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LPDDR是什么？

LPDDR（Low Power Double Data Rate SDRAM）低功耗雙倍速率動態隨機存取存儲器，是DDR SDRAM的一種，是JEDEC固態技術協會（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗內存而制定的通信標準，以低功耗著稱，主要針對于移動端電子產品。相比于DDR來說，LPDDR最大的特點就是功耗更低。

LPDDR也分為MDDR、LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X，和DDR一樣，數據處理速度和節能性隨著代數的增加而提高。

LPDDR2

第二代低功耗內存技術LPDDR2的標準規范于2010年12月由JEDEC固態技術協會正式發布。LPDDR2的標準規范在移動產品中實現更高的內存性能、更低的功耗和SDRAMNVM接口兼容性。接口電壓1.2V，工作頻率范圍從100MHz到533MHz。

LPDDR3

第三代低功耗內存技術LPDDR3的標準規范于2012年5月由JEDEC固態技術協會正式發布。

LPDDR3的標準規范可提供更高的數據速率、改進的帶寬和電源效率以及更高的內存密度。LPDDR3支持PoP堆疊封裝和獨立封裝，以滿足不同類型移動設備的需要。

LPDDR3重點加入了新技術，增加新功能實現了1600Mbps的數據速率，包括Write-Levelingand CATraining，On Die Termination (ODT) 和Low I/O capacitance。

Write-Leveling and CA Training(寫入均衡與指令地址調馴)：可讓內存控制器補償信號偏差，確保內存運行于業內最快輸入總線速度的同時，維持數據輸入設定、指令與地址輸入時序均滿足需求。

On Die Termination(片內終結器/ODT)：可選技術，為LPDDR3數據平面增加一個輕量級終結器，改進高速信號傳輸，并盡可能降低對功耗、系統操作和針腳計數的影響。

LPDDR4

由于輸入/輸出接口數據傳輸速度最高可達3200Mbps，是通常使用的DDR3DRAM的兩倍，8GbLPDDR4內存可以支持超高清影像的拍攝和播放,并能持續拍攝2000萬像素的高清照片。

與LPDDR3內存芯片相比，LPDDR4的運行電壓降為1.1伏，堪稱適用于大屏幕智能手機和平板電腦、高性能網絡系統的最低功耗存儲解決方案。以2GB內存封裝為例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB內存封裝，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB內存封裝因運行電壓的降低和處理速度的提升，最大可節省40%的耗電量。若輸入/輸出信號傳輸采用低電壓擺幅終端邏輯(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)，不僅進一步降低了LPDDR4芯片的耗電量，并使芯片能在低電壓下進行高頻率運轉，實現了電源使用效率的最優化。

LPDDR4X

LPDDR4X并非是LPDDR4的下一代版本內存，可以看作是LPDDR4的省電優化版本。相比于LPDDR4，LPDDR4X優化了內存的功耗，將 I/O 電壓降低了 50% (1.12 V至 0.61v)，提高了內存速度。在大容量加持下，存儲速度上更具有優勢，在運行超大游戲，或是錄制4K視頻的時候作用非常明顯，功耗更低，運行更快也更省電。