前幾天看了下阿莫論壇,一個帖子引起了我的注意,作者宋工的一批產品出了大問題,帖子也是非?;?,蓋了100多樓,目前為止還沒有測試完畢,還沒有解決,大伙兒一起分析圍觀下!
背景
有個項目用NMOS管控制開關電磁閥,不是頻繁動作,只做開關用。安裝到現場后在工作過程中大概有五分之一的MOS管燒毀,MOS管燒出一個黑洞或者直接冒煙燒焦,電磁閥和MOS管之間連接線大概有8米左右,電磁閥功率也不大,是24V 6.5W的。感覺能加保護的地方都加了,也加了續流二極管,為什么會導致MOS管燒掉,江蘇長電的正品貨,應該不少假貨,百思不得其解,求大神分析下原因。
電路圖手冊
現場照片
各位怎么看?歡迎評論區留言!
部分網友回復
網友zqf441775525:感覺R15有點大,充電速度太慢,導致MOS管長時間處于半導通狀態。R15可改成2K試試(改成1K貌似功率不夠)。
網友dog:應該是擊穿損壞,那個鉗位到24V算不算【電磁閥】的正端?其實我覺得反而應該用二極管把它隔離,高電壓放到電源上,會影響電源。電磁閥【負端】到【正端】用二極管鉗位,同時并聯多個【小ESR的電容】吸收自感產生的電壓。一定要在最近【電磁閥】屁股的地方。還有上面說的VGS,一般的沒有24V。
作者songxunwen回復:電磁閥正端接的電源24V,MOS控制負端的通斷。D19負極接24V,正極接MOS的漏極是為了在控制器這邊給電磁閥續流用的,因為相當于二極管反向并聯在了電磁閥正負極上,但這個續流二極管距離電磁閥線路比較長,是不是效果受到了影響。可能如你所說真的要在電磁閥上近端直接安裝二極管和電容。
網友dog:是的,一般人我不告訴他。在屁股上面消除高頻電磁干擾。到了板上,就無力回天。
網友linyibinleo:看著應用應該是MOS管驅動能力弱了,處于半導通狀態燒壞的。
網友alexcnsz:R15阻值太大,光耦次級信號拖尾,會導致MOS管不能完全飽和導通。
網友goodjob2:R15和R16太大了,充放電都慢。最好用MOS驅動IC來驅動MOS管,一勞永逸。不是高手的話自己搭驅動電路再怎么改也總是各種問題很難穩定(血的教訓)。
網友polarbear:拿個示波器去測試下波形,這樣才好分析;電路看不出啥問題,該加的都加了。
網友tomzbj:我感覺就是R15太大了, 導通太慢. 推mos還是盡可能用推挽驅動吧, 要么就換成達林頓得了。
網友keshipt:
1、由于導線較長會產生壓降,建議量一下電磁鐵兩端的電壓,看看是否大于21.6V(電壓過低的話 電流會劇增);
2、串個電流表測一下負載工作時的額定電流及峰值電流;
3、D19續流二極管有條件的話放在電磁鐵旁邊;
4、R15建議減小。
如果電壓和電流都達標 那就有可能是器件問題了
網友Romate:悄咪咪的告訴你 在負載兩端并聯一個474/100v的cbb電容,你會發現問題解決了,不要問我為什么知道,因為他媽老子干踩過這個坑,加了二極管什么的一點作用沒有的,并上cbb啥問題沒有了。
網友huike:大概率是關斷時振蕩燒的。關斷時的反峰沖擊,導致電源有干擾,導致了MOS管該關不關,僅靠10K的電阻讓MOS主動關斷,是很傻的!這個10K電阻只是用于斷電時MOS有一個電阻,不會讓電荷累積而導通,而你連帶電工作時的關斷都靠這個,,,很簡單,關斷加一個下拉三極管,如果還會燒,你來找我!
網友kitten:MOS最好用推挽的方式驅動。你這個光耦意義不大,要保護的話,可以串電阻。
網友chunjiu:
這還要分析嗎?老鳥都知道那兒就不該用 MOS
1、光耦關斷時有個很長的斜坡,MOS 會進入放大區,變成電阻絲(電熱絲)
2、我們的主控板懸空拿著靠近大功率逆變器,上面的 LED 會閃爍,所以光耦能保證可靠的開關嗎?
3、那么長的連接線,MOS 上的柵極就無法保證干凈的 0 電平,會引進各種莫名的感應電動勢
4、線圈開關時激蕩的電動勢和 Layout、接線方式都有關聯,接錯位必然導致 MOS 被擊穿
5、地線對外連接會有傳導干擾的沖擊,MOS 很難扛得住
作者songxunwen回復:我這幾天沒在公司,但公司技術人員也一直在測試,5秒開5秒關,甚至0.5s開關,一直循環都測試了好幾天了,沒有一個壞的,甚至mos幾乎不熱。線長也是模擬現場的長度。波形也抓過,電磁閥開關時漏極瞬時電壓到25.4V左右,續流二極管應該起作用了。輸出短路也測試過,自恢復保險起作用,不會燒mos。還是沒搞懂什么原因。因為大部分壇友分析是柵極電阻太大,如果是這個原因導致燒毀,測試過程中mos應該發熱才對。
責任編輯:彭菁
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原文標題:現場的MOS管大面積燒毀,求大神們分析原因
文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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