后摩智能發(fā)布了首款存算一體芯片——鴻途 H30，最高物理算力 256TOPS，功耗僅為 35W，碾壓國內(nèi)一眾智駕芯片。

存儲一體？還首款？

不僅是后摩智能，包括英特爾、SK 海力士、IBM、美光、三星、臺積電、阿里、九天睿芯、恒爍股份、億鑄科技、千芯科技、蘋芯科技、知存科技、智芯科技等在內(nèi)，無論是國際大廠還是初創(chuàng)企業(yè)都紛紛扎堆涌入這個領(lǐng)域。

不禁要問，讓各大芯片廠商打雞血的存儲一體是個什么東西，下面我們存算一體技術(shù)是什么，為什么這么火爆。

01存算一體是什么

目前市面上的芯片都是基于馮諾依曼架構(gòu)，其特點是處理單元和存儲單元分離，各不相干，需要運算的時候，計算單元再從存儲單元讀取數(shù)據(jù)進行處理，處理完再還回去。

而存算一體則是把存儲單元和處理單元合二為一，把數(shù)據(jù)和計算融合在同一片區(qū)中，這樣處理的好處在于可以直接利用存儲器進行數(shù)據(jù)處理，從根本上消除馮諾依曼架構(gòu)計算存儲分離的問題，尤其特別適用于現(xiàn)代大數(shù)據(jù)大規(guī)模并行的應用場景。

實際上存儲一體并不是近年來被提出的新概念，最早可追溯至上個世紀 70 年代，只是受限于當時的芯片制造技術(shù)和算力需求，存算一體僅僅停留在理論研究上，一直到了大數(shù)據(jù)、人工智能時代，巨大的算力需求才為存算一體提供了新的發(fā)展動力。

比如中國國防科大、中科曙光和國家并行計算機工程技術(shù)研究中心計劃推出首臺 E 級超算，但想要研制這種級別的超算，科學家首先面臨的巨大挑戰(zhàn)就是功耗過高問題，以現(xiàn)有的技術(shù)研制 E 級超算功率高達千兆瓦，需要一個專門的核電站才能滿足耗電量，而其中 50% 以上的電量都要被用來消耗進行數(shù)據(jù)搬運。

本質(zhì)上就是馮諾依曼架構(gòu)的處理和存儲分離的缺陷所致，因此存算一體被當作全村的希望。

02存算一體的優(yōu)勢

由于把存儲計算合二為一，去掉了中間傳輸路徑，所以可以大幅減少數(shù)據(jù)搬運，消過程中不必要的延遲和功耗，能耗可降至 1/10-1/100，能效可提升 10-100TOPS/W

因為存儲一體是以存儲器為介質(zhì)，在里面加入計算單元，所以可以直接利用存儲單元進行邏輯計算提升算力。（等效于在面積不變的情況下規(guī)模化增加計算核心數(shù)），在特定區(qū)域可提供 1000TOPS 以上的算力

不依賴制程工藝，因為存儲一體基于全新架構(gòu)開發(fā)，可以打破摩爾定律的限制，所以不受先進制程工藝限制。比如鴻途 H30 就是基于 12nm 制程工藝打造，在 Int8 數(shù)據(jù)精度下實現(xiàn)高達 256TOPS 的物理算力，功耗不超過 35W。

如果在傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)下采用相同工藝，能效比多在 2TOPS/W，某國際巨頭芯片基于 8nm 工藝，如果二者用同一工藝，存算一體架構(gòu)的芯片處理效率優(yōu)勢將會更加明顯。

存算一體超越馮諾依曼架構(gòu)，該架構(gòu)可徹底消除數(shù)據(jù)搬運過程中的延遲和功耗，是一種真正意義上的處理存儲相融合，所以二者完全耦合，可以開發(fā)更細粒度的并行性，從而獲得更高的性能和能效，明顯超越現(xiàn)有的 ASIC 芯片。

存算一體架構(gòu)無論是制程、功耗、成本還是算力，相比傳統(tǒng)架構(gòu)都有明顯優(yōu)勢，可以說完全就是為人工智能時代而生，但前途有多光明，道路就有多曲折，存算一體技術(shù)研發(fā)的困難也是相當巨大。

03存算一體的挑戰(zhàn)

傳統(tǒng)架構(gòu)是計算和存儲相分離，現(xiàn)在兩者要合二為一，這就對存儲器本身和存算一體的設(shè)計提出更高的要求，是需要技術(shù)人員從頭探索的新領(lǐng)域。

