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技術(shù)迭代，驅(qū)動挑戰(zhàn)

用芯智測，啟智未來

立足根本，測試為先

TIF 2023是一個融合性、持續(xù)性的全方位共創(chuàng)交流平臺。

我們邀請半導(dǎo)體，汽車行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者與泰克公司的測試專家匯聚一堂，共同見證新形態(tài)和新生態(tài)下，如何從測試維度及大數(shù)據(jù)來加速新技術(shù)的迭代！

論壇時(shí)間：2023年6月29-30日

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2023泰克創(chuàng)新論壇

今日分論壇日程安排

會議日程

9:00

-

9:20

開幕致辭

Chris Bohn

Tektronix全球總裁

9:20

-

9:50

主題演講：經(jīng)歷分享|火星與未知生命領(lǐng)域的探索

Jordan P. Evans

NASA航天工程師

9:50

-

10:20

主題演講：探究AI終身學(xué)習(xí)、超圖靈計(jì)算和設(shè)備端計(jì)算

Hava Siegelmann

馬薩諸塞大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)系教授

10:20

-

10:50

主題演講：自動駕駛未來誰將掌舵？

Chris Gerdes

斯坦福大學(xué)機(jī)械工程學(xué) 名譽(yù)教授 & 斯坦福汽車研究中心（CARS）聯(lián)合主任

10:50

-

11:20

功率電子市場概況及主要趨勢

Ana Villamor

Yole Group能源電子團(tuán)隊(duì)首席分析師

11:20

-

11:50

雙脈沖測試：智能探測免受連線困擾

Masashi Nogawa

Qorvo高級系統(tǒng)工程師

11:50

-

13:30

午間休閑時(shí)刻：參觀泰克古董博物館

13:30

-

14:00

三代半導(dǎo)體可靠性測試方案

孫川

Tektronix資深業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理

14:00

-

14:30

接地環(huán)路的問題成因、影響及對策

Steve Sandler

Picotest創(chuàng)始人兼董事總經(jīng)理

14:45

-

15:45

SiC如何推動電動汽車革命

Dr. Peter Gammond

華威大學(xué)電力電子器件教授

15:45

-

15:50

反饋與抽獎

2023泰克創(chuàng)新論壇

論壇內(nèi)容摘要

寬禁帶半導(dǎo)體的測試和應(yīng)用

功率電子市場概況及主要趨勢

電動化車輛是過去幾年中促使功率電子領(lǐng)域大量投資的重要推動因素。本次演講將重點(diǎn)關(guān)注系統(tǒng)和器件要求、技術(shù)趨勢、供應(yīng)鏈和預(yù)測，以及直流充電基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的影響。參與演講，了解功率電子市場的概況和主要趨勢。

雙脈沖測試：智能探測免受連線困擾

參加本次演講，了解正確測試碳化硅（SiC）器件的技術(shù)。我們將討論創(chuàng)建雙脈沖測試裝置的考慮因素。我們將概述基本設(shè)備、設(shè)置、連接和探針。隨后，我們將探討探針策略的技術(shù)考慮因素。

三代半導(dǎo)體可靠性測試方案

新型半導(dǎo)體功率器件因?yàn)槌霈F(xiàn)時(shí)間較短，在可靠性上仍然有諸多問題尚未清晰解決。在工業(yè)領(lǐng)域，電動汽車，航空航天等領(lǐng)域，由于對產(chǎn)品極高的可靠性要求，生產(chǎn)廠商將面臨嚴(yán)格的可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)。

新型功率器件由于材料和器件結(jié)構(gòu)的改變，傳統(tǒng)硅基器件的可靠性測試方法已經(jīng)不再適用，新的可靠性測試方法，如動態(tài)老化測試，高溫工況測試等芯的標(biāo)準(zhǔn)呼之欲出。泰克與方案合作伙伴合作推出的面向三代半導(dǎo)體的新型可靠性測試測試系統(tǒng)，將為客戶解決可靠性測試問題提供新的工具和手段。

（注：本議題為6月29日線下峰會課程回顧）

接地環(huán)路的問題成因、影響及對策

電源軌噪聲是高速系統(tǒng)中抖動、射頻系統(tǒng)中相位噪聲以及A/D和D/A轉(zhuǎn)換器中噪聲的最主要來源之一。半導(dǎo)體制造商通過不斷改進(jìn)電源抑制比（PSRR）來應(yīng)對這一問題。

SiC如何推動電動汽車革命

SiC MOSFET正在取代電動汽車主驅(qū)逆變器中的硅IGBT。盡管目前SiC僅占市場的約5％，但絕大多數(shù)汽車制造商都有SiC逆變器的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)十年內(nèi)SiC將成為大多數(shù)新逆變器的主流趨勢。

在本次演講中，我們將討論SiC被稱為高壓、快速開關(guān)和高溫功率半導(dǎo)體的材料特性。與此同時(shí)，我們還將關(guān)注目前仍存在的挑戰(zhàn)，特別是在SiC供應(yīng)鏈上降低成本方面，創(chuàng)新的襯底市場結(jié)合逐漸提高的制造產(chǎn)量和器件加工，將在未來幾年內(nèi)降低成本。

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