介紹
LT8609、LT8609A、LT8609B和LT8609S是同步單芯片降壓型穩(wěn)壓器,具有3 V至42 V寬輸入范圍。該器件系列針對需要低 EMI、高效率和小解決方案尺寸的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,適用于要求苛刻的汽車、工業(yè)、計算和通信應(yīng)用。該系列中的所有穩(wěn)壓器都具有相同的2 A連續(xù)、3 A瞬態(tài)(<1秒)負(fù)載電流能力。表1總結(jié)了它們的特性。
部分 | 包 | 性能 | 操作模式 |
LT8609 | 10 引腳 MSE | 高效率 | 突發(fā)模式操作、脈沖跳躍模式、擴頻模式、同步模式 |
LT8609A | 10 引腳 MSE | 針對效率和 EMI 性能進(jìn)行了優(yōu)化 | 突發(fā)模式操作、脈沖跳躍模式、擴頻模式、同步模式 |
LT8609B | 10 引腳 MSE | 高效率 | 脈沖跳躍模式 |
LT8609S | 16 引腳 LQFN | 采用靜音切換器 2 技術(shù),具有最佳效率和 EMI 性能 = 0.444 | 突發(fā)模式操作、脈沖跳躍模式、擴頻模式、同步模式 |
LT8609、LT8609A和LT8609S具有2.5 μA超低靜態(tài)電流,這對于電池供電系統(tǒng)非常重要。憑借集成的頂部和底部 N 溝道 MOSFET,這些穩(wěn)壓器表現(xiàn)出令人印象深刻的輕負(fù)載效率。LT8609B 僅在脈沖跳躍模式下工作,其靜態(tài)電流高于其他器件,并且在輕負(fù)載操作期間提供較低的紋波。
所有這些器件都可以通過CISPR 25 5類輻射EMI調(diào)節(jié),這是汽車設(shè)備最嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)。此外,LT8609、LT8609A 和 LT8609S 具有擴頻頻率操作功能,以降低 EMI 峰值。LT8609S基于其專有的靜音開關(guān)2技術(shù),在該系列中表現(xiàn)出最令人印象深刻的EMI性能,如下所述。?
5.5 V 至 42 V 輸入、低 EMI、高效率 5 V、2 A 電源
5.5 V至42 V輸入至5 V/2 A輸出電源如圖1所示。該解決方案采用16引腳LT8609S穩(wěn)壓器,開關(guān)頻率為2 MHz。完整解決方案只需要幾個元件,包括電感L1和一些無源元件。圖2顯示,該解決方案可實現(xiàn)92.9%的峰值效率。
圖2.LT8609/LT8609A/LT8609S基于12 V的效率與負(fù)載電流的關(guān)系在至 5 V外降壓轉(zhuǎn)換器。
突發(fā)模式操作可提高輕負(fù)載效率
在輕負(fù)載操作和空載待機模式下,高效率和低空閑電流對于電池供電應(yīng)用非常重要。LT8609、LT8609A 和 LT8609S 在突發(fā)模式下具有 2.5 μA 的低靜態(tài)電流。在輕負(fù)載和空載條件下,開關(guān)頻率逐漸降低,大大降低功率損耗,同時保持輸出電壓紋波相對較低。圖2顯示,輕負(fù)載效率保持在85%以上,而最小負(fù)載下的功率損耗接近于零。?
高開關(guān)頻率,具有超低EMI輻射和改進(jìn)的熱性能
EMI 合規(guī)性是許多環(huán)境(包括汽車系統(tǒng))中關(guān)注的問題。憑借集成的MOSFET、先進(jìn)的工藝技術(shù)和高達(dá)2.2 MHz的工作頻率,該系列中的所有器件都可以實現(xiàn)較小的解決方案尺寸,同時滿足最嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)。除LT8609B外,所有器件均提供擴頻頻率操作,可降低EMI峰值。此外,LT8609S還采用了靜音切換器2技術(shù)。靜音開關(guān) 2 器件具有集成的熱回路和暖回路電容,使 EMI 性能對電路板布局和電路板層數(shù)不敏感。可以使用層數(shù)較少的電路板來降低制造成本,而不會犧牲EMI和熱性能。
圖 2 顯示,LT8609S 具有該器件系列中最佳的峰值和滿負(fù)載效率。圖 3 和圖 4 顯示了圖 25 解決方案在 1 層和 2 層板上的 CISPR 4 EMI 和熱性能比較。
圖4.圖2所示電路的4層和1層板之間的熱性能比較。
結(jié)論
LT8609 系列中的器件是易于使用的單片式降壓型穩(wěn)壓器,具有集成功率 MOSFET 和內(nèi)置補償電路。它們針對具有寬輸入電壓范圍和低 EMI 噪聲要求的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2.5 μA的低靜態(tài)電流和突發(fā)模式操作使其成為出色的電池供電降壓轉(zhuǎn)換器解決方案。200 kHz至2.2 MHz的開關(guān)頻率范圍使其適合大多數(shù)低功耗至微功耗應(yīng)用。集成 MOSFET 和高達(dá) 2.2 MHz 的開關(guān)頻率能力最大限度地減小了解決方案尺寸。CISPR 25掃描結(jié)果顯示出出色的輻射EMI性能,符合最嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)。LT2S 中的靜音切換器 8609 技術(shù)使其性能不受布局和層層變化的影響,從而大大降低了開發(fā)和制造成本。
審核編輯:郭婷
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