精密晶圓切割機主要用于硅片、陶瓷、玻璃、砷化鎵等材料的加工，也被廣泛應用于集成電路 （IC）、半導體等行業(yè)。切割機作為半導體芯片后道工序的加工設備之一，用于晶圓的劃片、分割或開槽等微細加工，其切割的質量與效率直接影響到芯片的質量和生產成本。
縱觀過去的半個世紀，大規(guī)模集成電路時代已向超大規(guī)模方向發(fā)展，集成度越來越高，劃切槽也越來越窄，其對劃片的工藝要求越發(fā)精細化。迄今為止，在芯片的封裝工序中，劃片工藝的發(fā)展歷史大致可分為以下三個階段。

第一階段：金剛刀切割機
19世紀60年代是硅晶體管的發(fā)展初期，當時主要應用的劃片裝置是金剛石切割機，采用的是劃線加工法，類似于劃玻璃的原理。在晶片的切割街區(qū)劃出寬2-5μm，深0.15-1.5μm的切線，再從劃過線的晶片背面，用圓柱狀的碎片工具邊壓邊搓的分裂方法，將晶片分裂成單個芯片。這種方法非常依賴于人工操作，換句話說，操作人員的經(jīng)驗成分占比很大，加壓分裂的依賴性就更大。因此，加工成品率很低。
第二階段：砂輪切割機
六十年代中期進入集成電路時代，晶圓開始向2英寸、3英寸等大直徑化發(fā)展。同時，晶圓厚度也從100微米加厚到200-300μm。就器件的劃線街寬而言，晶體管發(fā)展到了60-100μm，IC為100-150μm，但是當時的砂輪刀片的厚度為150-200μm。在這種情況下，采用原來的工藝方法并不適用。
此時，日本研制出世界第一臺極薄金剛石砂輪切割機，預示著切割機進入了薄金剛砂輪切割機時代。這種砂輪切割機有效避免了晶圓的裂開性和切槽崩邊現(xiàn)象。其原理是通過電沉積法研制而成，即將金剛石粉附著在電鍍的金屬膜上，因沙粒與砂粒間的間隙被金屬填滿，增大了砂粒間的粘結力和砂輪的整體韌性，不會產生像樹脂和金屬粘結劑制成的砂輪上那樣的氣孔，達到了切割晶圓的使用目的。
激光切割機在當時也被認為是接近半導體劃片工序的理想設備。其是采用激光束的光熔化硅單晶而進行切割，與金屬熔斷的加工工藝相似。因此，在切割晶體時燒出的硅粉會四處飛濺，氣化狀的硅微粒子附著在芯片表面造成污染，芯片也就不能用了。這也是激光切割機的致命缺點。
第三階段：自動化切割機
對于金剛刀切割機和砂輪切割機來說，主要目的是提高劃片的成品率。但是，隨著半導體的需求和產量逐漸增大，對效率的要求越來越高。此時，就有了自動化切割機的需求。自動化切割機主要分為半自動和全自動兩種類型。
半自動畫片機主要是指被加工物的安裝及卸載作業(yè)均采用手動方式進行，只有加工工序實施自動化操作的裝置。而全自動畫片機可全部實現(xiàn)全自動化操作。
自從進入大規(guī)模集成電路時代之后，器件的設計原則開始追求微細化，即在提高元件工作速度的同時，減小芯片的面積。這時晶圓的線寬已經(jīng)發(fā)展到5μm、3μm，甚至達到1μm左右。由于芯片表面圖形復雜，若在劃片時產生磨屑附著在刀片上，在以后的工序中，不僅會造成電氣短路，封裝好后，芯片工作發(fā)熱也會使得硅屑向四周擴散，致使保護膜和鋁線變質。因此，劃片自動化需要充分考慮劃片過程中所包含的各種不良因素，比如機床校準、自動畫片、故障診斷、各部件功能、性能和可靠性等。

目前，國際市場上的自動化切割機已有效解決上述問題，且半自動畫片機已實現(xiàn)切割速度為800mm/s,定位精度≤5μm ；全自動切割速度最高達1000mm/s，定位精度度≤2μm。
我國真正開始研制砂輪切割機是從70年代末開始的，一直到1982年研制出了第一臺國產化的砂輪切割機。經(jīng)過三十多年的努力與追趕，國內自主研發(fā)的金剛砂輪切割機性能已基本與國際市場持平。單軸、雙軸精密切割機，不僅切割精度均≤2μm，且實現(xiàn)6、8、12英寸一機兼容。