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11.4.2 風力機電源的變換器

11.4 電力電子學與可再生能源

第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？

隨著電力電子技術(shù)的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對

發(fā)表于 01-04 12:37

碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用

。此外，碳化硅的高電子飽和速度和高擊穿電場強度使其在高功率太陽能電池中具有潛在的應(yīng)用前景。 2. 風力發(fā)電在風力發(fā)電領(lǐng)域，碳化硅材料可以用于制造高效率的電力電子轉(zhuǎn)換

發(fā)表于 11-29 09:31 ?398次閱讀

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的

發(fā)表于 10-30 15:04 ?250次閱讀

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本

發(fā)表于 09-13 11:00 ?647次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點，使得碳化硅功率

發(fā)表于 09-13 10:56 ?777次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率

發(fā)表于 09-11 10:44 ?592次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應(yīng)用

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，

發(fā)表于 09-11 10:25 ?641次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>有哪些優(yōu)勢

探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

在電動汽車、風力發(fā)電等電驅(qū)動系統(tǒng)中，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而，要充分發(fā)揮碳化硅功率

發(fā)表于 08-19 09:43 ?421次閱讀

探究電驅(qū)動系統(tǒng)中<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>封裝的三大核心<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，

發(fā)表于 08-07 16:22 ?628次閱讀

<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢和分類

碳化硅器件的類型及應(yīng)用

碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料，具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩(wěn)定性和效率。

發(fā)表于 04-16 11:54 ?769次閱讀

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導(dǎo)率。

發(fā)表于 03-19 11:12 ?677次閱讀

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

圓盤的能量吸收范圍高達 122,290J，允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負載的觸點。變壓器、電機

發(fā)表于 03-08 08:37

碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用

發(fā)表于 02-29 14:23 ?1689次閱讀

簡單認識碳化硅功率器件

隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介

發(fā)表于 02-21 09:27 ?1195次閱讀