隨著以后數(shù)據(jù)量不斷增大，在全新架構(gòu)下，計算、功耗、通信三方面都要重新變革，對制造工藝都提出更高要求。

為了保持梯度計算的保真性和權(quán)重更新，現(xiàn)在市面上的AI芯片大都在 16bit 精度以上，而作為首款存算一體芯片的鴻途 H30 只有 8bit，還難以和傳統(tǒng)芯片媲美，即便是在 PCM 存儲器上有十多年的 IBM，也只是發(fā)布了 8bit 精度的模擬芯片，而其他大廠如微軟、英特爾、美光等則是投資創(chuàng)業(yè)公司。

由于存算一體是把計算和數(shù)據(jù)高度耦合，因此一旦其中一方出問題，另一方幾乎也會遭到極大影響，這都是需要處理的難題。

總而言之，存算一體是一條全新的、沒有現(xiàn)成方法可以參考的、還需要解決傳統(tǒng)架構(gòu)遺留問題的艱難道路。

可即便優(yōu)勢明顯，但存算一體難度這么大，為什么各路大廠還要紛紛打雞血參戰(zhàn)，傳統(tǒng)芯片架構(gòu)技術(shù)成熟、產(chǎn)品可靠，創(chuàng)業(yè)公司也就算了，但為什么傳統(tǒng)廠商也來趟這趟回水，傳統(tǒng)芯片架構(gòu)沒路可走了嗎，下面就要說說傳統(tǒng)架構(gòu)的問題了。

04傳統(tǒng)芯片架構(gòu)的「原罪」

文章開頭提到過，傳統(tǒng)芯片都是基于馮諾依曼架構(gòu)開發(fā)，這種架構(gòu)的特點是處理和存儲兩部分是分開的，通過數(shù)據(jù)總線進行數(shù)據(jù)連接傳輸，而且是以處理為主，存儲主要起到輔助作用，處理器先要把存儲器里的數(shù)據(jù)搬運出來才能處理，處理完再丟回去。

但隨著芯片技術(shù)的飛速發(fā)展，處理器的性能不斷飆升，而存儲器的性能卻在龜速前進，兩者的性能差距越來越大，存儲器的讀寫速度遠遠跟不上處理器的處理速度，導致芯片在運行的時候，大部分算力都被搬運數(shù)據(jù)的過程消耗掉了，只有小部分算力被有效利用。

就相當于一個極度口渴的人拿著一瓶水，瓶子的瓶體直徑有 1 米，但瓶口直徑只有 1 厘米，那種感覺各位感受下，所以逐漸就形成了業(yè)界普遍流傳的存儲墻，嚴重制約芯片綜合性能的提升。

有算力的地方就有功耗，正如上文所說，基于馮諾依曼架構(gòu)開發(fā)的芯片在處理數(shù)據(jù)的過程中，處理器先要通過數(shù)據(jù)總線把存儲器中的數(shù)據(jù)搬運出來，處理完成后在搬運回去，整個搬運過程所消耗的功耗是浮點運算的 4-1000 倍左右。

雖然半導體工藝一直在進步，芯片的總體功耗在下降，但馮諾依曼架構(gòu)天然的缺陷難以改變，數(shù)據(jù)搬運的功耗比只會越來越大，整個過程的無用能耗能占到 60%-90%，能效之低，令人發(fā)指，因此又形成了功耗墻，兩面墻就這樣死死壓制著芯片性能的提升。

另外，根據(jù)咨詢公司評估，晶圓廠每一代工藝的建設(shè)資金都在急劇增加，還不說技術(shù)專利和人才問題，只是建造一個 5nm 晶圓廠，就需要 160 億美元，光是資金就嚇退所有人。

為了打破馮諾依曼架構(gòu)的瓶頸，降低處理和存儲二者搬運過程帶來的高損耗，學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界嘗試了各種方法，大體可分為兩類：

近存儲計算

核心思想就是設(shè)計芯片的時候，把處理單元和存儲單元兩塊區(qū)域盡可能的拉近距離，縮短路徑，從而降低數(shù)據(jù)搬運過程中的算力損耗和功耗，目前市面上的主要技術(shù)路徑是多級緩存和高密度片上存儲。

光互連、2D/3D堆疊和高速帶寬數(shù)據(jù)通信

2D/3D堆疊技術(shù)是將多個芯片堆疊在一起，通過增大處理單元和存儲單元之間的并行寬度提高傳輸速度。

高速帶寬數(shù)據(jù)通信主要就是通過提高通信帶寬降低數(shù)據(jù)搬運過程的損耗。

因為馮諾依曼架構(gòu)的天然缺陷依舊存在，所以上面兩種方案并沒有從根本上解決數(shù)據(jù)存儲和處理的搬運損耗問題，到了大數(shù)據(jù)、人工智能時代，海量的數(shù)據(jù)處理讓這些問題暴露的更加徹底，產(chǎn)業(yè)界和學術(shù)界都迫切希望找到一種能徹底解決該問題的方案，就是存算一體。

