6.3.4.5 高低頻方法
6.3.4 電學表征技術及其局限性
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第6章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
29文章
2814瀏覽量
62646
發布評論請先 登錄
相關推薦
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優點,使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用中具有明顯的優勢。本
碳化硅功率器件的優勢和應用領域
在電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優勢,逐步成為行業的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,使得碳化硅功率
碳化硅器件的類型及應用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料,具有比傳統硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時保持穩定性和效率。
發表于 04-16 11:54
?735次閱讀
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料,與傳統的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。
發表于 03-19 11:12
?617次閱讀
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏
發表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
發表于 02-29 14:23
?1658次閱讀
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點,被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
碳化硅特色工藝模塊簡介
材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產業發展的關鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質原子難以在其中擴
碳化硅功率器件簡介、優勢和應用
碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子
碳化硅功率器件的優勢應及發展趨勢
隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導體材料,在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力,將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來
評論