DC-DC電源變換器將一個固定的直流電壓變換為可變的直流電壓，這種技術被常應用于無軌電車，地鐵列車，電動車的無級變速和控制，同時使上述控制獲得加速平穩，快速響應的性能。

開關電源以其效率高、功率密度高而在電源領域中占主要地位，為了以更低的功耗獲得更高的速度和更佳的性能，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應用中可以替代傳統的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使得IGBT的開關損耗大幅降低。

這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結MOSFET和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場合性價比更優于超結MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應用價值，特別適用于對功率密度提升有需求。

基本半導體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉換器中的應用優勢：

1、BGH75N120HF1輸出電壓1200V，連續直流電流為75A @TC=100°C。

2、BGH75N120HF1工作結溫范圍-40℃-150℃，存儲溫度-55℃-150℃。

3、BGH75N120HF1提供TO-247-3封裝，符合RoHS標準。

4、BGH75N120HF1大幅降低了IGBT的開關損耗，適用于對功率密度提升有需求和更性價比的電源應用場景。

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