2021-01-15美浦森半導體DFN8*8封裝外形產品上線
隨著半導體技術快速的發展,5G時代的到來,各類現代化產品不斷向著高壓、大電流、高功率、高頻率的方向發展;小體積,低能耗,高效率的產品外形需求也日益強烈. 作為 開關電源、PC電源、服務器電源、適配器、光伏逆變器、UPS、照明電源、OBC、充電樁等產品 不可缺少的部分,功率半導體器件的更小的體積,更高的效率的封裝產品已經被大家一致渴求 。美浦森半導體應時代所需及時推出緊湊型表面貼片封裝-DFN8*8外形, 一經推出便 引來諸多應用客戶的熱切關注 目前 大功率表面貼片外形主流集中在TO-252(DPAK) TO-263(D2-PAK) 、DFN5*6 等外形上,但是由于封裝本身尺寸及封裝能力限制,新一代高效,小體積 產品需求的表面貼片外形現有封裝很難以滿足, DFN8*8外形封裝應運而生 。 下面我們來了解下DFN8*8 外形的特性。
一、 DFN8*8外形封裝 特點:
■ 表貼封裝
■ 封裝高度僅有1mm
■ 爬電距離增加到2.75mm
■ 無引腳設計
■ 加大式的基島
■ 優異的熱性能,與TO - 263 ( D-2PAK )類似
■ 體積小,便捷貼合
二、封裝尺寸對比:16px">DFN8*8與傳統TO-252、TO-263封裝尺寸相比,擁有更多的優點和特性:
1、TO-252封裝尺寸為6.6*10*2.3(mm); TO-263封裝尺寸為10.2*15.15*4.7(mm); DFN8*8封裝尺寸為8*8*1.0(mm),粘貼方面擁有更小體積占比
2、TO-252、TO-263和DFN8*8占電路板面積分別為66mm2、154mm2 和64mm2。 DFN所占電路板面積比TO-263減小50%以上。
3、TO-252、TO-263和DFN8*8背部散熱片面積分別約為23mm2、47mm2和34mm2。 DFN8*8背部散熱片面積比TO-252增加50%左右。
4、TO-252、TO-263和DFN8*8高度分別為2.3mm、4.7mm和1mm,DFN8*8 高度均小于TO-252與TO-263。
三、對比傳統插件封裝:與傳統的TO-220和TO-247,TO-3PN封裝相比,貼片封裝外形大大減少了封裝尺寸大小,優化了體積和空間占比,DFN8*8更因為其無引腳設計,相對于TO-252和TO-263而言,寄生電感更低,主要的冷卻路徑是通過裸露的金屬焊盤到PCB,提高封裝的散熱能力。 加大式的基島設計,在封裝上滿足近似插件功率器件的要求;優異的導熱性能,與TO263D-2PAK)類似 ,直接隨PCB貼合散熱;小體積設計,可以大大減少產品空間占用; Diode、MOSFET(Super Junction,iCMOSFET)同步封裝上市滿足更多行業需求優良的RDSON和VFSD直接應用更多高要求項目;
四、實用項目展示更快,更小,更高效一直是我們工程師設計追求的方向。在新時代的快節奏生活中,快速,高效,便捷的的應用體驗從來都是備受青睞美浦森半導體成立于2014年,座落于號稱中國改革創新前沿的深圳市南山區蛇口,是一家集研發、設計、生產、銷售和服務為一體的完整型產業鏈公司,國家級高新技術企業。 主營POWER MOSFET(功率MOS)、Trench MOSFET(中低壓MOS)、SUPER JUNCTION MOSFET(超結MOS)、SiC MOSFET(碳化硅MOS)、SiC DIODE(碳化硅二極管)等系列產品。 美浦森半導體新推出的DFN8*8外形的超結MOSFET自推出市場后,便大放異彩。下面展示一下美浦森產品(SLL65R170E7)在PD快充行業的應用實例。
■ 應用拓撲結構
■ 產品規格書(Datasheet)
■產品應用實拍
■結語
目前美浦森半導體SiCMOSFET,SJ-MOSFET使用DFN8*8封裝外型的產品已同步上市;滿足客戶需求,解決客戶難題,為客戶提供更優質的服務體驗,一直是每一個美浦森人執著的追求. 公司專注于設計、開發、測試和銷售基于先進的 Planar VDMOS、Trench MOS、SJMOS,SiC SBD、SiC MOS等工藝結構的功率器件產品。以消費類電子、工業領域、新能源領域等為市場目標,致力成為世界一流的功率元器件公司。 公司有多位多年電源行業工作經驗的FAE工程師、封裝工程師以及多位業務能力強的銷售人員。我們不僅致力于為客戶提供高質量的半導體產品,更注重提供優質的售后服務。 為滿足客戶需求,公司從研發方案、設計畫板、產品選擇、產品測試到最后成品,公司可全部幫客戶完成,解決客戶的所有需求。 在這競爭日益激烈的市場,美浦森半導體堅持以創新、務實、高效、共贏為經營理念,為您提供最適合的半導體解決方案,是您最佳的策略合作伙伴。日新月異的市場里我們不斷前行,您需要的我們應有盡有,更多更詳細的產品信息歡迎咨詢。
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