附錄A 4H-SiC中的不完全雜質電離∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
附錄A 4H-SiC中的不完全雜質電離
附錄
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
碳化硅
+關注
關注
25文章
2783瀏覽量
49117
發布評論請先 登錄
相關推薦
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
發表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用，高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸
磨料形貌及分散介質對4H碳化硅晶片研磨質量有哪些影響
磨料形貌及分散介質對4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨質量具有顯著影響。以下是對這一影響的詳細分析：
一、磨料形貌的影響
磨料形貌是研磨過程中影響4H-SiC晶片質量的關鍵因素之一。
碳化硅SiC在光電器件中的使用
。 高熱導率 ：SiC的熱導率是Si的三倍以上，有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 ：SiC的電子飽和速度高于Si，適合于高速電子器件。 化學穩定性 ：
碳化硅SiC在電子器件中的應用
隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統的硅（Si）材料在某些應用中已經接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導體材料，
碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優勢與性能
碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優點，使其在高效能、
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
發表于 03-08 08:37
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環境污染日益加劇，電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點
碳化硅特色工藝模塊簡介
材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產業發展的關鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅中
工商網監
評論