從無到有，從落后到先進，中國半導體事業的發展少不了女性的力量，讓我們一起來看看半導體界兩位杰出女性的傳奇故事。

中國半導體之母

——謝希德

“我這個人知足常樂，能夠活到60歲就非常滿足了，超過60歲的每分每秒，我都會用來為教育科研事業、為人民、為社會工作。”

謝希德（1921-2000），新中國第一位女大學校長、原復旦大學校長、中國科學院學部委員、第三世界科學院院士。在她的身上，我們能看到一位中國學者的智慧與擔當，一位中國女性的堅韌與頑強。1947年，從廈門大學畢業的謝希德赴美留學，并先后獲得了史密斯學院碩士學位、麻省理工學院博士學位。在美國學有所成的她，聽到新中國誕生的喜訊后，毅然回到祖國的懷抱，將身心投入新中國的建設事業。回國后的謝希德在復旦大學從事物理系和數學系的基礎教學工作。彼時的中國百業待興，科學事業正處于起步階段。1956年，國家提出發展半導體技術，將北京大學、復旦大學、吉林大學、南京大學和廈門大學5所高校相關師生召集到北京大學，開辦我國第一個半導體專門化培訓班，由黃昆教授任主任，謝希德任副主任。1958年，謝希德與黃昆合編的《半導體物理》問世，這部書是我國半導體領域最早的一本專著，成為當時我國半導體物理專業學生和研究人員必讀的標準教材和基本參考書。五校聯合的培訓班培養出了我國第一批半導體專業畢業生，為我國半導體事業的發展奠定了堅實的基礎。此后，全國多所高校先后開設半導體專業。1960年，中國科學院成立中科院半導體研究所，我國半導體學科和半導體技術快速發展起來。科研之路從來不是一帆風順的，在之后的幾年間，謝希德經歷了病痛的折磨、抄家、科研權利被剝奪、勞動改造，但她并沒有放棄對半導體研究。1972年，謝希德重新走上講臺，繼續她的教育事業。1980年，謝希德當選中國科學院學部委員（院士）。

1983年，62歲的謝希德出任復旦大學校長，成為新中國第一位女大學校長。任職期間，她力排眾議，增設多個學院，將復旦大學打造成一所擁有多個學科的綜合性大學。

年邁的她，頻繁率團出席各種國際會議，是我國物理學界與國際物理學界的“聯絡人”。諾貝爾物理學獎獲得者巴丁稱她是“在中國科學界，謝希德教授是最有影響的人士之一。”2000年3月4日，謝希德因病于上海逝世，享年79歲，她的遺體捐給了中國醫療事業。

提及半導體材料科學，林蘭英在中國歷史上必有一席之地。

中國半導體材料之母

——林蘭英

“我要讓中國早些擁有半導體收音機，要使中國半導體材料趕上先進的美國，立于世界的前沿。”

林蘭英（1918-2003），半導體材料科學家、中國科學院學部委員、中國科學院半導體研究所研究員，中國半導體材料科學的奠基人和開拓者。林蘭英主要從事半導體材料制備及物理的研究，開創了中國微重力半導體材料科學研究新領域，并在砷化鎵晶體太空生長和性質研究方面取得了一定的成績。1947年，貝爾實驗室鍺多晶制造了第一個晶體管，轟動了全世界。正在學習固體物理的林蘭英意識到這項研究對國家戰略發展有著重大意義，開始了對半導體材料的研究。1956年，林蘭英離開就職已久索菲亞公司，幾經波折回到祖國。

林蘭英帶動同事一起創造了多個“新中國的第一”。1958年，在林蘭英的帶領下，成功拉出了中國第一根硅單晶，中國成為世界上第三個生產出硅單晶的國家；1961年主持設計成功中國第一臺開門式硅單晶爐；1962年成功拉制出中國第一根無位錯的硅單晶，無位錯達國際先進水平。
同謝希德一樣，林蘭英也遭受看“十年浩劫”，被迫停下手中的科研工作。1973年，還在“浩劫”中的她，第一次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化鎵單晶。之后，中國砷化鎵汽相外延電子遷移率連續4年居國際最高水平，至今仍處于國際領先地位。恢復工作后，林蘭英于1980年當選中國科學院學部委員。1981年，林蘭英與團隊合作完成大規模集成電路硅作隨機存儲器，獲得了中國科學院重大科技成果一等獎。

林蘭英于80年代開創性地提出在太空微重力條件下拉制砷化鎵的設想。1987年8月，中國在第九顆返回式人造衛星上拉制出了第一塊高質量低缺陷的砷化鎵單晶。
2003年3月4日，林蘭英院士與世長辭，結束了自己傳奇的一生。她們以瘦弱之軀、堅強之心撐起中國半導體的一片天。她們的事跡，影響著每一個為理想而奮斗的中華兒女。