新品 | 1200V低阻值CoolSiC? MOSFET產品
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CoolSiC 1200V SiC
CoolSiC 1200V SiC MOSFET低歐姆產品，采用TO247封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用 .XT互連技術，最新的CoolSiC MOSFET具有一流的熱耗散性能。
產品規格：1200V,7mΩ、14mΩ和20 mΩ TO247封裝
CoolSiC 1200V SiC MOSFET低歐姆產品（7mΩ、14mΩ和20mΩ），采用TO247-3/TO247-4封裝，建立在最先進的溝槽柵半導體工藝上。經過優化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術，最新的CoolSiC MOSFET具有一流的熱耗散性能。
CoolSiC MOSFET是硬開關和諧振開關拓撲結構的理想選擇，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲結構和DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。
產品特點
TO247封裝中最大規格，最低的RDS(ON) 7mΩ
.XT互連技術實現了同類最佳的熱性能
最大柵極源極電壓低至-10V
靈活的關斷柵極電壓選擇-5V~0V
雪崩能力
短路能力
應用價值
單個器件的功率密度高
7mΩ單個器件的系統輸出功率可做到30千瓦
散熱能力提高15%
寬關斷柵極電壓選擇，易于設計和應用
增強穩健性和可靠性
市場優勢
經過驗證并增強了封裝的堅固性，具有很高的可靠性
完整的內部生產前端和后端，確保供應安全性
最新的開關和柵極驅動器技術實現了最佳性能
易于設計，加快了上市時間
應用領域
電動車快速充電
太陽能系統
儲能系統
工業驅動
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