FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
功能比較
FRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | |
內存類型 | 非揮發性 | 非揮發性 | 非揮發性 | 易揮發的 |
寫法 | 覆蓋 | 擦除 + 寫入 | 擦除 + 寫入 | 覆蓋 |
寫周期時間 | 150ns | 5ms | 10μs | 55ns |
讀/寫周期 | 1013 | 106 | 105 | 無限 |
升壓電路 | No | Yes | Yes | No |
數據備份電池 | No | No | No | Yes |
串行FRAM與EEPROM/閃存
與傳統的非易失性存儲器如EEPROM和Flash相比,FRAM具有寫入速度更快、耐用性更高和功耗更低的優勢。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有優勢;
性能改進
由于寫入速度快,即使在突然斷電的情況下,鐵電存儲器也能以寫入方式存儲數據。不僅如此,FRAM可以比EEPROM和Flash存儲器更頻繁地記錄數據。寫入數據時,EEPROM和閃存需要高電壓,因此比FRAM消耗更多功率。因此,通過使用FRAM,可以延長電池供電的小型設備的電池壽命。總之,FRAM是;
·能夠在突然斷電時以寫入方式存儲數據
·可以進行頻繁的數據記錄
·能夠延長電池供電設備的電池壽命
總成本降低
在工廠對每個產品進行參數寫入的情況下,鐵電存儲器有助于降低制造成本,因為與EEPROM和閃存相比,FRAM可以縮短寫入時間。此外,FRAM可以給您一個芯片解決方案,而不是多芯片解決方案,例如2個芯片由EEPROM+Flash組成,或者3個設備由EEPROM+SRAM+電池組成。
·縮短出廠參數寫入時間
·減少最終產品中使用的零件數量
并行FRAM與SRAM
具有并行接口的鐵電存儲器,兼容電池備份SRAM,可以替代SRAM。通過將SRAM替換為FRAM,客戶希望獲得以下優勢。
總成本降低
使用SRAM的系統需要保持電池狀態檢查。通過更換為FRAM,客戶可以從電池檢查的維護負擔中解脫出來。此外,FRAM不需要SRAM所需的電池插座和防回流二極管及其空間。FRAM的單芯片解決方案可以減少空間和成本。
·免維護;無需更換電池
·設備小型化;可以減少最終產品的許多零件
環保產品
廢舊電池成為工業廢棄物。通過用FRAM替換SRAM+電池,可以減少不必要的備用電池。
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