杰華特聯(lián)合英諾賽科推出120W氮化鎵快充方案，打造大功率高端

當(dāng)前，高功率快充標(biāo)配在市場(chǎng)上受到不少關(guān)注，不久前努比亞為其新品紅魔游戲手機(jī)標(biāo)配的正是120W快充方案（內(nèi)置InnoGaN INN650D02）。近日杰華特與英諾賽科聯(lián)合推出升級(jí)版120W快充方案，基于杰華特ACF控制器JW1550和英諾賽科產(chǎn)品INN650D01+INN650D02A，在高功率快充方案上全面升級(jí)，打造120W快充高端標(biāo)配。

一、高頻設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)體積小型化

采用杰華特ACF控制器，能實(shí)現(xiàn)全電壓范圍的軟開關(guān)，使得系統(tǒng)工作頻率高達(dá)300-500KHz，同時(shí)匹配第三代半導(dǎo)體GaN高頻高效的特性，此款120W方案的磁性元件、電容器體積大幅減小，功率密度達(dá)2.3W/cm3，同時(shí)結(jié)合超低熱阻的DFN封裝進(jìn)行巧妙設(shè)計(jì)，體積與市面上65W 氮化鎵快充大小相當(dāng)，全面實(shí)現(xiàn)小型化。

二、PFC+ ACF 兩級(jí)效率高達(dá)94.3%，溫升更低

從上圖得知，此款120W快充方案在90V~264V全電壓下，平均效率達(dá)92%以上，最高效率為94.3%，高頻高效率也實(shí)現(xiàn)了更低的溫升，讓大功率充電發(fā)熱問題不復(fù)存在。

三、EMC技術(shù)新突破

此款120W快充方案在EMC技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了全新突破, 解決了高頻ACF架構(gòu)方案EMC 設(shè)計(jì)難點(diǎn)，EMI噪聲裕量達(dá)到6db以上，并且大大優(yōu)化了EMC濾波電路器件體積，降低成本。

關(guān)于杰華特JW1550和JW7726B

JW1550是專用于ACF（有源鉗位反激電路）的控制器，采用自主研發(fā)的新型自適應(yīng)ZVS控制技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)主功率管的ZVS開通，同時(shí)回收漏感能量，實(shí)現(xiàn)不同輸入輸出下的效率最優(yōu)，和業(yè)界的傳統(tǒng)QR方案相比，ACF控制方式下的65W-200W適配器效率能提升至1.5%；且主功率管管電壓應(yīng)力小；加入抖頻功能，可以有效改善系統(tǒng)的EMI性能。

同時(shí)支持X-cap放電，內(nèi)置Boost電路，供電適合寬范圍輸出應(yīng)用，外圍電路簡(jiǎn)單。和業(yè)界量產(chǎn)中的ACF方案對(duì)比，外圍電路能省15顆器件左右，在縮小設(shè)備體積和環(huán)保方面優(yōu)勢(shì)明顯。多模式控制策略可以進(jìn)一步提高系統(tǒng)的全范圍效率，在寬范圍輸出場(chǎng)合也能滿足能效標(biāo)準(zhǔn)。

副邊搭配JW7726B高頻同步整流控制器，支持CCM、DCM、QR和ACF模式，在振鈴期間能有效防止同步整流MOSFET的誤開通；具有快速關(guān)斷能力以便能兼容CCM；在啟動(dòng)過程中（VCC建立之前）能有效防止門極gate被耦合至開啟電壓。目前JW7726系列產(chǎn)品累計(jì)發(fā)貨量已接近千萬顆。

杰華特與英諾賽科已經(jīng)合作推出了多款GaN快充方案，此次120W方案是基于紅魔游戲手機(jī)標(biāo)配120W快充方案的又一次升級(jí)，更大程度上實(shí)現(xiàn)效率高、體積小、溫升低的優(yōu)勢(shì)，是大功率設(shè)備標(biāo)配首選！氮化鎵市場(chǎng)空間巨大，杰華特與英諾賽科會(huì)攜手打造更多具有競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。