９.１.７ 集電區(qū)的大電流效應(yīng)：二次擊穿和基區(qū)擴(kuò)散效應(yīng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和
９.１.７集電區(qū)的大電流效應(yīng)：二次擊穿和基區(qū)擴(kuò)散效應(yīng)
９.１雙極結(jié)型晶體管（BJT）
第９章雙極型功率開關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
代理產(chǎn)品線：
1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明
2、國產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義
3、國產(chǎn)FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、國科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清視頻編碼
7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP攝像機(jī)IC
8、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機(jī)
9、中國芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替換XX2401
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