綜上所述，就是傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)缺陷導致自我消耗、限制太大，無法滿足算力需求，再加上摩爾定律逼近極限、晶圓廠建設(shè)又是個吞金獸，成本巨大，幾乎死路一條，各大廠商只能押注存算一體。

簡單來說，從馮諾依曼架構(gòu)到存算一體架構(gòu)，指導思想就是停止內(nèi)耗，一致對外。

05存算一體技術(shù)發(fā)展路線

雖然存儲一體已經(jīng)成為目前業(yè)界發(fā)展共識，但由于各個技術(shù)廠商的技術(shù)、發(fā)展方向、商業(yè)模式等條件不同，因此發(fā)展出了四種路徑。

查存計算

目前 GPU 芯片中對復雜函數(shù)的處理就是用了這種方法，主要通過在存儲單元內(nèi)部查表完成處理任務，技術(shù)成熟穩(wěn)定。

近存計算

國外的典型代表便是 AMD 的 ZEN 系列 CPU，國內(nèi)阿里巴巴基于 DRAM 的 3D 堆疊技術(shù)芯片也是這個路線，主要通過在存儲區(qū)域外部的獨立處理單元完成操作，這種架構(gòu)的代際升級成本較低，特別適合傳統(tǒng)芯片廠商過渡。

存內(nèi)計算

主要在存儲單元內(nèi)部加入獨立計算單元完成數(shù)據(jù)處理操作，計算方式可以是數(shù)字也可以是模擬，一般用于固定場景的算法計算，上文提到的鴻途 H30 便屬于這種。

存內(nèi)邏輯

這是目前存算一體的最新架構(gòu)，主要在存儲區(qū)域加入計算邏輯，直接進行數(shù)據(jù)計算，這種架構(gòu)數(shù)據(jù)傳輸路徑最短，真正做到存算一體，能滿足大模型的計算需求，代表廠商有 TSMC 和千芯科技。

由于存算一體芯片都是基于存儲器介質(zhì)開發(fā)，而存儲器可分為易失性和非易失性兩種，所以又有數(shù)字計算和模擬計算兩種方向。

基于易失性的數(shù)字計算存儲器，主要有 SRAM 和 DRAM。

SRAM 和 DRAM 技術(shù)工藝成熟，是目前存儲器的主流，因此很多廠商都基于兩者展開存算一體技術(shù)研究，具有高性能和高精度優(yōu)點，也有很好的抗噪聲能力和可靠性。

基于非易失性的模擬計算存儲器，主要有閃存 Flash、相變存儲器 PCM、阻變存儲器 RRAM/憶阻器 ReRAM。

這些新型存儲器在近年來取得了較快的發(fā)展，具有存儲密度大、并行度高優(yōu)點、對存儲和計算具備天然的融合性，但對環(huán)境噪聲和溫度比較敏感，但由于工藝尚不成熟，距離真正落地還有一段距離。

數(shù)字存算一體適合大算力高能效的應用場景，模擬存算一體適合小算力、不需要非常強的可靠性的民用場景。

一句話概括，未來很長一段時間內(nèi)，SRAM 和 DRAM 都是存算一體芯片的主流選擇。

寫在最后

存算一體已經(jīng)被業(yè)界普遍確定為下一代人工智能芯片技術(shù)發(fā)展方向，由于是全新的技術(shù)方向，目前國內(nèi)外廠商都處于剛起步階段，沒有成熟方法可以借用，而且該技術(shù)依賴于存儲器的不斷流片積累經(jīng)驗，需要技術(shù)團隊有充分的量產(chǎn)經(jīng)驗和技術(shù)認知，還需要大量資金，行業(yè)壁壘很高。

目前各大廠商根據(jù)自身情況，主要有兩種發(fā)展思路：

從小算力入手，比如從 1TOPS 開始，先解決音頻類、健康類這些低功耗的應用場景，掌握芯片商業(yè)化后的性能和功耗問題,然后在進入大算力領(lǐng)域。

直接發(fā)展大算力，提供大于 100TOPS 的高性價比產(chǎn)品，應用于智能駕駛、云計算、機器人等領(lǐng)域。

隨著現(xiàn)在各種大模型、自動駕駛、云計算等 AI 技術(shù)的加速落地，對大算力需求迫切增加，即使技術(shù)有很多困難，但巨大的市場需求一定會倒逼技術(shù)突破，成為繼 CPU、GPU 架構(gòu)之后的另一主流架構(gòu)。

審核編輯：湯梓紅