本項目是一個電機電源控制板，主要功能是控制4個200W的大功率直流電機的供電電源，電機供電電源24V，4個電機的工作電流大約30A左右。由于是在電源正極對電機負載進行開關控制，所以最適合的就是選擇P溝道MOSFET作為電源開關控制器件。

對于P溝道MOS器件的選型，首先需要確定的是系統最大的連續工作電流，在本項目中需要選擇連續電流大于30A的P溝道MOS；考慮到電機工作時會產生比較大的瞬時電流，在P溝道MOS選型的過程中一定要留夠負載電流余量。另外在大電流負載的情況下，還需要考慮系統的散熱設計。通過選型對比最終選擇安森德的ASDM60P25KQ作為電機電源的控制開關。

ASDM60P25KQ主要電氣性能參數：

●BVDSS：-60V

●RDS(on),Typ@VGS=-10V：32m?

●ID：-25A

●Vgs=±20V

●PD為60W(TC =25oC)

●R?JA為50oC/W (最大值)。

ASDM60P25KQ基本特征：

●高密度電池設計可實現超低RDS(ON)

●具有高可靠性、高效率、高EAS能力●溝道功率低壓MOSFET技術●出色的散熱封裝●100%雪崩測試●提供TO-252-2L封裝通過上面的電氣參數和器件特征可以得知ASDM60P25KQ的導通電阻小，持續過流能力可以達到25A，當VGS=-10V的時候導通電阻RDS的典型值為32mΩ；另外對于大功率器件散熱是必須要做好的，否則一方面會有損壞器件的風險，另一方面電子產品長期在高溫條件下工作也會影響系統的穩定性和使用壽命。對比國外品牌萬代的AOD407電氣性能參數：ASDM60P25KQ具有更低的導通電阻，更大的耗散功率，相當于在同樣的負載電流情況下ASDM60P25KQ的發熱量會低10%左右。ASDM60P25KQ是國產器件，具有貨源好和更高的性價比，適合應用于各種新產品設計以及老產品的更新換代。實際測試中，器件在30A負載條件下不做散熱處理不能長期運行，會損壞器件，工程師設計需增加一塊大的散熱器，器件溫度長期穩定在70oC左右。下圖是安森德的P溝道功率MOS管ASDM60P25KQ實物圖：

安森德ASDM60P25KQ可替代萬代AOD407、臺灣微碧2SJ601-Z，