破1500萬輛，保持約35%的年均增長率。而對于SiC需求最大的領域，恰恰就是新能源汽車。

新能源汽車相比于傳統燃油汽車，其中所使用的功率半導體器件成倍增加，根據Strategy Analytics的數據，傳統燃油車的車均半導體用量為338美元，而功率半導體僅占21%，為71美元。混合動力汽車新增的半導體中76%是功率半導體，車均增量達到283美元，功率半導體價值為傳統汽車的4倍，純電動汽車中的功率半導體價值量則比混合動力汽車中更多。

新能源汽車中各類半導體占比

上文提到，SiC擁有更高的熱導性能和電子性能，因此，SiC的化學特性使其特別擅長處理高頻、高功率和高溫負載的使用場景。對于新能源汽車來說，電機驅動系統通常要求體積更小、重量更輕，且能忍受惡劣的工況，而SiC恰恰具備高性能尺寸比、耐高溫和耐輻射，可幫助系統減少尺寸、降低重量提高系統可靠性，這是提高電動汽車效率的關鍵因素。不僅如此，對于車載逆變器，SiC也是目前的最優解，以著名新能源汽車廠商特斯拉為例，在2018年，特斯拉將Model 3車型的主驅動逆變器中已經使用了SiC MOSFET，將Si IGBT替換為SiC器件后，新能源汽車逆變器效率可以大幅提升，相同續航下對電池容量需求降低，以及實現系統冷卻體積和重量的優化，有效降低SiC器件本身帶來的成本增加。

Si 模塊，SiC混合模塊和全SiC模塊方案三相逆變器損耗

新能源汽車的爆發式增長，其配套的充電樁自然也會隨之水漲船高，據麥肯錫統計及預測，2020年中美歐新能源汽車充電需求約為180億千瓦時，預計到2030年，伴隨新能源汽車滲透率的提升，新能源汽車充電需求將高達2710億千瓦時。

中美歐2020-2030年充電樁數量（單位：百萬座）

但是，就以目前的形勢來看，充電樁的增長速度遠沒有新能源汽車來得快。從新能源汽車增量與公共充電樁增量角度看，車樁比在2020年為4.7：1，2021年-2022年連續兩年車樁比均超過10：1。導致目前這種“車多樁少”的情況。筆者認為是充電樁越來越多地建在交通便利，但地段昂貴的商業城區，同時還要面對惡劣的工況。因此，充電樁的設計方向是追求高密度、高電壓、高功率和高可靠。還是作為新能源汽車充電樁的核心零部件，SiC的有關特性又讓它成了繞不開的材料。三安集團北京公司副總經理就陳東坡認為，SiC憑借耐高壓、耐高溫、更高頻率的優勢，性能非常優越，前景明朗。雖然現在對于SiC快速充電樁還處于起步階段，但是在未來隨著需求的大幅增加，SiC一定會被大量應用。

結 論

不僅僅是新能源汽車領域，對于5G基站的通信電源，大數據中心或工業互聯網的服務器電源，城際高鐵和城際軌道交通的電力電子裝置都能看到SiC這種材料的應用前景。隨著SiC市場前景的逐步明確，已經有越來越多的廠商開始投入對于SiC材料的研發和制造中來。

作為SiC生產的基石，襯底的尺寸直接影響了SiC生產的成本，目前全球SiC市場6英寸量產線正走向成熟，領先公司已進軍8英寸市場，包括羅姆、II-VI、Wolfspeed已具備成熟6英寸SiC襯底產線，正在向8英寸市場進行開拓，而我國國內，包括泰科天潤、華潤微、三安光電等廠商也在積極探索，雖然目前還是以4英寸產線為主，逐步在探索6英寸，但我國獨有的巨大經濟規模很可能會加速SiC研發，逐步追上甚至領跑SiC領域也絕不是癡人說夢。

從4英寸、6英寸到8英寸的芯片數量

筆者相信，在未來會有越來越多的SiC功率器件出現，讓我們身邊的電子產品功耗更低，體積更小，同時，也會有越來越多的國產SiC材料，來服務我們未來的科技生活。